韓国紙・ソウル経済新聞によると、8月28日時点で、サムスン電子は、エヌビディアのカスタムNVHBM製品の仕様に対応するため、8層構成のHBM4E高帯域幅メモリを開発している。目標速度は17~18Gbpsで、サムスン電子が以前サンプルとして製造した14.4GbpsのHBM4Eと比べ、約20%の向上となる。 8層設計により、ウェハーの薄化や精密な積層、後工程におけるパッケージングの複雑さを軽減できるほか、歩留まりへの圧力を緩和し、供給能力を高められる。NVHBMは、来年の発売が予定されているエヌビディアのRubin Ultra AI GPUから導入される見通しだ。