Samsung Electronics is planning to mass-produce SiC power semiconductor samples in the third quarter.

サムスン電子は、今年の第3四半期にSiC(炭化ケイ素)パワー半導体のサンプルの量産を計画しており、最近原材料や部品を注文した。報告によると、同社が量産を開始する最初のサンプルは平面型のSiC MOSFETである。MOSFETは、電子信号のスイッチングや増幅に用いられるトランジスタである。(科創板日報)

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