Viện Hàn lâm Khoa học Trung Quốc: Đột phá quan trọng trong công nghệ pin sạc nhanh phospho đen, mở ra con đường công nghệ hoàn toàn mới

Khi nhu cầu về pin sạc siêu nhanh và pin dung lượng cao cho xe điện mới và hệ thống lưu trữ năng lượng quy mô lớn ngày càng cấp thiết, hiệu suất pin của vật liệu cực âm graphit truyền thống đã gần đạt giới hạn lý thuyết. Gần đây, nhóm nghiên cứu của Viện Kỹ thuật Điện của Viện Hàn lâm Khoa học Trung Quốc do Ma Yanwei đứng đầu đã thành công vượt qua giới hạn công nghệ này, đề xuất chiến lược kỹ thuật hóa liên kết lưới phospho-nitơ (P N) một cách sáng tạo, giúp ổn định quá trình sạc xả của vật liệu cực âm phosphor đen ở tốc độ cực cao, có ý nghĩa quan trọng trong thúc đẩy ứng dụng thực tế của pin sạc nhanh dựa trên BP. Nhóm đã thành công chế tạo pin mềm có cực âm là phosphor đen, cực dương là lithium iron phosphate, năng lượng riêng đạt 282 watt giờ trên mỗi kilogram. Pin này chỉ cần 10 phút để sạc đến 80% dung lượng lý thuyết dưới điều kiện sạc tốc độ cao, và vẫn có thể hoạt động ổn định sau hàng nghìn chu kỳ sạc xả, thể hiện khả năng bền bỉ vượt trội trong chu kỳ sạc nhanh. Thành tựu này mở ra con đường công nghệ hoàn toàn mới cho các thiết bị lưu trữ năng lượng có mật độ năng lượng cao và công suất lớn thế hệ tiếp theo, cung cấp hỗ trợ quan trọng cho việc nâng cấp và đổi mới pin động lực sạc nhanh của Trung Quốc, lưu trữ năng lượng mạng lưới và thiết bị lưu trữ đặc biệt có tốc độ cao. (Tài chính Nhân dân)