تكشف شركة Micron عن بدء الإنتاج المتزامن لذاكرة HBM4 وSOCAMM2 وذاكرة 9650 SSD، والمُحسّنة خصيصًا لمنصة NVIDIA Vera Rubin

شركة Micron تعلن عن دخول العديد من منتجات التخزين في مرحلة الإنتاج الضخم خلال مؤتمر GTC الخاص بشركة NVIDIA في 17 مارس. تم تصميم هذه المنتجات حول منصة NVIDIA Vera Rubin.

قالت شركة Micron إن خط إنتاج HBM4 بدأ الإنتاج والتوزيع في الربع الأول من هذا العام، مع أول منتجاته نسخة مكدسة من 12 طبقة بسعة 36 جيجابايت، مصممة خصيصًا لمنصة Vera Rubin. يبلغ معدل إشارة هذا المنتج أكثر من 11 جيجابت في الثانية، ويوفر عرض نطاق ذاكرة يتجاوز 2.8 تيرابايت في الثانية، بزيادة حوالي 2.3 مرة عن الجيل السابق HBM3E، مع تحسين كفاءة استهلاك الطاقة بأكثر من 20%.

كما كشفت Micron عن توفير عينات مبكرة من ذاكرة HBM4 مكدسة من 16 طبقة بسعة 48 جيجابايت للعملاء. مقارنة بالإصدار ذو 12 طبقة، فإن سعة كل وحدة زادت بنسبة 33%، مما يعزز سعة الذاكرة المتاحة في كل موقع HBM.

وأعلنت Micron أيضًا أن وحدة ذاكرة SOCAMM2 دخلت مرحلة الإنتاج الضخم، مع إصدار بسعة 192 جيجابايت سيُستخدم في نظام Vera Rubin NVL72 ومنصة Vera CPU المستقلة. يمكن لهذا الموديل تزويد وحدة CPU واحدة بسعة تصل إلى 2 تيرابايت من الذاكرة وعرض نطاق يصل إلى 1.2 تيرابايت في الثانية. تتراوح سعة خط إنتاج SOCAMM2 من 48 جيجابايت إلى 256 جيجابايت لتلبية احتياجات تكوينات خوادم الذكاء الاصطناعي المختلفة.

وفيما يخص منتجات التخزين، أعلنت Micron عن بدء الإنتاج الرسمي لقرص الحالة الصلبة Micron 9650 SSD، الذي يستخدم واجهة PCIe Gen6، وهو أول SSD في الصناعة تم تصميمه خصيصًا لتحسين أداء بنية NVIDIA BlueField4STX.

بالنسبة للمواصفات، فإن سرعة القراءة التسلسلية لـ Micron 9650 تصل إلى 28 جيجابايت في الثانية، والأداء العشوائي للقراءة يصل إلى 5.5 مليون عملية إدخال وإخراج في الثانية، وهو تقريبًا ضعف أداء الجيل السابق PCIe Gen5 SSD. كما أن كفاءة الأداء لكل واط من الطاقة قد تحسنت بمقدار الضعف تقريبًا.