Navitas запускает технологию SiC MOSFET 5-го поколения для питания центров обработки данных следующего поколения

Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) представила новое поколение технологии силовых MOSFET из карбида кремния (SiC), предназначенное для удовлетворения растущих требований к преобразованию энергии в инфраструктуре ИИ и энергетических системах. Компания объявила о пятом поколении платформы GeneSiC 12 февраля 2026 года, что стало значительным шагом вперёд в области высоковольтных полупроводниковых устройств. Эта новая архитектура сочетает передовой планарный дизайн с углублённой технологией trench-assisted и улучшенными характеристиками надёжности, позиционируя Navitas как ключевого игрока в области MOSFET-технологий для дата-центров и сетевой инфраструктуры.

Этот прорыв произошёл в критический момент, когда дата-центры ИИ и объекты возобновляемой энергетики требуют более эффективных и компактных силовых электронных устройств для обработки увеличивающихся эксплуатационных нагрузок. Обновлённая платформа MOSFET Navitas решает эти задачи с помощью самой передовой архитектуры TAP, предлагая специалистам возможность снизить энергопотребление и операционные расходы в сложных приложениях.

Прорыв в производительности: что означает на 35% лучшая эффективность

Пятое поколение MOSFET обеспечивает рекордное улучшение показателя RDS,ON × QGD на 35% по сравнению с предыдущим поколением 1200V, что кардинально меняет подход проектировщиков к оптимизации силовых цепей. Это напрямую приводит к снижению потерь при переключении, более холодной работе устройств и возможности работать на более высоких частотах без ущерба для стабильности.

Технология достигает дополнительного улучшения примерно на 25% в отношении QGD/QGS, что обеспечивает более быстрый отклик затвора. В сочетании с высокой пороговой напряжённостью VGS,TH ≥ 3V, новое поколение MOSFET демонстрирует исключительную устойчивость к паразитным включениям. Эта характеристика особенно ценна в условиях индустриальной среды с высоким уровнем шума, где целостность сигнала напрямую влияет на надёжность системы.

Пятое поколение платформы дополнительно оптимизирует характеристику RDS(ON) × EOSS, интегрируя собственную технологию мягкой диодной структуры (soft body-diode). Это минимизирует электромагнитные помехи (EMI) при высокоскоростных циклах переключения и обеспечивает более плавное коммутационное поведение, что повышает стабильность системы и выходит за рамки возможностей отдельных MOSFET.

Повышенные стандарты надёжности для критически важных приложений

Navitas подвергла это поколение MOSFET тестированию по стандарту AEC-Plus, который превосходит обычные отраслевые показатели для автомобильных и промышленных надёжностных требований. Валидация включала:

• Расширенные статические тесты, выполняемые в три раза дольше обычных стрессовых процедур (HTRB, HTGB, HTGB-R)
• Передовые динамические тесты на надёжность, включая обратное смещение (DRB) и стресс переключения затвора (DGS), моделирующие реальные условия быстрого переключения
• Минимальные смещения порогового напряжения VGS,TH при длительных циклах переключения, обеспечивающие предсказуемую долгосрочную эффективность
• Экстраполяцию надёжности диодного слоя (gate oxide) более чем на 1 миллион лет при рабочем напряжении (18V) и температуре перехода 175°C
• Повышенную устойчивость к космическим лучам с исключительно низкими показателями FIT (Failure In Time) для условий высокой высоты и непрерывной работы

Эти параметры напрямую отвечают требованиям инфраструктурных операторов, которые зависят от полупроводниковых устройств для поддержания времени безотказной работы систем и предсказуемой производительности на протяжении десятилетий.

Расширение спектра технологий: GaN и SiC в единой стратегии

Новое поколение SiC MOSFET дополняет существующие ультравысоковольтные решения на базе платформы GeneSiC 4-го поколения (линии 2300V и 3300V), создавая комплексное портфолио с охватом различных диапазонов напряжений. Такой подход позволяет проектировщикам выбирать оптимальную технологию — GaN или SiC — в зависимости от конкретных требований приложений в дата-центрах ИИ, сетевой инфраструктуре и промышленной электрификации.

Стратегия Navitas отражает более чем 30-летний опыт в области широкополосных полупроводниковых технологий. Линия GaNFast продолжает обеспечивать быструю передачу мощности и высокую плотность, в то время как расширяющееся портфолио GeneSiC MOSFET ориентировано на средние напряжения с высокой эффективностью и проверенной долговечной надёжностью.

Влияние на рынок и перспективы развития

Павел Уилер, вице-президент и генеральный директор подразделения SiC Navitas, подчеркнул приверженность компании поддержке клиентов в условиях новых границ преобразования энергии: «Значительные технологические улучшения в нашем пятом поколении GeneSiC подчеркивают стремление Navitas к предоставлению лидирующих по эффективности и надёжности решений на базе карбида кремния.»

В ближайшие месяцы Navitas планирует анонсировать новые продукты на базе этой платформы пятого поколения MOSFET. Компания опубликовала подробный технический документ по технологии trench-assisted planar, доступный для скачивания, который содержит рекомендации для системных проектировщиков по внедрению.

Обладая более чем 300 патентами, выданными или находящимися в стадии оформления, и признанием как первая в мире компания-полупроводник с сертификатом CarbonNeutral, Navitas продолжает устанавливать стандарты инноваций в области силовых полупроводников и технологий широкополосных полупроводниковых материалов.