韓国の『ソウル経済日報』が匿名の業界関係者の情報として伝えたところによると、サムスン電子はNVIDIAと提携し、次世代 NAND 闪存(ナンドフラッシュメモリ)チップの開発を加速している。サムスンの半導体研究院、NVIDIA、ジョージア工科大学の共同研究チームが、「物理情報神経ネットワーク演算子」モデルを開発した。同モデルは、強誘電体ベースのNAND 闪存デバイスの性能を分析する速度が、既存のモデルより1万倍以上速いことを明らかにし、研究結果を公表した。研究結果に基づき、サムスンはNVIDIAと提携して、強誘電体NAND 闪存の開発および商業化を進めている。(財聯社)
サムスンとNVIDIAが次世代NANDフラッシュの研究開発を加速
韓国の『ソウル経済日報』が匿名の業界関係者の情報として伝えたところによると、サムスン電子はNVIDIAと提携し、次世代 NAND 闪存(ナンドフラッシュメモリ)チップの開発を加速している。サムスンの半導体研究院、NVIDIA、ジョージア工科大学の共同研究チームが、「物理情報神経ネットワーク演算子」モデルを開発した。同モデルは、強誘電体ベースのNAND 闪存デバイスの性能を分析する速度が、既存のモデルより1万倍以上速いことを明らかにし、研究結果を公表した。研究結果に基づき、サムスンはNVIDIAと提携して、強誘電体NAND 闪存の開発および商業化を進めている。(財聯社)