Navitasが第5世代SiC MOSFET技術を投入してきたらしい、って話を今つかみました。正直ここでのエンジニアリングはかなりしっかりしています。彼らはこれを「Trench-Assisted Planar (TAP)」と呼んでいて、AIデータセンター向けと、グリッド（送配電）インフラ向けの過酷な用途向けに特化して作られています。

じゃあ何が特に目についたかというと、まず新しい1200Vラインです。前世代と比べて、あのRDS,ON × QGDのフィギュア・オブ・メリットが35%改善していると示されています。高電圧用途で本当に意味のある効率向上で、スイッチング損失の低減や、より涼しい動作につながるからです。さらにQGD/QGS比でも25%の改善を狙っており、要するに、より速く、よりクリーンなスイッチングと、ノイズ耐性の向上を意味します。

堅牢性の面も面白いです。寄生的なターンオンを防ぐため、閾値電圧(VGS,TH ≥ 3V)という高い条件を仕様にしています。加えて、彼らが「Soft Body-Diode」と呼ぶものを統合し、ファストスイッチング時のEMIを最小化しています。高周波のパワーステージを動かしている人にとって、これは本当に頭の痛いポイントで、それをちゃんと解決しているわけです。

信頼性についても、バリデーションに本気です。HTRB試験を3倍の期間で延長し、ダイナミック逆バイアス試験も実施。さらに、運用条件下でゲート酸化膜の故障時間が100万年以上に及ぶと推定していると主張しています。これは、ミッションクリティカルなインフラで重要になるタイプのスペックシートです。

Navitasは、既存の超高電圧2300Vおよび3300VのSiCラインナップとの相補関係としてこの製品を位置づけています。つまり、今やほぼ全レンジをカバーしている状態です。さらに、これと並行してGaN MOSFETのポートフォリオも展開しているので、さまざまな電力変換シナリオに対してもカバー範囲が広いのがポイントです。

AEC-Plusの適格認証にも注目しておく価値があります。これは、この部品が標準的な自動車グレードを超えてテストされていることを意味します。データセンターやグリッド用途では稼働率がすべてであり、そのために必要なことです。

このプラットフォーム上での新製品は今後数ヶ月以内に出てくると言っています。パワー半導体の動向を追っているなら、見ておく価値があるでしょう。ここでの効率改善は、次世代の電力インフラを設計する人にとって、かなり大きなものになり得ます。