SKハイニックス、2029年の生産開始に向けインディアナ州で40億ドル超のHBM施設建設に着工
SKハイニックスは現地時間5月27日、インディアナ州ウェストラファイエットにあるパデュー大学で起工式を開催した。40億ドル超を投じるこの施設は、米国初の高帯域幅メモリ(HBM)生産拠点となる。次世代HBMの量産は2029年下半期に開始される予定だ。このプロジェクトは、韓国と米国の生産体制を連携させることで、米国におけるAI半導体サプライチェーンの強化を目指している。SKハイニックスは、韓国で生産した最先端ウェハーをインディアナ州の施設に輸送し、高度なパッケージングとテストを行った後、米国の顧客に供給する。 SKハイニックス、2028年10月のクリーンルーム完成と2029年の生産開始を計画 インディアナ州の施設では、2028年10月にクリーンルームが完成する予定だ。次世代HBMの量産は2029年下半期に開始される。インディアナ州の工場で製造される製品は、第7世代のHBM4Eになる見込みだ。生産が本格化すれば、施設の従業員数は1,000人を超え、米国初のHBM生産拠点となる。 SKハイニックス、パッケージングとテストのため韓国製ウェハーをインディアナ州へ輸送 SKハイニックスは、韓国で生産
LucasBennett·08-27 23:38
