Cơ bản
Giao ngay
Giao dịch tiền điện tử một cách tự do
Giao dịch ký quỹ
Tăng lợi nhuận của bạn với đòn bẩy
Chuyển đổi và Đầu tư định kỳ
0 Fees
Giao dịch bất kể khối lượng không mất phí không trượt giá
ETF
Sản phẩm ETF có thuộc tính đòn bẩy giao dịch giao ngay không cần vay không cháy tải khoản
Giao dịch trước giờ mở cửa
Giao dịch token mới trước niêm yết
Futures
Truy cập hàng trăm hợp đồng vĩnh cửu
TradFi
Vàng
Một nền tảng cho tài sản truyền thống
Quyền chọn
Hot
Giao dịch với các quyền chọn kiểu Châu Âu
Tài khoản hợp nhất
Tối đa hóa hiệu quả sử dụng vốn của bạn
Giao dịch demo
Giới thiệu về Giao dịch hợp đồng tương lai
Nắm vững kỹ năng giao dịch hợp đồng từ đầu
Sự kiện tương lai
Tham gia sự kiện để nhận phần thưởng
Giao dịch demo
Sử dụng tiền ảo để trải nghiệm giao dịch không rủi ro
Launch
CandyDrop
Sưu tập kẹo để kiếm airdrop
Launchpool
Thế chấp nhanh, kiếm token mới tiềm năng
HODLer Airdrop
Nắm giữ GT và nhận được airdrop lớn miễn phí
Launchpad
Đăng ký sớm dự án token lớn tiếp theo
Điểm Alpha
Giao dịch trên chuỗi và nhận airdrop
Điểm Futures
Kiếm điểm futures và nhận phần thưởng airdrop
Đầu tư
Simple Earn
Kiếm lãi từ các token nhàn rỗi
Đầu tư tự động
Đầu tư tự động một cách thường xuyên.
Sản phẩm tiền kép
Kiếm lợi nhuận từ biến động thị trường
Soft Staking
Kiếm phần thưởng với staking linh hoạt
Vay Crypto
0 Fees
Thế chấp một loại tiền điện tử để vay một loại khác
Trung tâm cho vay
Trung tâm cho vay một cửa
Chứng khoán CITIC: Liên tục lạc quan về xu hướng tăng trưởng sáng tạo trong lưu trữ
Công ty Chứng khoán CITIC trong báo cáo nghiên cứu cho biết: ở thời đại Agent AI, năng lực lưu trữ là cốt lõi, thúc đẩy ngành lưu trữ bước vào sự chuyển đổi mô thức theo chu kỳ dài. Về cung-cầu, suy luận AI kéo theo mức tiêu hao Token tăng mạnh, KV Cache cũng tăng theo cấp số tuyến tính; nhu cầu bùng nổ và việc mở rộng công suất của các nhà sản xuất gốc bị lệch pha khiến tình trạng khan hàng trở nên thường trực. Dự kiến tình trạng cung không đáp ứng sẽ kéo dài đến năm 2027, việc tăng giá sẽ diễn ra xuyên suốt toàn bộ năm 2026. Về mặt kỹ thuật, trong bối cảnh HBM và DRAM cực kỳ khan hiếm và chi phí cao, các nhà sản xuất chia sẻ các giải pháp đổi mới NAND, nhằm chia sẻ áp lực về nhu cầu dung lượng bộ nhớ hiển thị. Chúng tôi tiếp tục đánh giá cao xu hướng tăng trưởng nhờ đổi mới của ngành lưu trữ.
Toàn văn như sau
Lưu trữ|Nhìn từ Hội nghị Thị trường Flash để thấy xu hướng phát triển của lưu trữ
Ở thời đại Agent AI, năng lực lưu trữ là cốt lõi, thúc đẩy ngành lưu trữ bước vào sự chuyển đổi mô thức theo chu kỳ dài. Về cung-cầu, suy luận AI kéo theo mức tiêu hao Token tăng mạnh, KV Cache cũng tăng theo cấp số tuyến tính; nhu cầu bùng nổ và việc mở rộng công suất của các nhà sản xuất gốc bị lệch pha khiến tình trạng khan hàng trở nên thường trực. Dự kiến tình trạng cung không đáp ứng sẽ kéo dài đến năm 2027, việc tăng giá sẽ diễn ra xuyên suốt toàn bộ năm 2026. Về mặt kỹ thuật, trong bối cảnh HBM và DRAM cực kỳ khan hiếm và chi phí cao, các nhà sản xuất chia sẻ các giải pháp đổi mới NAND, nhằm chia sẻ áp lực về nhu cầu dung lượng bộ nhớ hiển thị. Chúng tôi tiếp tục đánh giá cao xu hướng tăng trưởng nhờ đổi mới của ngành lưu trữ.
▍ Năm 2026, Hội nghị Thị trường Flash Trung Quốc được tổ chức, tập trung vào cơ hội đổi mới lưu trữ thời đại AI và nâng cấp chuỗi công nghiệp.
Ngày 27 tháng 3 năm 2026, CFMS MemoryS 2026—sự kiện thường niên lớn của ngành lưu trữ toàn cầu—được tổ chức tại Thâm Quyến. Với vai trò là hội nghị cấp độ “điểm báo xu hướng” của ngành, chủ đề cốt lõi của kỳ này là “Xuyên qua chu kỳ, giải phóng giá trị”, tập trung sâu vào đổi mới công nghệ và nâng cấp phối hợp chuỗi công nghiệp, thu hút hàng chục doanh nghiệp đầu ngành trên toàn cầu tham gia như Samsung Electronics, JMicron Technology, Kioxia, Solidigm, Intel, Tencent Cloud, v.v., bao phủ toàn bộ chuỗi công nghiệp từ nhà sản xuất chip lưu trữ gốc, thiết kế bộ điều khiển, sản xuất module đến các dịch vụ trên đám mây. Hội nghị vận hành song song hai kênh là diễn đàn cấp cao và triển lãm công nghệ; trong quá trình diễn tiến đã thảo luận các triển vọng xu hướng vĩ mô, tập trung vào bùng nổ nhu cầu năng lực lưu trữ khi Token/KV Cache tăng vọt trong thời đại Agent AI, khai thác các cuộc thảo luận tiên phong về các đột phá công nghệ lưu trữ như PCIe 5.0/6.0 SSD, công nghệ QLC dung lượng cực lớn và những biến đổi đổi mới lưu trữ khác dưới tác động của AI; đồng thời trình diễn hơn 100 hạng mục sản phẩm đổi mới.
▍ Suy luận AI thúc đẩy bùng nổ nhu cầu lưu trữ, tình trạng “lệch cấu trúc” trở nên thường trực; dự kiến tình trạng cung không đáp ứng sẽ ít nhất kéo dài đến năm 2027, việc tăng giá sẽ diễn ra xuyên suốt toàn bộ năm 2026.
Phía nhu cầu: Theo dữ liệu của CFM Trung Quốc về thị trường flash, năm 2026, lượng xuất xưởng máy chủ tăng trưởng theo năm +15%; tỷ trọng máy chủ AI trong tổng lượng xuất xưởng máy chủ sẽ vượt 20%. Khi các mô hình lớn chuyển từ giai đoạn huấn luyện sang giai đoạn suy luận, việc ứng dụng Agent bùng nổ khiến lượng tiêu hao Token tăng mạnh. Khi độ dài chuỗi tăng từ 1k lên 128k token, dung lượng KV Cache từ mức 0.5GB tăng lên 64GB (BF/FP16, mỗi yêu cầu). Với bối cảnh chuỗi dài + mức độ đồng thời cao, nhu cầu lưu trữ theo token/số lượng đồng thời sẽ bùng nổ tuyến tính. CFM dự báo dung lượng HBM năm 2025/2026 lần lượt tăng theo năm +90%/35% trở lên; đồng thời, việc KV Cache đi xuống (downstream) kết hợp với tình trạng thiếu cung HDD dẫn đến nhu cầu tràn sang eSSD khiến eSSD trở thành hạ nguồn NAND lớn nhất vào năm 2026 (tỷ trọng tăng lên 37%).
Phía cung: Lệch pha chu kỳ mở rộng công suất, việc khan hàng và tăng giá sẽ kéo dài lâu dài. Các nhà sản xuất lưu trữ nhìn chung áp dụng chiến lược “giữ ổn định giá”, đưa công suất tiên tiến ưu tiên vào các sản phẩm lưu trữ cho AI có biên lợi nhuận gộp cao. Theo CFM, tỷ trọng công suất DRAM tương đối cao cấp như HBM/DDR5/LP5X/6 tăng từ dưới 50% năm 2024 lên 85%+ vào năm 2026. Công suất quy trình trưởng thành và công suất cấp tiêu dùng tiếp tục bị chèn ép; tồn kho ngành giảm từ 10~12 tuần năm 2023, xuống 8~10 tuần năm 2024, đến 4 tuần vào năm 2026, giảm xuống dưới mức an toàn lịch sử. Chu kỳ mở rộng công suất của lưu trữ kéo dài 18~24 tháng, nên không thể xuất hiện bước ngoặt về cung ở nửa cuối năm 2026. JMicron Technology cho rằng năm 2027 mới là “thời khắc tăm tối” của tình trạng thiếu hàng lưu trữ. Từ nửa sau năm 2025 trở đi, giá lưu trữ sẽ bước vào mức tăng mang tính “sử thi”; CFM dự báo ASP của DRAM và NAND sẽ tiếp tục tăng trong suốt năm 2026. Với năng lực lưu trữ làm lõi trong thời đại suy luận AI, ngành lưu trữ bước vào sự chuyển đổi mô thức theo chu kỳ dài; để tăng trưởng siêu mạnh, không phải là phản ứng bật lại theo chu kỳ.
▍ Chuỗi công nghiệp lưu trữ tăng tốc tái cấu trúc giá trị.
Tại hội nghị GTC gần đây, Nvidia nhấn mạnh đề xuất “Token factory economics”. Ý nghĩa cốt lõi của điều này là củng cố vị trí chiến lược của lưu trữ trong hạ tầng AI, đồng thời cũng đồng nghĩa trần lợi nhuận của ngành lưu trữ sẽ được mở dài hạn. Theo dữ liệu CFM, ASP sản phẩm eSSD ở Q1/2026 đã đạt hơn 2 lần ASP của NAND cấp tiêu dùng. Đối với các nhà sản xuất lưu trữ, trọng tâm nằm ở nâng cấp môi chất và tái cấu trúc ở cấp kiến trúc hệ thống; bài phát biểu tại diễn đàn lần này chủ yếu tập trung vào thị trường doanh nghiệp. Đối với các nhà cung cấp giải pháp lưu trữ, trọng tâm ngành chuyển từ “xem ai rẻ hơn” sang “xem ai có thể lấy được hàng”. Đồng thời, các doanh nghiệp đầu ngành như Phison Electronic đang tăng tốc chuyển đổi sang các “module tùy biến giá trị gia tăng cao” dựa trên năng lực tự nghiên cứu bộ điều khiển; đồng thời mở rộng SSD cho doanh nghiệp nhằm định nghĩa lại giá trị lưu trữ, thoát khỏi mô hình phụ thuộc truyền thống vào tồn kho giá thành thấp.
▍ Xu hướng lưu trữ AI trên đám mây (doanh nghiệp): bùng nổ QLC dung lượng lớn và tiến hóa nhanh của giao diện, tái định hình “động cơ” tính toán.
AI đang tăng tốc chuyển từ giai đoạn “huấn luyện” sang giai đoạn “suy luận”. Tỷ lệ giữa máy chủ suy luận và máy chủ huấn luyện trong tương lai dự kiến có thể đạt từ 10:1 đến 50:1. Hiện nay, do bị giới hạn bởi nút thắt băng thông lưu trữ, mức khả dụng của các cụm GPU (tỷ lệ sử dụng) chỉ khoảng 46% đến 50%. Việc nâng cấp bộ nhớ hiển thị (VRAM) là nhu cầu cốt lõi; đồng thời tại hội nghị lần này, nhiều nhà sản xuất chia sẻ chức năng phân phối lại tài nguyên trong phối hợp tính toán và lưu trữ. Vai trò của eSSD đang chuyển từ “bộ chứa dữ liệu thụ động” sang “động cơ tính toán” cốt lõi và “lớp bộ nhớ mở rộng”: ở phía huấn luyện, nhờ eSSD QLC dung lượng cực lớn lưu trữ Checkpoint có thể nâng cao đáng kể hiệu suất vận hành của GPU; ở phía suy luận, eSSD đảm nhiệm các nhiệm vụ như quản lý trạng thái bối cảnh khổng lồ, truy vấn cơ sở dữ liệu vector và tải phân mảnh mô hình thông qua caching theo tầng của KV Cache. Dữ liệu thực nghiệm cho thấy, khi dỡ KV cache sang SSD và loại bỏ tính toán prefill, thời gian tạo token đầu tiên (TTFT) có thể giảm 41 lần. Lưu trữ cấp doanh nghiệp đang thể hiện các xu hướng kỹ thuật sau:
Trước nhu cầu “tràn bộ nhớ đệm” do khối lượng dữ liệu AI khổng lồ và KV Cache, QLC mật độ cao trở thành môi chất then chốt; các giải pháp QLC dung lượng cực lớn cỡ trăm TB được xem là lựa chọn ưu tiên. Kioxia (245.76TB), Đại Phổ Vi (245TB) và SanDisk (giải pháp SN670 lên đến 256TB) cũng lần lượt trưng bày các sản phẩm QLC dung lượng siêu lớn vượt ngưỡng hai trăm TB, tối ưu hóa đáng kể hiệu quả không gian và TCO.
Bộ điều khiển chip hướng tới “phối hợp mềm và cứng”, bù đắp điểm yếu của môi chất. Đối với bối cảnh suy luận, do KV Cache gây ra tần suất đọc/ghi ngẫu nhiên cao và áp lực băng thông, bộ điều khiển chip đang chủ động nâng cấp. Ping Tou Ge Zhen Yue 510 hỗ trợ nguyên sinh giao thức ZNS và phối hợp ở cấp hệ thống, hỗ trợ QLC triển khai thương mại hóa quy mô lớn, lũy kế xuất hàng hơn 500,000 chip; LianYun Technology thì đưa vào các công nghệ như “KV acceleration engine”, “predictive prefetch” để biến bộ điều khiển từ “người vận chuyển dữ liệu” thành một “bộ điều phối tài nguyên thông minh” chủ động.
Tốc độ lặp nhanh của giao diện và đổi mới làm mát bằng chất lỏng, thích ứng với cụm GPU siêu lớn 100,000 thẻ. Hướng tới các cụm từ hàng nghìn, hàng vạn đến quy mô 100,000 thẻ, đối mặt với thách thức về thông lượng dữ liệu khổng lồ và tỏa nhiệt mật độ cao. Samsung trưng bày ổ SSD trạng thái rắn PCIe 6.0 16 kênh PM1763, hiệu năng đầu vào/đầu ra tăng theo bước nhảy 2.0 lần; FADU đã tape-out (đã ghi mẫu) bộ điều khiển PCIe Gen6 “Lhotse”, hiệu năng đọc tuần tự sẽ đạt 28.5GB/s.
▍ Xu hướng lưu trữ AI cho thiết bị đầu cuối (cấp tiêu dùng): AI tăng tốc ở đầu thiết bị được triển khai, hòa trộn tính toán và lưu trữ giúp giải bài toán “nút thắt” chiếm dụng bộ nhớ.
Môi trường ở thiết bị đầu cuối cực kỳ khắt khe đối với chi phí BOM phần cứng, mức tiêu hao điện năng của hệ thống và dung lượng bộ nhớ DRAM sử dụng; vì vậy, thông qua “hòa trộn tính toán và lưu trữ”, điều phối thông minh phần mềm/phần cứng và các công nghệ cache cấp cao, việc chuyển áp lực suy luận từ bộ nhớ (DRAM) sang bộ nhớ flash (NAND) trở thành một bổ sung quan trọng để vượt qua nút thắt triển khai mô hình lớn ở phía thiết bị đầu cuối hiện nay.
AI PC và mô hình lớn tại chỗ: Công nghệ Hybrid lai giảm áp lực bùng nổ nhu cầu dung lượng DRAM. Khi chạy mô hình lớn hàng chục tỷ hoặc hàng trăm tỷ tham số trên thiết bị đầu cuối, yêu cầu về bộ nhớ là bài toán cực lớn. Jiangbo Long giới thiệu bộ xử lý lưu trữ (storage processing unit) tích hợp SPU 5nm và “iSA storage intelligent agent”; trong quá trình liên hợp tối ưu/kiểm chứng, họ đạt triển khai cục bộ mô hình 397B trên máy PC, và trong kịch bản ngữ cảnh 256K giảm gần 40% dung lượng DRAM sử dụng; Phison Electronics giới thiệu Phison Hybrid AI SSD và công nghệ aiDAPTIV+, dự kiến có thể giảm hơn 50% dung lượng DRAM sử dụng, giúp chi phí kiểm soát được và suy luận cục bộ an toàn.
Xe thông minh và điện toán biên: Hướng tới kiến trúc “bể tập trung” trung tâm và nền tảng thống nhất. Tính “hiểu biết trong thân thể” (embodied intelligence) và điều khiển lái cấp cao đặt ra yêu cầu phối hợp tổng thể cho kiến trúc nền. Xpeng Motors nêu rõ: trong điều kiện năng lực tính toán cao nhất tới 2250 TOPS, băng thông DRAM đã trở thành nút thắt lõi cho độ trễ suy luận; kỷ nguyên xe với LPDDR6 chuẩn ô tô sắp đến, và bộ nhớ NAND trên xe đang chuyển từ các “đảo phân vùng” sang “bể tập trung” và “phần mềm định nghĩa”.
Điện thoại thông minh và AIoT (Internet vạn vật AI): Giao diện tốc độ cao và công nghệ cache cấp cao đi sâu hơn. Hướng đến yêu cầu tốc độ phản hồi và thời lượng pin của thiết bị di động và thiết bị đeo thông minh mới nổi, JMicron Technology sắp ra mắt bộ điều khiển UFS 4.1 thế hệ mới SM 2755, đồng thời đẩy nhanh bố trí cho các thị trường AIoT như đồng hồ thông minh/kính thông minh; SanDisk áp dụng công nghệ cache SmartSLC, đạt hoạt động thông lượng cao của UFS 4.1 với mức công suất chỉ khoảng 2W; Jiangbo Long thúc đẩy triển khai công nghệ cache HLC cấp cao ở phía nhúng để giảm chi phí BOM của thiết bị đầu cuối.
▍ Các yếu tố rủi ro:
Rủi ro suy yếu kinh tế vĩ mô toàn cầu; nhu cầu từ phía hạ nguồn không đạt kỳ vọng; đổi mới không đạt kỳ vọng; rủi ro thay đổi môi trường công nghiệp quốc tế và căng thẳng thương mại gia tăng; tiến độ nâng cấp năng lực tính toán không đạt kỳ vọng; chi tiêu vốn của các nhà cung cấp đám mây không đạt kỳ vọng, v.v.
▍ Chiến lược đầu tư:
Chúng tôi đánh giá cao xu hướng của ngành tính toán-lưu trữ dưới sự gia tăng năng lực lưu trữ trong thời đại Agent AI; mức độ cao về nhu cầu đối với tính toán gần (near memory/near computation) rất lạc quan; chúng tôi đánh giá cao chuỗi công nghiệp HBM và CUBE. Đồng thời, trong bối cảnh lưu trữ khan hiếm, toàn bộ phân khúc chính tới phân khúc ngách về lưu trữ đều khan hàng và tăng giá; nhiều nhà sản xuất phản hồi rằng mức tăng của Q2/2026 so với quý trước vẫn tương tự nhau; chúng tôi dự kiến tình trạng cung không đáp ứng ít nhất sẽ kéo dài đến cuối năm 2027. Khuyến nghị trọng tâm: các công ty module lưu trữ (năng lực bùng nổ kết quả kinh doanh trong ngắn hạn mạnh); các nhà sản xuất lưu trữ và các công ty thiết kế bám sát nhà sản xuất gốc.
(Nguồn: JieMian News)