中国、極紫外線リソグラフィーで画期的な進展を達成、ASMLの半導体支配に挑戦

中国は、極紫外線（EUV）リソグラフィー機のプロトタイプを成功裏に開発し、半導体完全自立に向けた国家の取り組みで重要な節目を迎えました。ロイターによると、このプロトタイプは深圳で製造され、外国のサプライチェーン依存から脱却することを目的とした6年にわたる政府支援のイニシアチブの集大成です。この成果は、長らく一つの技術大手が圧倒的な優位を保ってきた世界のチップ製造の状況に変化をもたらす可能性を示しています。

技術独占の終焉：中国のEUV達成の意義

これまで、オランダのASMLは、世界最先端の半導体を製造するために必要な重要なツールであるEUV技術にほぼ独占的に関与してきました。同社のEUVリソグラフィーシステムは一台あたり約2億5000万ドルと高価であり、TSMC、インテル、サムスンなどのチップメーカーにとって不可欠な資産です。これらの機械は、NvidiaやAMDが設計した最先端プロセッサの生産工程の基盤となっています。中国がEUVプロトタイプの開発に成功したことは、この長年の独占状態に挑戦し、西洋の技術供給者への依存を減らす可能性を示しています。

ASMLの2億5000万ドルのEUV機とチップ自立への競争

中国のプロトタイプは、EUV光の生成に成功し、テスト段階に入っていますが、まだ実用的なチップの生産には至っていません。業界筋によると、このプロジェクトは複数の研究機関やサプライヤーが連携して取り組み、華為技術（Huawei）が中心的な調整役を果たしたといいます。元ASMLのエンジニアも、システムの重要な部品のリバースエンジニアリングに関与したと報じられています。中国当局は、コストの高い外国輸入に頼らずに高度なチップを製造できる完全自国製のEUVシステムを開発することを明確に掲げており、半導体生産の自立を目指しています。

プロトタイプから量産へ：中国のEUVチップ製造のスケジュール

開発のロードマップは、2028年と2030年を目標とした本格的な量産能力の達成を見据えています。技術アナリストは、この政府主導の取り組みを、中国版マンハッタン計画に例えています。これは、技術革新を目指す大規模な国家的努力です。プロトタイプ段階は大きな進展を示していますが、商業規模のEUV生産には依然として技術的な課題が残っています。しかし、EUV技術をASMLのエコシステム外でも再現・開発できることが証明されたことで、中国の野心的なスケジュールは従来考えられていたよりも実現可能性が高まり、今後数年で世界の半導体供給チェーンに変革をもたらす可能性があります。