3月31日夜、スターダイオード(603290)は2025年の業績速報を開示した。同レポート期間中、同社は売上高40.12億元を計上し、前年同期比18.34%増となった。親会社株主に帰属する純利益は4.05億元で、前年同期比20.2%減となった。非経常損益控除後の純利益は3.77億元で、前年同期比22.64%減となった。スターダイオードの主力事業は、IGBT、SiCを中心としたパワー半導体チップおよびモジュールの設計・研究開発、生産、販売であり、製品は新エネルギー、新エネルギー自動車、産業制御・電源、白物家電、AIサーバー電源、データセンター、ロボット、ならびに低高度・高高度飛行機器などの分野に幅広く活用されている。2025年、スターダイオードはコア技術の実力と業界トップクラスの地位に依拠し、コア事業にフォーカスするとともに、「Fabless+IDMのダブルホイールドライブ」ビジネスモデルの優位性を十分に発揮し、同時にドライバIC、産業グレードおよび車載グレードのMCUチップを、既存のパワー半導体事業と深く融合させることを推進し続け、同社のコア競争力と長期的な発展ポテンシャルを継続的に高めていく。レポート期間中、スターダイオードの売上高は着実に増加し、過去最高を更新した。新エネルギー自動車、新エネルギー発電(風力・太陽光・蓄電)、インバータ式の白物家電業界で需要が急速に伸びたことが、同社のレポート期間における売上高増加の中核的な支えとなった。さらに同社は、AIサーバー電源、データセンター、産業用ロボット、低高度・高高度飛行機器などの新興アプリケーション分野を積極的に開拓し、製品の適用範囲を継続的に拡大することで、同社の事業に対し長期的に新たな成長余地を切り開いている。売上高は過去最高を達成したものの、スターダイオードの昨年の純利益は減少した。業績速報によれば、主に研究開発投資とコストの上昇によるものだ。業績速報によると、2025年にスターダイオードの研究開発費は前年同期比で1.27億元増加し、35.94%増となった。2024年にスターダイオードの研究開発費は3.54億元で、2023年同期比で23.27%増となった。2025年、スターダイオードは研究開発投資を継続的に強化し、次世代IGBT、ファストリカバリダイオード、SiCMOSFET、GaNなどのパワー半導体チップおよびモジュール、ならびにドライバIC、産業グレードおよび車載グレードのMCUなどのコア製品の研究開発を重点的に実施した。加えて、一部の下流市場での競争激化、原材料コストの上昇などの要因の影響もあり、スターダイオードの総合粗利率は昨年において低下していた。 大量の情報、精密な解説は、新浪財経APPにて
スタダ半導体は昨年の研究開発費用が35.94%増加し、次世代IGBTなどの研究開発を重点的に推進しています。
3月31日夜、スターダイオード(603290)は2025年の業績速報を開示した。同レポート期間中、同社は売上高40.12億元を計上し、前年同期比18.34%増となった。親会社株主に帰属する純利益は4.05億元で、前年同期比20.2%減となった。非経常損益控除後の純利益は3.77億元で、前年同期比22.64%減となった。
スターダイオードの主力事業は、IGBT、SiCを中心としたパワー半導体チップおよびモジュールの設計・研究開発、生産、販売であり、製品は新エネルギー、新エネルギー自動車、産業制御・電源、白物家電、AIサーバー電源、データセンター、ロボット、ならびに低高度・高高度飛行機器などの分野に幅広く活用されている。
2025年、スターダイオードはコア技術の実力と業界トップクラスの地位に依拠し、コア事業にフォーカスするとともに、「Fabless+IDMのダブルホイールドライブ」ビジネスモデルの優位性を十分に発揮し、同時にドライバIC、産業グレードおよび車載グレードのMCUチップを、既存のパワー半導体事業と深く融合させることを推進し続け、同社のコア競争力と長期的な発展ポテンシャルを継続的に高めていく。
レポート期間中、スターダイオードの売上高は着実に増加し、過去最高を更新した。新エネルギー自動車、新エネルギー発電(風力・太陽光・蓄電)、インバータ式の白物家電業界で需要が急速に伸びたことが、同社のレポート期間における売上高増加の中核的な支えとなった。さらに同社は、AIサーバー電源、データセンター、産業用ロボット、低高度・高高度飛行機器などの新興アプリケーション分野を積極的に開拓し、製品の適用範囲を継続的に拡大することで、同社の事業に対し長期的に新たな成長余地を切り開いている。
売上高は過去最高を達成したものの、スターダイオードの昨年の純利益は減少した。業績速報によれば、主に研究開発投資とコストの上昇によるものだ。
業績速報によると、2025年にスターダイオードの研究開発費は前年同期比で1.27億元増加し、35.94%増となった。2024年にスターダイオードの研究開発費は3.54億元で、2023年同期比で23.27%増となった。
2025年、スターダイオードは研究開発投資を継続的に強化し、次世代IGBT、ファストリカバリダイオード、SiCMOSFET、GaNなどのパワー半導体チップおよびモジュール、ならびにドライバIC、産業グレードおよび車載グレードのMCUなどのコア製品の研究開発を重点的に実施した。
加えて、一部の下流市場での競争激化、原材料コストの上昇などの要因の影響もあり、スターダイオードの総合粗利率は昨年において低下していた。
大量の情報、精密な解説は、新浪財経APPにて