Samsung Electronics прискорює розробку наступного покоління високошвидкісної пам’яті, перша партія HBM4E буде вироблена у травні

Марс Фінанс повідомляє 17 квітня, згідно з повідомленнями, Samsung Electronics активно просуває процес розробки свого наступного покоління високошвидкісної пам’яті (HBM), прагнучи ще більше закріпити свої позиції на ринку високорівневої пам’яті для штучного інтелекту. У повідомленні зазначається, що Samsung Electronics планує вже в травні 2026 року виробити перші зразки HBM4E, що відповідають стандартам NVIDIA. Інсайдери повідомляють, що у Samsung є чіткий і стиснутий графік. Їхня мета — до середини наступного місяця успішно виробити зразки основних логічних чипів HBM4E у підрядників. (Широкий огляд)

Переглянути оригінал
Ця сторінка може містити контент третіх осіб, який надається виключно в інформаційних цілях (не в якості запевнень/гарантій) і не повинен розглядатися як схвалення його поглядів компанією Gate, а також як фінансова або професійна консультація. Див. Застереження для отримання детальної інформації.
  • Нагородити
  • Прокоментувати
  • Репост
  • Поділіться
Прокоментувати
Додати коментар
Додати коментар
Немає коментарів
  • Закріпити