IBMとLam Researchが1nm先端ロジックプロセス開発で協力を達成

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IT之家 3月11日の報告によると、IBMは米国内時間の昨日、半導体装置メーカーのラムリサーチ(Lam Research)と、最先端の1nmロジックプロセスの開発に関して協力することを発表しました。双方の新たな5年間の契約は、新材料、先進的エッチング・堆積工程、High NA EUVリソグラフィの共同開発に焦点を当てています。

IT之家が得た情報によると、両社はIBMオールバニ研究所の先端研究能力とラムリサーチのエンドツーエンドの工程ツールおよび革新的技術を融合させ、ナノシートやナノスタックデバイス、背面給電を含む完全な工程フローの構築と検証を行います。これらの能力は、High NA EUVパターンを実際のデバイス層に確実に転写し、高い歩留まりを実現するとともに、微細化の継続、性能向上、将来のロジックデバイスの実用的な大量生産ルートを支援することを目的としています。

IBM半導体事業本部長のMukesh Khareは述べています:

「10年以上にわたり、ラムリサーチはIBMの重要なパートナーであり、ナノシート技術や2021年に発表した世界初の2nmノードチップなど、ロジックの微細化やデバイスアーキテクチャにおいて重要な突破口に貢献してきました。私たちは協力を拡大し、次の段階の課題に共同で取り組むことを非常に喜ばしく思います。これにより、高NA EUVリソグラフィ技術と1nm未満のノードプロセスの実現を目指します。」

ラムリサーチの最高技術責任者兼サステナビリティ担当のVahid Vahediは述べています:

「業界が3D微細化の新時代に入る中、進歩は材料、工程、リソグラフィ技術を一つの高密度システムに再統合する方法を再考することにかかっています。私たちは、IBMとの成功した協力を土台に、High NA EUV乾式リソグラフィの新技術と工程の突破をさらに推進し、低消費電力で高性能なトランジスタの開発を加速させることに誇りを持っています。これはAI時代にとって極めて重要です。」

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