Samsung Electronics accelerates the development of next-generation high-bandwidth memory, with the first batch of HBM4E to be produced in May

Mars Finance News April 17 – According to reports, Samsung Electronics is making every effort to advance the research and development of its next-generation high-bandwidth memory (HBM) products, aiming to further consolidate its advantages in the high-end artificial intelligence memory market. The report states that Samsung Electronics plans to produce the first batch of HBM4E samples meeting NVIDIA standards as early as May 2026. Industry insiders revealed that Samsung has a clear and tight schedule. Its goal is to successfully produce samples of the HBM4E core logic chips by mid-next month through its foundry division. (Wide-angle observation)

Посмотреть Оригинал
На этой странице может содержаться сторонний контент, который предоставляется исключительно в информационных целях (не в качестве заявлений/гарантий) и не должен рассматриваться как поддержка взглядов компании Gate или как финансовый или профессиональный совет. Подробности смотрите в разделе «Отказ от ответственности» .
  • Награда
  • комментарий
  • Репост
  • Поделиться
комментарий
Добавить комментарий
Добавить комментарий
Нет комментариев
  • Закрепить