HBM4Eのコアロジックはまず委託先にサンプルを作らせることです。このルートは非常に明確です：まず重要な部分を安定させること。

サムスン電子は次世代高帯域幅メモリの研究開発を加速しており、最初のHBM4Eは5月に生産される予定です。
サムスン電子は次世代高帯域幅メモリ（HBM）製品の研究開発を全力で推進し、ハイエンド人工知能メモリ市場での優位性をさらに強化しようとしています。報道によると、サムスン電子は最も早く2026年5月にNVIDIA規格に適合した最初のHBM4Eサンプルを生産する計画です。業界関係者は、サムスンには明確で緊密なスケジュールがあると明かしています。同社の目標は、来月中旬までに委託生産部門がHBM4Eのコアロジックチップのサンプルを成功裏に生産できるようにすることです。