Samsung dan Nvidia Percepat Pengembangan NAND Flash Generasi Berikutnya

Menurut laporan harian ekonomi Korea Selatan 《Seoul Economic Daily》 yang mengutip kabar dari sumber industri yang tidak disebutkan namanya, Samsung Electronics sedang bekerja sama dengan NVIDIA untuk mempercepat riset pengembangan chip memori flash NAND generasi berikutnya. Tim riset gabungan dari Samsung Semiconductor Research Institute, NVIDIA, dan Georgia Institute of Technology telah mengembangkan model “operator physical information neural network”. Kecepatan model tersebut dalam menganalisis kinerja perangkat flash memori NAND berbasis feroelektrik (ferroelectric) lebih cepat dari model yang ada saat ini, lebih dari 10k kali, dan telah memublikasikan hasil penelitian. Berdasarkan hasil penelitian tersebut, Samsung sedang bekerja sama dengan NVIDIA untuk mengembangkan dan mengkomersialkan flash NAND berbasis feroelektrik. (Finance and Economics)

Lihat Asli
Halaman ini mungkin berisi konten pihak ketiga, yang disediakan untuk tujuan informasi saja (bukan pernyataan/jaminan) dan tidak boleh dianggap sebagai dukungan terhadap pandangannya oleh Gate, atau sebagai nasihat keuangan atau profesional. Lihat Penafian untuk detailnya.
  • Hadiah
  • Komentar
  • Posting ulang
  • Bagikan
Komentar
Tambahkan komentar
Tambahkan komentar
Tidak ada komentar
  • Sematkan