2026年の春、車のショールームでの対話は微妙な変化を遂げている。 上汽智己LS8の新車発表会の現場では、販売員はもはやエンジンの馬力やシャーシの調整だけを強調せず、 注目すべきパラメータにスポットライトを当てている——「本車は64GBのRAMを搭載し、 Samsung/SKハイニックスの純正チップを使用しています。」この詳細の強調は偶然ではなく、 自動車産業が「機械定義」から「計算力定義」への深刻な変革を経験していることを反映している。 同時に、Apple直営店の展示台の前で、消費者はiPhoneとMacBookのストレージオプションに迷っている： 512GBから1TBにジャンプすると、価格は瞬時に数千元上昇し、2TBバージョンはさらに驚異的なプレミアムがつく。 この消費電子分野の「ストレージ不安」は、今やそのままスマートカーに移植されている。 この背後にある論理は共通している：携帯電話であれ自動車であれ、それらはもはや単なる通信手段や交通手段ではなく、 移動するスマート計算端末である。L4レベルの自動運転がリアルタイムでライダーの膨大な点群データを処理する必要があるとき、 エッジAIの大規模モデルがローカルで複雑な推論タスクを実行する必要があるとき、ストレージチップ—— かつては「脇役」と見なされていたコンポーネントが、すでにスマート体験の限界を決定する「喉元」となっている。 この変革を理解するためには、まず2つの核心概念を明確にする必要がある： ランダムアクセスメモリ（DRAM）とストレージ容量（NAND Flash）。 スマートカーを人に例えるなら、ランダムアクセスメモリは「短期記憶」であり、 脳が同時にどれだけのタスクを処理できるかを決定し、 ストレージ容量は「長期記憶」であり、どれだけの地図、音楽、運転データを記憶できるかを決定する。 ランダムアクセスメモリの分野では、技術競争が白熱化している。 SamsungとSKハイニックスは、2026年には1cナノプロセスに基づくLPDDR6メモリチップを展示した。 これらのチップの単体容量は16GBを突破し、伝送速度は驚異の14.4Gbpsに達している。 これは、これらのチップを搭載したスマートカーのデータスループット速度が、 リアルタイムの3D環境モデリングや複雑なAI決定を支えるのに十分であることを意味する。 対照的に、現在主流のLPDDR5Xは10.7Gbpsの速度に達することができるが、 将来のL4レベルの自動運転が毎秒数GBのデータ洪水に直面する際、LPDDR6の高帯域幅と低消費電力の利点は欠かせないものとなる。 ストレージ容量の面でも、差は同様に明らかである。消費電子分野はすでに2TB時代に突入しているが、 車両規格市場では、信頼性と寿命に対する厳しい要求のため、大容量ストレージの普及速度は相対的に遅れている。 現在、SamsungとSKハイニックスは1TBや2TBの車両規格UFS 4.0およびSSD製品を量産できるようになり、 高階智驾が生成する膨大なログデータに対応できる。しかし、大多数の車両にとって、 256GBから512GBが依然として主流の構成である。この容量の差は、 車両が将来のOTAアップグレードやより豊かな車載エンターテインメントエコシステムをサポートできるかどうかを直接決定する。 国内に目を向けると、中国のストレージ産業は過去数年で著しい進歩を遂げたが、 車両規格の高端分野では国際的な巨人との間に「世代差」が依然として存在する。 ランダムアクセスメモリ（DRAM）の分野では、国産メーカーの長鑫ストレージ（CXMT）や江波龍が追いつこうと奮闘している。 現在、国産の車両規格LPDDR4Xメモリは8GBの量産を実現し、大多数のスマートキャビンの基本的なニーズを満たすことができる。 しかし、SamsungとSKハイニックスがすでに展開している16GBのLPDDR6に直面すると、 国産チップは単体容量と伝送速度で約2世代の技術差がある。この差は、 プロセス技術（国際的な巨人は1cナノに達し、国産は1x/1yナノ段階にある）だけでなく、 良率管理や消費電力の最適化にも現れている。 ストレージ容量（NAND Flash）の面では、国産のパフォーマンスはさらに目立っている。 江波龍、佰維ストレージなどの企業は、eMMCとUFSの分野で国際的な大手と対等に渡り合う実力を持っている。 現在、国産の512GBのUFS 3.1/4.1製品は多数の自動車メーカーの検証を通過し、 小ロット供給を開始している。車両規格SSD分野では、佰維ストレージが1TBの製品を発表し、 Samsungの高端ソリューションに直接対抗している。これは、「データを保存する」この段階で、 国産チップが強力な代替能力を持ち、サプライチェーンの「ボトルネック」リスクを効果的に緩和できることを示している。 しかし、コードストレージ（NOR Flash）という細分野では、兆易創新などの国産メーカーが世界の先頭を行っており、 その製品はテスラなどの国際的な自動車メーカーのサプライチェーンに入っている。 これは、中国のストレージ企業が特定のトラックで完全に追い越しを実現できる能力があることを証明している。 国産の代替の歩みは加速しているが、2026年のグローバルストレージ市場は厳しい構造的な課題に直面している。 AIデータセンターの建設が世界のストレージ能力を急速に「吸い取っている」。 より高い利益を生むHBM（高帯域幅メモリ）やLPDDR5/6を生産するために、 Samsung、SKハイニックスなどの巨人はDDR4などの成熟したプロセスの生産能力を削減している。 この生産能力の移転は、車両規格メモリの供給の緊張を引き起こしている。 自動車産業にとって、DDR4などの成熟したプロセス製品は、最新世代には及ばないが、 安定性と信頼性が高く、コストがコントロール可能で、 車体制御や計器盤などの重要な部品に広く使用されている。 現在、国際的な巨人が減産する中で、これらの「旧製品」は逆に希少資源となり、価格が急騰している。 同時に、L4レベルの自動運転に対するメモリ容量の需要は指数関数的に増加している。 Micron Technologyは、将来のL4レベルの車両のメモリ需要が300GBを突破し、 現在の主流モデルの20倍になると予測している。この需要の爆発的な増加は、AIによる生産能力の圧迫と重なり、 自動車ストレージ市場は「量と価格の同時上昇」というスーパーサイクルに陥っている。 智己LS8が64GBメモリの重要性を強調し、Appleの2TBストレージの高いプレミアムを見て、 私たちが目にしているのは技術の進歩だけでなく、スマート端末がデータ処理能力を求める縮図でもある。 この「脳容量」に関する競争において、SamsungとSKハイニックスは、 先進技術における絶対的な優位性を持ち、依然として業界の価格決定権と発言権を握っている。 しかし、中国産業にとって、これは挑戦であり、機会でもある。 高端DRAM分野ではまだ差があるが、NAND FlashやNOR Flashなどの分野では、 国産チップがすでに突破口を開いている。今後、長鑫ストレージなどの企業がDRAM分野での持続的な突破を続け、 江波龍、佰維ストレージなどのモジュールメーカーが車両規格製品に深く取り組むことで、中国の自動車産業は 徐々に海外のストレージ巨人への依存から脱却できることが期待される。 結局のところ、スマート化の下半期において、ストレージという核心の命脈を掌握することが、 「自動車大国」から「自動車強国」への飛躍を実現するための唯一の方法である。
昨晚、智己Ls8とAppleの展示会場の観察に行きました
2026年の春、車のショールームでの対話は微妙な変化を遂げている。
上汽智己LS8の新車発表会の現場では、販売員はもはやエンジンの馬力やシャーシの調整だけを強調せず、
注目すべきパラメータにスポットライトを当てている——「本車は64GBのRAMを搭載し、
Samsung/SKハイニックスの純正チップを使用しています。」この詳細の強調は偶然ではなく、
自動車産業が「機械定義」から「計算力定義」への深刻な変革を経験していることを反映している。
同時に、Apple直営店の展示台の前で、消費者はiPhoneとMacBookのストレージオプションに迷っている：
512GBから1TBにジャンプすると、価格は瞬時に数千元上昇し、2TBバージョンはさらに驚異的なプレミアムがつく。
この消費電子分野の「ストレージ不安」は、今やそのままスマートカーに移植されている。
この背後にある論理は共通している：携帯電話であれ自動車であれ、それらはもはや単なる通信手段や交通手段ではなく、
移動するスマート計算端末である。L4レベルの自動運転がリアルタイムでライダーの膨大な点群データを処理する必要があるとき、
エッジAIの大規模モデルがローカルで複雑な推論タスクを実行する必要があるとき、ストレージチップ——
かつては「脇役」と見なされていたコンポーネントが、すでにスマート体験の限界を決定する「喉元」となっている。
この変革を理解するためには、まず2つの核心概念を明確にする必要がある：
ランダムアクセスメモリ（DRAM）とストレージ容量（NAND Flash）。
スマートカーを人に例えるなら、ランダムアクセスメモリは「短期記憶」であり、
脳が同時にどれだけのタスクを処理できるかを決定し、
ストレージ容量は「長期記憶」であり、どれだけの地図、音楽、運転データを記憶できるかを決定する。
ランダムアクセスメモリの分野では、技術競争が白熱化している。
SamsungとSKハイニックスは、2026年には1cナノプロセスに基づくLPDDR6メモリチップを展示した。
これらのチップの単体容量は16GBを突破し、伝送速度は驚異の14.4Gbpsに達している。
これは、これらのチップを搭載したスマートカーのデータスループット速度が、
リアルタイムの3D環境モデリングや複雑なAI決定を支えるのに十分であることを意味する。
対照的に、現在主流のLPDDR5Xは10.7Gbpsの速度に達することができるが、
将来のL4レベルの自動運転が毎秒数GBのデータ洪水に直面する際、LPDDR6の高帯域幅と低消費電力の利点は欠かせないものとなる。
ストレージ容量の面でも、差は同様に明らかである。消費電子分野はすでに2TB時代に突入しているが、
車両規格市場では、信頼性と寿命に対する厳しい要求のため、大容量ストレージの普及速度は相対的に遅れている。
現在、SamsungとSKハイニックスは1TBや2TBの車両規格UFS 4.0およびSSD製品を量産できるようになり、
高階智驾が生成する膨大なログデータに対応できる。しかし、大多数の車両にとって、
256GBから512GBが依然として主流の構成である。この容量の差は、
車両が将来のOTAアップグレードやより豊かな車載エンターテインメントエコシステムをサポートできるかどうかを直接決定する。
国内に目を向けると、中国のストレージ産業は過去数年で著しい進歩を遂げたが、
車両規格の高端分野では国際的な巨人との間に「世代差」が依然として存在する。
ランダムアクセスメモリ（DRAM）の分野では、国産メーカーの長鑫ストレージ（CXMT）や江波龍が追いつこうと奮闘している。
現在、国産の車両規格LPDDR4Xメモリは8GBの量産を実現し、大多数のスマートキャビンの基本的なニーズを満たすことができる。
しかし、SamsungとSKハイニックスがすでに展開している16GBのLPDDR6に直面すると、
国産チップは単体容量と伝送速度で約2世代の技術差がある。この差は、
プロセス技術（国際的な巨人は1cナノに達し、国産は1x/1yナノ段階にある）だけでなく、
良率管理や消費電力の最適化にも現れている。
ストレージ容量（NAND Flash）の面では、国産のパフォーマンスはさらに目立っている。
江波龍、佰維ストレージなどの企業は、eMMCとUFSの分野で国際的な大手と対等に渡り合う実力を持っている。
現在、国産の512GBのUFS 3.1/4.1製品は多数の自動車メーカーの検証を通過し、
小ロット供給を開始している。車両規格SSD分野では、佰維ストレージが1TBの製品を発表し、
Samsungの高端ソリューションに直接対抗している。これは、「データを保存する」この段階で、
国産チップが強力な代替能力を持ち、サプライチェーンの「ボトルネック」リスクを効果的に緩和できることを示している。
しかし、コードストレージ（NOR Flash）という細分野では、兆易創新などの国産メーカーが世界の先頭を行っており、
その製品はテスラなどの国際的な自動車メーカーのサプライチェーンに入っている。
これは、中国のストレージ企業が特定のトラックで完全に追い越しを実現できる能力があることを証明している。
国産の代替の歩みは加速しているが、2026年のグローバルストレージ市場は厳しい構造的な課題に直面している。
AIデータセンターの建設が世界のストレージ能力を急速に「吸い取っている」。
より高い利益を生むHBM（高帯域幅メモリ）やLPDDR5/6を生産するために、
Samsung、SKハイニックスなどの巨人はDDR4などの成熟したプロセスの生産能力を削減している。
この生産能力の移転は、車両規格メモリの供給の緊張を引き起こしている。
自動車産業にとって、DDR4などの成熟したプロセス製品は、最新世代には及ばないが、
安定性と信頼性が高く、コストがコントロール可能で、
車体制御や計器盤などの重要な部品に広く使用されている。
現在、国際的な巨人が減産する中で、これらの「旧製品」は逆に希少資源となり、価格が急騰している。
同時に、L4レベルの自動運転に対するメモリ容量の需要は指数関数的に増加している。
Micron Technologyは、将来のL4レベルの車両のメモリ需要が300GBを突破し、
現在の主流モデルの20倍になると予測している。この需要の爆発的な増加は、AIによる生産能力の圧迫と重なり、
自動車ストレージ市場は「量と価格の同時上昇」というスーパーサイクルに陥っている。
智己LS8が64GBメモリの重要性を強調し、Appleの2TBストレージの高いプレミアムを見て、
私たちが目にしているのは技術の進歩だけでなく、スマート端末がデータ処理能力を求める縮図でもある。
この「脳容量」に関する競争において、SamsungとSKハイニックスは、
先進技術における絶対的な優位性を持ち、依然として業界の価格決定権と発言権を握っている。
しかし、中国産業にとって、これは挑戦であり、機会でもある。
高端DRAM分野ではまだ差があるが、NAND FlashやNOR Flashなどの分野では、
国産チップがすでに突破口を開いている。今後、長鑫ストレージなどの企業がDRAM分野での持続的な突破を続け、
江波龍、佰維ストレージなどのモジュールメーカーが車両規格製品に深く取り組むことで、中国の自動車産業は
徐々に海外のストレージ巨人への依存から脱却できることが期待される。
結局のところ、スマート化の下半期において、ストレージという核心の命脈を掌握することが、
「自動車大国」から「自動車強国」への飛躍を実現するための唯一の方法である。