日企が1/10の電力で1.4ナノメートル半導体を製造する技術を開発

大日本印刷（DNP）は、消費電力を十分の一に抑えて先端半導体を製造できる技術を開発しました。キヤノン向けに製造装置を新たな方式でつくり、2027年に量産することで、次世代の1.4ナノメートル（1ナノメートルは10億分の1メートル）製品を支える中核部材を供給できるようになります。人工知能（AI）半導体の製造コストを大幅に引き下げられる可能性があります。

現在、最先端の半導体を量産するには、世界でオランダのASMLホールディングス（ASML Holdings）だけが製造している極紫外（EUV）露光装置を使用する必要があります。ウエハー（基板）上に回路を描く「リソグラフィ工程」が、半導体の総製造コストの3〜5割を占めます。回路が精細になるほど露光回数が増え、その分、消費電力も増えます。1台のEUV露光装置の価格は約300億円で、半導体メーカーに大きな投資負担をもたらしています。

一方、キヤノンの「ナノインプリント（Nanoimprint）」製造装置は、印鑑を押すような方式でウエハー上に回路を作ります。DNPは、精巧な印章に相当する回路原版の「テンプレート（template）」を開発しており、最大で1.4ナノメートルの製造プロセスに利用できます。これまでこの技術は、2ナノメートルなどの先端半導体の製造には対応できませんでした。

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