英特爾與 ASML 表示,英特爾在近期的一場業界會議上宣布將參與新一代 12 英吋光罩平台。英特爾已將 High NA EUV 技術部署至生產流程,目前已有超過 100 萬片晶圓採用該製程。三星也承諾參與此計畫,預計在 2028 年前將 High NA EUV 導入 DRAM 量產,成為業界首家將 High NA EUV 應用於記憶體製造的企業。 英特爾正採取雙軌策略,利用現有的 6 英吋光罩進行光罩拼接,同時朝下一代 6×12 英吋光罩格式發展。三星同時經營記憶體與晶圓代工服務,預期將在光罩轉型中扮演關鍵角色,並將與合作夥伴共同開發所需的光罩技術與基礎設施。