تبدأ Micron بالإنتاج الضخم لذاكرة HBM4 لشركة NVIDIA، حيث تتحسن السرعة بما يقارب 2.3 مرة مقارنة بجيل HBM3E السابق

في 17 مارس، خلال مؤتمر تقنية وحدات معالجة الرسومات (GTC) الذي أقيم في وقت مبكر من صباح اليوم، أعلنت شركة Micron أن العديد من منتجات التخزين التابعة لها دخلت مرحلة الإنتاج الضخم، وجميع هذه المنتجات مصممة حول منصة NVIDIA Vera Rubin.

قالت شركة Micron إن خط إنتاج HBM4 بدأ الإنتاج والتسليم في الربع الأول من هذا العام، وكانت الدفعة الأولى عبارة عن إصدار 36 جيجابايت من نوع 12 طبقة مكدسة (12-high)، مصممة خصيصًا لمنصة Vera Rubin. يتميز هذا المنتج بسرعة دبابيس تتجاوز 11 جيجابت/ثانية، ويوفر عرض نطاق ترددي للذاكرة يزيد عن 2.8 تيرابايت/ثانية، بزيادة حوالي 2.3 مرة عن الجيل السابق HBM3E، مع تحسين كفاءة استهلاك الطاقة بأكثر من 20%.

بالإضافة إلى ذلك، أعلنت شركة Micron أنها قدمت للعملاء عينات مبكرة من ذاكرة HBM4 بسعة 48 جيجابايت مكدسة 16 طبقة (16-high). مقارنة بالإصدار ذو 12 طبقة، زادت سعة كل وحدة من هذه الذاكرة بنسبة 33%، مما يعزز بشكل أكبر سعة الذاكرة المتاحة لكل موقع HBM.