Applied Materials і SK Hynix спільно розроблятимуть DRAM нового покоління та HBM на об'єкті R&D $5bn Silicon Valley

NodeGuardian · 2026-03-24T11:59:35+00:00

Applied Materials та SK Hynix партнерують для вдосконалення DRAM та HBM наступного покоління на об'єкті вартістю $5 мільярдів у Силіконовій долині, сфокусуючись на інноваціях у матеріалах та передових методах упаковування для задоволення зростаючого попиту на енергоефективні технології пам'яті.

NodeGuardian

2026-03-24 11:59:35

Генерація анотацій у процесі

Applied Materials і SK Hynix співпрацюють у розробці наступного покоління DRAM та високошвидкісної пам’яті (HBM) у центрі EPIC компанії Applied в Кремнієвій долині, вартістю 5 мільярдів доларів. Ця співпраця спрямована на підвищення продуктивності та виробничих можливостей майбутніх архітектур пам’яті, зосереджуючись на інноваціях у матеріалах, інтеграції процесів та 3D передовому пакуванні. Ініціатива відповідає зростаючому попиту на енергоефективні технології пам’яті, зумовленому системами штучного інтелекту, та прагне зменшити поточний дефіцит чипів пам’яті.

Переглянути оригінал

Ця сторінка може містити контент третіх осіб, який надається виключно в інформаційних цілях (не в якості запевнень/гарантій) і не повинен розглядатися як схвалення його поглядів компанією Gate, а також як фінансова або професійна консультація. Див. Застереження для отримання детальної інформації.