Cơ bản
Giao ngay
Giao dịch tiền điện tử một cách tự do
Giao dịch ký quỹ
Tăng lợi nhuận của bạn với đòn bẩy
Chuyển đổi và Đầu tư định kỳ
0 Fees
Giao dịch bất kể khối lượng không mất phí không trượt giá
ETF
Sản phẩm ETF có thuộc tính đòn bẩy giao dịch giao ngay không cần vay không cháy tải khoản
Giao dịch trước giờ mở cửa
Giao dịch token mới trước niêm yết
Futures
Truy cập hàng trăm hợp đồng vĩnh cửu
TradFi
Vàng
Một nền tảng cho tài sản truyền thống
Quyền chọn
Hot
Giao dịch với các quyền chọn kiểu Châu Âu
Tài khoản hợp nhất
Tối đa hóa hiệu quả sử dụng vốn của bạn
Giao dịch demo
Giới thiệu về Giao dịch hợp đồng tương lai
Nắm vững kỹ năng giao dịch hợp đồng từ đầu
Sự kiện tương lai
Tham gia sự kiện để nhận phần thưởng
Giao dịch demo
Sử dụng tiền ảo để trải nghiệm giao dịch không rủi ro
Launch
CandyDrop
Sưu tập kẹo để kiếm airdrop
Launchpool
Thế chấp nhanh, kiếm token mới tiềm năng
HODLer Airdrop
Nắm giữ GT và nhận được airdrop lớn miễn phí
Launchpad
Đăng ký sớm dự án token lớn tiếp theo
Điểm Alpha
Giao dịch trên chuỗi và nhận airdrop
Điểm Futures
Kiếm điểm futures và nhận phần thưởng airdrop
Đầu tư
Simple Earn
Kiếm lãi từ các token nhàn rỗi
Đầu tư tự động
Đầu tư tự động một cách thường xuyên.
Sản phẩm tiền kép
Kiếm lợi nhuận từ biến động thị trường
Soft Staking
Kiếm phần thưởng với staking linh hoạt
Vay Crypto
0 Fees
Thế chấp một loại tiền điện tử để vay một loại khác
Trung tâm cho vay
Trung tâm cho vay một cửa
Samsung Electronics giới thiệu mẫu chip HBM4E tại hội nghị GTC của Nvidia
Tại hội nghị công nghệ hàng năm do Nvidia tổ chức, Samsung Electronics đã giới thiệu thế hệ bộ nhớ băng thông cao thứ bảy của mình, gọi là HBM4E. Nvidia nhấn mạnh trong buổi họp về mối quan hệ hợp tác ngày càng mở rộng với nhà sản xuất chip Hàn Quốc này ngoài lĩnh vực chip nhớ.
Trong hội nghị GTC 2026 tại California khai mạc vào thứ Hai (giờ Mỹ), Samsung Electronics trình diễn những tiến bộ mới nhất của sản phẩm HBM4E và thể hiện khả năng của mình với vai trò nhà cung cấp giải pháp bộ nhớ toàn diện cho nền tảng AI Vera Rubin của Nvidia.
Đây là lần đầu tiên Samsung Electronics công khai trưng bày chip HBM4E thực tế, dự kiến tốc độ truyền dữ liệu chân đơn có thể đạt 16Gbps, băng thông là 4.0TB/s.
Hiệu suất này cao hơn so với HBM4, vốn có tốc độ truyền dữ liệu chân đơn là 13Gbps và băng thông 3.3TB/s.
Trong bài phát biểu chính, CEO của Nvidia, Jensen Huang, đã cảm ơn Samsung Electronics vì đã sản xuất bộ xử lý ngôn ngữ Groq 3 (LPU), sẽ được sử dụng trong nền tảng AI của Nvidia để nâng cao hiệu năng.
“Tôi muốn cảm ơn Samsung, họ đã sản xuất chip Groq 3 LPU cho chúng tôi, và họ đang nỗ lực hết mình. Tôi thực sự biết ơn các bạn,” ông Huang nói, xác nhận rằng chip này do bộ phận gia công của Samsung Electronics sản xuất.
Lời phát biểu của Huang cho thấy, Samsung Electronics và Nvidia đã mở rộng hợp tác trong lĩnh vực trí tuệ nhân tạo sang cả hoạt động gia công chip.
Tháng trước, Samsung Electronics bắt đầu xuất hàng hàng loạt chip HBM thế hệ thứ sáu, gọi là HBM4, được thiết kế riêng cho nền tảng Vera Rubin của Nvidia, Samsung tuyên bố có thể cung cấp “hiệu năng tối ưu cho tính toán AI.”
Samsung Electronics cũng giới thiệu công nghệ ghép đồng hỗn hợp (HCB), cho phép xếp chồng hơn 16 lớp lá đồng, đồng thời giảm 20% trở kháng nhiệt so với công nghệ ghép nóng (TCB), thể hiện năng lực của họ trong việc phát triển các gói HBM thế hệ tiếp theo.
Tập đoàn công nghệ Hàn Quốc này cho biết: “Để thúc đẩy đổi mới trong ngành công nghiệp AI, các hệ thống AI mạnh mẽ như nền tảng Vera Rubin là vô cùng quan trọng.”
Samsung Electronics bổ sung: “Công ty dự định tiếp tục cung cấp các giải pháp bộ nhớ hiệu suất cao để hỗ trợ nền tảng Vera Rubin.”
Samsung cũng nhấn mạnh rằng hai công ty hy vọng thông qua mối quan hệ hợp tác này, sẽ dẫn đầu trong việc chuyển đổi mô hình hạ tầng trí tuệ nhân tạo toàn cầu.
Trong sự kiện này, Samsung Electronics đã thiết lập một gian hàng, chia thành ba khu vực — nhà máy AI, AI nội bộ và AI vật lý — trưng bày các chip thế hệ tiếp theo của công ty nhằm đáp ứng nhu cầu của ngành công nghiệp AI.