“Kiên nhẫn vốn” đã đồng hành hơn một thập kỷ, Zhao Jianhui cuối cùng đón nhận khoảnh khắc IPO rực rỡ! Hàn Tiên Tiến trở thành người nắm giữ 12 inch wafer silicon carbide phát hành toàn cầu, làm thế nào để vượt qua chu kỳ trong quá trình điều chỉnh ngành?

Hỏi AI · 12 inch tấm wafer silicon carbide (SiC) ra mắt toàn cầu đầu tiên sẽ tái định hình hệ sinh thái ngành như thế nào?

Khi một cựu sinh viên Khoa Vật lý của Đại học Hạ Môn, 66 tuổi, gõ chuông niêm yết tại Hồng Kông, ai có thể ngờ rằng phía sau đó lại là một giấc mơ phụng sự khoa học – công nghệ trải dài 15 năm? Ngày 30 tháng 3, Hantian Tiancheng đã niêm yết trên Sở giao dịch Chứng khoán Hồng Kông, tăng giá mạnh 44,24% ngay từ đầu phiên, vốn hóa đạt hơn 463kỉ HKD. Hiệu suất thị trường này đã thu hút sự chú ý của bên ngoài đối với sự phát triển của ngành bán dẫn thế hệ thứ ba của Trung Quốc, đồng thời đưa Hantian Tiancheng – một doanh nghiệp wafer epitaxy silicon carbide có trụ sở tại Hạ Môn – bước vào tầm nhìn công chúng.

Từ nghiên cứu học thuật đến thực tiễn công nghiệp

Năm 2010, Zhao Jianhui, khi ấy 51 tuổi, quyết định từ chức vị trí giáo sư biên chế tại Đại học Rutgers ở Mỹ và trở về nước khởi nghiệp. Zhao Jianhui là học giả trong lĩnh vực nghiên cứu vật liệu silicon carbide; ông từng nhận danh hiệu IEEE Fellow nhờ các thành tựu nghiên cứu trong lĩnh vực này. Ông lấy bằng tiến sĩ về Kỹ thuật Điện và Khoa học Máy tính tại Đại học Carnegie Mellon vào năm 1988, sau đó ở Mỹ tiến hành nghiên cứu công nghệ silicon carbide hơn 20 năm.

Zhao Jianhui tốt nghiệp sớm từ Khoa Vật lý, Đại học Hạ Môn. Năm 2011, với sự hỗ trợ của chính quyền thành phố Hạ Môn và Khu phát triển công nghệ cao Hạ Môn Torch Hi-Tech, ông thành lập Hantian Tiancheng, tập trung vào nghiên cứu phát triển và sản xuất wafer epitaxy silicon carbide. Lúc đó, thị trường wafer epitaxy silicon carbide trong nước vẫn còn ở giai đoạn sơ khai, chuỗi cung ứng chưa hoàn chỉnh, và thiết bị quan trọng cùng nguyên liệu đầu vào chủ yếu phụ thuộc vào nhập khẩu.

Trong giai đoạn đầu khởi nghiệp, nhóm gặp phải nhiều thách thức như quy trình sản xuất phức tạp, chi phí thiết bị cao, và khó cải thiện tỷ lệ đạt chuẩn (yield). Hantian Tiancheng bắt đầu từ wafer epitaxy silicon carbide 3 inch, rồi từng bước thúc đẩy nghiên cứu phát triển công nghệ. Năm 2012, công ty cho ra mắt loạt wafer epitaxy silicon carbide 3 inch và 4 inch thương mại hóa đầu tiên trong nước, lấp đầy khoảng trống trong lĩnh vực liên quan tại Trung Quốc.

Đổi mới công nghệ và mở rộng thị trường

Trong những năm tiếp theo, Hantian Tiancheng tiếp tục đẩy mạnh nâng cấp kích thước sản phẩm. Năm 2014, công ty đạt được sản xuất thương mại wafer epitaxy silicon carbide 6 inch, trở thành một trong số ít doanh nghiệp trên toàn cầu thời điểm đó có năng lực sản xuất hàng loạt 6 inch.

Bước nhảy kỹ thuật từ 6 inch lên 8 inch kéo dài gần mười năm. Trong giai đoạn này, công ty liên tục đầu tư vào tối ưu hóa quy trình, chạy thử thiết bị và kiểm soát chất lượng. Năm 2023, Hantian Tiancheng trở thành doanh nghiệp đầu tiên trên thế giới đạt sản xuất số lượng lớn wafer epitaxy silicon carbide 8 inch để cung cấp cho thị trường (bán/ngoại cung hàng loạt). Theo bài báo ngày 24/12/2025 của Fujian Daily, Hantian Tiancheng dựa vào đội ngũ R&D tự lực đột phá công nghệ, thành công phát triển wafer epitaxy silicon carbide 12 inch chất lượng cao đầu tiên trên thế giới. Đột phá này sẽ nâng đáng kể hiệu suất sản xuất các linh kiện công suất ở hạ nguồn, đồng thời giảm mạnh chi phí sản xuất đơn vị của chip silicon carbide, đặt nền tảng quan trọng cho việc ứng dụng quy mô lớn và chi phí thấp trong ngành silicon carbide.

Hiện tại, khách hàng của Hantian Tiancheng bao gồm 4 trong số 5 nhà sản xuất linh kiện công suất silicon carbide hàng đầu thế giới và 7 trong số 10 nhà sản xuất hàng đầu. Theo thông tin công bố trong bản cáo bạch, sản phẩm của công ty đã có 3 khách hàng đi vào chuỗi cung ứng của trung tâm dữ liệu AI của NVIDIA. Theo báo cáo nghiên cứu của Zhishang Consulting, năm 2023, công ty đã trở thành nhà cung cấp wafer epitaxy silicon carbide có quy mô lớn nhất trên toàn cầu; năm 2024, thị phần toàn cầu vượt 31%.

Sự hỗ trợ dài hạn từ vốn nhà nước địa phương

Sự phát triển của Hantian Tiancheng gắn liền mật thiết với bố cục công nghiệp của Khu công nghiệp Hạ Môn Torch Hi-Tech. Từ năm 2007, khu này đã triển khai công tác ươm tạo và bồi dưỡng xung quanh ngành công nghiệp mạch tích hợp (IC), đồng thời cung cấp cho các doanh nghiệp liên quan hỗ trợ về trang bị công nghiệp và chính sách.

Ở phương diện vốn, các nền tảng đầu tư nhà nước của Hạ Môn đã cung cấp cho Hantian Tiancheng nhiều đợt hỗ trợ tài chính. Từ giai đoạn đầu là Gaoxin Tou và Torch Group, đến giai đoạn sau như Kim Yuan Group và ICBC Investment, vốn nhà nước tiếp tục tham gia ở các giai đoạn phát triển khác nhau của công ty. Tháng 12/2024, Hantian Tiancheng hoàn tất vòng tài trợ Pre-IPO trị giá 1.14Bỉ nhân dân tệ, đặt nền tảng cho việc niêm yết.

Ngày giao dịch đầu tiên, vốn hóa của công ty đạt hơn 45 tỉ HKD. Theo tỷ lệ nắm giữ 28,85%, phần cổ phần mà Zhao Jianhui nắm giữ tương ứng với vốn hóa hơn 974Mỉ HKD.

Biến động kết quả kinh doanh và điều chỉnh ngành

Dữ liệu tài chính của Hantian Tiancheng cho thấy trong những năm gần đây, kết quả kinh doanh của công ty có một mức độ biến động. Từ năm 2022 đến 2024, doanh thu của công ty lần lượt là 13Bỉ nhân dân tệ, 1.03Bỉ nhân dân tệ và 1.56Bỉ nhân dân tệ. Biên lợi nhuận gộp giảm từ 44,7% năm 2022 xuống còn 34,1% năm 2024, và đến 9 tháng đầu năm 2025 tiếp tục giảm xuống 25,6%.

Sự thay đổi này liên quan đến chu kỳ chung của ngành silicon carbide. Trong những năm gần đây, công suất toàn ngành mở rộng nhanh, cạnh tranh thị trường gia tăng, và giá sản phẩm có xu hướng giảm. Giá wafer epitaxy 6 inch đã giảm từ năm 2020. Đồng thời, một số doanh nghiệp do chịu áp lực vận hành đã rút khỏi thị trường. Tháng 12/2024, doanh nghiệp silicon carbide Century Jinguang trong nước đã bước vào thủ tục phá sản. Năm 2025, tin tức cho biết các nhà sản xuất silicon carbide toàn cầu như Wolfspeed cũng chịu áp lực kinh doanh gia tăng.

Trong bản cáo bạch, Hantian Tiancheng cho biết việc điều chỉnh hiện tại của ngành thuộc dạng điều chỉnh mang tính giai đoạn trong chu kỳ của ngành bán dẫn, và dự kiến thị trường sẽ dần phục hồi vào nửa cuối năm 2026.

Triển vọng thị trường và mục đích huy động vốn

Theo dự báo của Zhishang Consulting, quy mô thị trường linh kiện công suất silicon carbide toàn cầu sẽ tiếp tục tăng trưởng nhanh, dự kiến trong vài năm tới sẽ đạt mức hàng chục tỉ USD, với tốc độ tăng trưởng kép gần 40%. Xe điện mới, năng lượng tái tạo, hệ thống lưu trữ năng lượng và các trung tâm dữ liệu AI được xem là động lực tăng trưởng chính.

Lần IPO lần này của Hantian Tiancheng dự kiến huy động khoảng 441Mỉ HKD; kế hoạch sử dụng 71% để mở rộng công suất, dự kiến đến năm 2029, công suất năm của chip silicon carbide 8 inch sẽ tăng lên 463k tấm; 19% dùng cho nghiên cứu và phát triển công nghệ, tập trung thúc đẩy công nghiệp hóa sản phẩm 12 inch và nghiên cứu quy trình cho vật liệu mới.

Thách thức và triển vọng

Dù Hantian Tiancheng đã đạt được tiến triển trong nghiên cứu phát triển công nghệ và công nghiệp hóa, công ty vẫn phải đối mặt với nhiều thách thức. Về mặt công nghệ, việc sản xuất hàng loạt quy mô lớn sản phẩm 12 inch vẫn cần thêm thời gian; về mặt thị trường, doanh thu từ 5 khách hàng hàng đầu chiếm hơn 80%, mức độ tập trung khách hàng cao, tồn tại rủi ro vận hành nhất định.

Lộ trình trưởng thành của Hantian Tiancheng phản ánh một mô hình thực tiễn của ngành bán dẫn thế hệ thứ ba của Trung Quốc trong việc đồng bộ hóa giữa đột phá công nghệ, hỗ trợ vốn và phối hợp hệ sinh thái công nghiệp theo khu vực. Trong bối cảnh điều chỉnh mang tính chu kỳ của ngành và cạnh tranh toàn cầu gia tăng, liệu doanh nghiệp có thể tiếp tục duy trì vị trí dẫn đầu về công nghệ và đạt vận hành ổn định hay không, vẫn cần thị trường tiếp tục kiểm chứng.