Samsung Electronics đẩy nhanh nghiên cứu và phát triển bộ nhớ băng thông cao thế hệ tiếp theo, đợt sản xuất đầu tiên của HBM4E sẽ bắt đầu vào tháng 5

Thông tin từ Mars Finance ngày 17 tháng 4, theo báo cáo, Samsung Electronics đang thúc đẩy toàn lực quá trình nghiên cứu và phát triển sản phẩm bộ nhớ băng thông cao thế hệ tiếp theo (HBM), nhằm củng cố lợi thế của mình trên thị trường bộ nhớ trí tuệ nhân tạo cao cấp. Báo cáo cho biết, Samsung Electronics dự kiến sớm nhất vào tháng 5 năm 2026 sẽ sản xuất ra những mẫu HBM4E phù hợp tiêu chuẩn của Nvidia. Các chuyên gia trong ngành tiết lộ, Samsung có kế hoạch rõ ràng và chặt chẽ về thời gian. Mục tiêu của họ là trong nửa cuối tháng tới, bộ phận gia công sẽ thành công sản xuất mẫu các chip logic cốt lõi của HBM4E. (Quan sát toàn cảnh)

Xem bản gốc
Trang này có thể chứa nội dung của bên thứ ba, được cung cấp chỉ nhằm mục đích thông tin (không phải là tuyên bố/bảo đảm) và không được coi là sự chứng thực cho quan điểm của Gate hoặc là lời khuyên về tài chính hoặc chuyên môn. Xem Tuyên bố từ chối trách nhiệm để biết chi tiết.
  • Phần thưởng
  • Bình luận
  • Đăng lại
  • Retweed
Bình luận
Thêm một bình luận
Thêm một bình luận
Không có bình luận
  • Ghim