韓国連合ニュースの報道によると、英伟达（NVDA.US）の最高経営責任者（CEO）黄仁勲は3月16日に開催された年次グローバル開発者会議「2026年GTC大会」で基調講演を行い、特に三星電子に言及し、英伟达が人工知能（AI）推論チップの生産を加速するために三星に感謝を表した。この発言は、両社が晶圆代工分野で協力していることを証明している。この会議は、アメリカ加州サンノゼにあるSAPセンターで行われた。黄仁勲は講演の中でAI推論チップに言及し、三星が英伟达のために「Groq 3言語処理ユニット（LPU）」チップを生産しており、生産速度を加速していることに非常に感謝していると述べた。また、このチップは英伟达の次世代AIチッププラットフォーム「Vera Rubin」に搭載される予定であり、今年の第3四半期に量産開始される見込みである。黄仁勲の発言から、三星電子の晶圆代工部門がGroq 3 LPUチップを生産していることが見て取れる。これにより、高帯域幅メモリ（HBM）に加え、三星電子が晶圆代工分野で英伟达と協力していることが分かり、両巨頭の密接な協力関係が強調されている。三星電子は同日、会議現場で第七代HBM产品“HBM4E”、垂直堆叠芯片“核心裸片”（Core Die）を展示し、ストレージ分野における英伟达との協力の進展を積極的に宣伝した。
HBMを除き、黄仁勋は英偉達が半導体ファウンドリー分野でサムスン電子と協力しているとも述べた
韓国連合ニュースの報道によると、英伟达（NVDA.US）の最高経営責任者（CEO）黄仁勲は3月16日に開催された年次グローバル開発者会議「2026年GTC大会」で基調講演を行い、特に三星電子に言及し、英伟达が人工知能（AI）推論チップの生産を加速するために三星に感謝を表した。この発言は、両社が晶圆代工分野で協力していることを証明している。
この会議は、アメリカ加州サンノゼにあるSAPセンターで行われた。黄仁勲は講演の中でAI推論チップに言及し、三星が英伟达のために「Groq 3言語処理ユニット（LPU）」チップを生産しており、生産速度を加速していることに非常に感謝していると述べた。また、このチップは英伟达の次世代AIチッププラットフォーム「Vera Rubin」に搭載される予定であり、今年の第3四半期に量産開始される見込みである。
黄仁勲の発言から、三星電子の晶圆代工部門がGroq 3 LPUチップを生産していることが見て取れる。これにより、高帯域幅メモリ（HBM）に加え、三星電子が晶圆代工分野で英伟达と協力していることが分かり、両巨頭の密接な協力関係が強調されている。
三星電子は同日、会議現場で第七代HBM产品“HBM4E”、垂直堆叠芯片“核心裸片”（Core Die）を展示し、ストレージ分野における英伟达との協力の進展を積極的に宣伝した。