تسببت الذكاء الاصطناعي في خلق نقص ووفرة في الذاكرة في الوقت ذاته

في 29 مارس، شهدت هوا تشيانغ بي والخارج الأمريكي لقطاع البيع بالتجزئة حدثًا متزامنًا لانخفاض حادّ وغير مسبوق في أسعار شرائح الذاكرة (الـRAM). انخفضت حزمة Corsair 32GB DDR5-6400 من 490 دولارًا إلى 380 دولارًا، وبنسبة هبوط يومية بلغت 22%. في الداخل، شهدت شرائح 32GB DDR5 عالية التردد هبوطًا كارثيًا بمقدار 800 يوان خلال أسبوع واحد؛ فعمّت حالة من الذعر لدى تجار القنوات وقام بعض الموزعين بعمليات بيع عشوائية، وقال أحد الموزعين: «انخفضت بأكثر من مئة قطعة خلال يوم واحد».

لكن عند وضع هذا الرقم ضمن إطار زمني أطول، تتغير الصورة تمامًا: حتى بعد انتهاء الهبوط، ما زالت أسعار DDR5 الحالية تبلغ أربعة أضعاف سعر يوليو 2025. إنها آخر مرة سابقة في سلسلة صناعة الذكاء الاصطناعي حدث فيها اختلال دقيق بين العرض والطلب؛ نفس القوة أولاً خلقت نقصًا، ثم خلقت ذعرًا من فائض المعروض.

الأفعوانية: ارتفاع 540% خلال ثمانية أشهر، وانخفاض 22% خلال شهر واحد

في يوليو 2025، كانت مجموعة 32GB DDR5-6000 السائدة في السوق الأمريكي للبيع بالتجزئة تباع بسعر 77 دولارًا فقط. بحلول يناير 2026، قفز سعر نفس المجموعة إلى 490 دولارًا. خلال ثمانية أشهر، بلغت الزيادة 540%.

ليست الزيادة بسبب أن المستهلكين فجأة أصبحوا يجنّون لترقية أجهزة الكمبيوتر. ووفقًا لبيانات TrendForce، ارتفع سعر عقود DRAM في الربع الأول من 2026 على أساس ربع سنوي بنسبة 90%-95%؛ ومن بينها، تجاوزت زيادات PC DRAM 100%، مسجلةً أكبر زيادة فصلية على الإطلاق منذ بدء تسجيل البيانات. وما دفع كل ذلك هو الجوع المتزايد لبنوع خاص من الذاكرة الناتج عن بناء البنية التحتية للذكاء الاصطناعي.

ثم في 25 مارس، أصدرت Google خوارزمية ضغط تحمل اسم TurboQuant. بعد أربعة أيام فقط، انهارت أسعار الذاكرة.

إلى أين ذهبت السعة الإنتاجية؟ HBM ابتلعت شرائح الذاكرة الخاصة بك

لفهم موجة ارتفاع الأسعار هذه، يجب أولاً فهم معلمة تقنية محورية. تبلغ المساحة الفُوْعَة للرقاقة (wafer) التي تستهلكها HBM (ذاكرة ذات عرض نطاق ترددي عالٍ، ذاكرة مخصصة لشرائح الذكاء الاصطناعي من NVIDIA) لكل GB ثلاثة أضعاف DDR5 العادية. ووفقًا لتقرير Tom’s Hardware، يعني هذا أنه على نفس الرقاقة، لا يمكن إنتاج سوى ثلث سعة DDR5 عند تصنيع HBM.

اختارت الشركات الثلاث الكبرى لتصنيع الذاكرة—Samsung وSK hynix وMicron—اختيارات عقلانية في مواجهة الهوامش الربحية المرتفعة لـ HBM؛ إذ حوّلت ما يصل إلى 40% من طاقة الشرائح (المساحة الإنتاجية) الخاصة بالعمليات التكنولوجية المتقدمة إلى إنتاج HBM. ووفقًا لبيانات TrendForce، فمن المتوقع أن تتجاوز هوامش ربح DDR5 لأول مرة HBM3e في الربع الأول من 2026، ما يعكس إلى أي درجة تمّ ضغط الإمدادات من الذاكرة الاستهلاكية.

وكان خيار Micron الأكثر حدة. في ديسمبر 2025، أعلنت الشركة إغلاق العلامة التجارية الاستهلاكية Crucial، والتي كانت تعمل لمدة 29 عامًا، لتخرج بالكامل من سوق الذاكرة والتخزين الاستهلاكية، وتتحول بشكل كامل إلى عملاء المؤسسات والذكاء الاصطناعي. ووفقًا لإعلان علاقات المستثمرين من Micron، بلغت إجمالي إيراداتها للسنة المالية 2025 مبلغ 37.38 مليار دولار، حيث شكلت مراكز البيانات وتطبيقات الذكاء الاصطناعي 56% من إجمالي الإيرادات. لم يعد سوق المستهلكين يستحق العناء.

نفدت بالكامل طاقة إنتاج HBM لدى SK hynix حتى نهاية 2026. وتخطط Samsung لرفع إنتاج HBM الشهري من 170 ألف شريحة رقاق إلى 250 ألف شريحة رقاق بحلول نهاية 2026. أما المصانع الجديدة للرقائق (Samsung P4L وSK hynix M15X)، فأقرب موعد لتحقيق الإنتاج الكمي سيكون 2027-2028. بمعنى آخر، فجوة الإمداد في DRAM الاستهلاكية هي فجوة بنيوية وليست شيئًا يمكن تخفيفه خلال ربعين أو ثلاثة.

انعكاس المشهد، وSK hynix تكسر هيمنة Samsung التي استمرت 40 عامًا

هذه التحويلات في الطاقة أعادت أيضًا كتابة خريطة القوى في صناعة الذاكرة. ووفقًا لبيانات TrendForce، ففي الربع الثاني من 2025، استحوذت SK hynix—بفضل ارتباطها الوثيق مع NVIDIA—على 62% من حصة سوق HBM، بينما لم تتجاوز Samsung 17%، وMicron 21%.

الأكثر دلالة هو انعكاس مستوى الإيرادات. ووفقًا لتقرير TrendForce Q3 2025، فقد تصدرت SK hynix لأول مرة بإيرادات DRAM فصلية بلغت 13.75 مليار دولار، بينما جاءت Samsung في المرتبة التالية بإيرادات بلغت 13.50 مليار دولار. الفارق بينهما لا يتجاوز 250 مليون دولار، لكن هذا هو المرة الأولى خلال نحو 40 عامًا تفقد فيها Samsung موقعها الأول في إيرادات قطاع الذاكرة. ووفقًا لتقرير CNBC، فإن أرباح التشغيل السنوية لـ SK hynix لعام 2025 تجاوزت Samsung أيضًا لأول مرة.

وفّر السبق في HBM لدى SK hynix الرصيد الكافي، لكن هذه المنافسة لم تنتهِ بعد. تعمل Samsung على اللحاق الكامل بجدول الإنتاج الكمي لـ HBM4؛ أما Micron، ورغم أنها تخلّت عن سوق المستهلكين، فإن وتيرة نمو إيراداتها في مجالات المؤسسات والذكاء الاصطناعي (Q3 على أساس ربع سنوي +53.2%) هي الأسرع بين الشركات الثلاث.

كيف يمكن لخوارزمية واحدة أن تهز منطق ارتفاع الأسعار؟

في 25 مارس، قدمت Google خوارزمية TurboQuant في ICLR 2026. تقوم هذه الخوارزمية بشيء واحد: فهي تضغط ذاكرة التخزين المؤقت لـ KV المستخدمة أثناء استدلال نماذج اللغات الكبيرة (ذاكرة قيم-مفاتيح، وهي الجزء الذي يستهلك ذاكرة أكثر خلال عملية الاستدلال) من دقة FP16 إلى 3-bit؛ لينخفض استهلاك الذاكرة على الأقل بمقدار 6 مرات، مع تحقيق تسريع يصل إلى 8 مرات في حساب الانتباه على معالجات H100 GPU. ووفقًا لمدونة أبحاث Google، فإن فقدان الدقة يبلغ صفرًا في خمسة اختبارات معيارية لسياقات طويلة، من بينها Needle-in-a-Haystack.

سرعان ما حسب السوق الأرقام. إذا تم تبني TurboQuant أو خوارزميات مماثلة على نطاق واسع من قبل شركات الذكاء الاصطناعي الرائدة، فسيتم تقليص الطلب الإضافي على DRAM بشكل كبير. والقصّة الأساسية التي دعمت ارتفاع أسعار الذاكرة خلال الأشهر الستة الماضية بالضبط كانت: «البنية التحتية للذكاء الاصطناعي تستهلك الكثير جدًا من طاقة إنتاج الذاكرة».

بعد أربعة أيام، انهارت ثقة القنوات.

تجدر الإشارة إلى أن TurboQuant يستهدف ذاكرة التخزين المؤقت لـ KV في جانب الاستدلال الخاص بالذكاء الاصطناعي، وليس احتياجات HBM في جانب التدريب. إن علاقة العرض والطلب الخاصة بـ HBM لن تتغير على المدى القصير بسبب خوارزمية تحسين للاستدلال. لكن السوق لا يميّز دائمًا بين هذين الأمرين. ووفقًا لتقرير من 新浪财经، في المراحل الأولى من الانهيار الحاد قبل الانخفاض، اندفع داخل القنوات المحلية كثيرون ممن كانوا خارج دائرة الموردين بسبب ارتفاع الأسعار إلى القيام بتخزين واسع النطاق؛ أدت الأسعار المرتفعة إلى هبوط مبيعات التجزئة بأكثر من 60%، كما أدى تضييق سلسلة رأس المال إلى تفاقم حجم الانخفاض عبر عمليات بيع متسلسلة.

سلسلة واحدة في صناعة الذكاء الاصطناعي تصنع نقص الذاكرة، وصنع ذعر فائض المعروض في الوقت نفسه. إن ضغط الإمكانات الفيزيائية لـ HBM على الإنتاج جعل الذاكرة الاستهلاكية تعاني من نقص في الإمداد؛ وإن اختراق كفاءة خوارزمية TurboQuant جعل توقعات الطلب على ذاكرة الذكاء الاصطناعي تنخفض بشكل حاد. إن صنع ارتفاع الأسعار وصنع الانهيار هما نتيجة لنفس القوة.