Navitas ra mắt công nghệ SiC MOSFET thế hệ 5 để cấp năng lượng cho trung tâm dữ liệu thế hệ tiếp theo

Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) đã giới thiệu thế hệ mới nhất của công nghệ MOSFET silicon carbide (SiC) nhằm đáp ứng nhu cầu chuyển đổi công suất ngày càng tăng của hạ tầng AI và hệ thống năng lượng. Công ty công bố nền tảng GeneSiC thế hệ thứ 5 vào ngày 12 tháng 2 năm 2026, đánh dấu bước tiến đáng kể trong hiệu suất bán dẫn cao áp. Kiến trúc mới này kết hợp thiết kế trench-assisted planar tiên tiến với các thông số độ tin cậy nâng cao, định vị Navitas là một trong những nhà chơi chính trong lĩnh vực công nghệ MOSFET phục vụ trung tâm dữ liệu và hạ tầng lưới điện.

Bước đột phá này đến vào thời điểm các trung tâm dữ liệu AI và các nhà máy năng lượng tái tạo cần các thiết bị điện công suất hiệu quả hơn, nhỏ gọn hơn để xử lý các yêu cầu vận hành ngày càng tăng. Nền tảng MOSFET cập nhật của Navitas giải quyết các thách thức này thông qua kiến trúc TAP tinh vi nhất từ trước đến nay, cung cấp cho các chuyên gia ngành một lối đi để giảm tiêu thụ năng lượng và chi phí vận hành trong các ứng dụng đòi hỏi cao.

Đột phá về Hiệu suất: Hiểu rõ ý nghĩa của 35% Hiệu quả Tốt Hơn

Công nghệ MOSFET thế hệ thứ 5 mang lại cải tiến đột phá 35% trong chỉ số RDS,ON × QGD so với thế hệ 1200V trước đó, thay đổi căn bản cách các nhà thiết kế hệ thống tối ưu hóa giai đoạn công suất. Tiến bộ này trực tiếp giúp giảm tổn thất chuyển mạch, thiết bị hoạt động mát hơn và khả năng vận hành ở tần số cao hơn mà không ảnh hưởng đến độ ổn định.

Công nghệ đạt thêm khoảng 25% cải thiện trong tỷ lệ QGD/QGS, cho phép phản hồi cổng nhanh hơn. Khi kết hợp với thông số điện áp ngưỡng cao (VGS,TH ≥ 3V) của nền tảng, thế hệ MOSFET mới thể hiện khả năng chống nhiễu parasitic turn-on xuất sắc. Đặc tính này đặc biệt có giá trị trong môi trường công nghiệp nhiều nhiễu, nơi độ tin cậy của tín hiệu ảnh hưởng trực tiếp đến hệ thống.

Nền tảng thế hệ thứ 5 còn tối ưu hóa đặc tính RDS(ON) × EOSS đồng thời tích hợp công nghệ diode mềm độc quyền. Việc tích hợp này giảm nhiễu điện từ (EMI) trong các chu kỳ chuyển mạch tốc độ cao và đảm bảo chuyển mạch mượt mà hơn, mang lại cải thiện độ ổn định hệ thống vượt xa khả năng của từng MOSFET riêng lẻ.

Tiêu Chuẩn Độ Tin Cậy Nâng Cao cho Ứng Dụng Quan Trọng

Navitas đã đưa thế hệ MOSFET này qua kiểm tra đủ tiêu chuẩn AEC-Plus, vượt qua các tiêu chuẩn ngành về độ tin cậy ô tô và công nghiệp. Quá trình xác nhận bao gồm:

• Các thử nghiệm tĩnh kéo dài gấp 3 lần so với quy trình thử nghiệm căng thẳng thông thường (HTRB, HTGB, HTGB-R)
• Thử nghiệm độ tin cậy động tiên tiến bao gồm căng thẳng ngược (DRB) và căng thẳng chuyển đổi cổng (DGS) để mô phỏng các nhiệm vụ chuyển mạch nhanh trong thực tế
• Đo dịch chuyển VGS,TH thấp nhất qua các chu kỳ chuyển mạch kéo dài, đảm bảo hiệu suất dài hạn dự đoán được
• Dự đoán độ tin cậy lớp oxit cổng vượt quá 1 triệu năm ở điện áp hoạt động (18V) và nhiệt độ junction 175°C
• Khả năng chống tia vũ trụ nâng cao với tỷ lệ FIT (Failure In Time) cực thấp cho môi trường độ cao và hoạt động liên tục

Các thông số kỹ thuật này trực tiếp giải quyết các mối quan tâm về độ tin cậy của các nhà vận hành hạ tầng, những người phụ thuộc vào thiết bị bán dẫn để duy trì thời gian hoạt động của hệ thống và hiệu suất dự đoán trong nhiều thập kỷ.

Bổ Sung Công Nghệ GaN Trong Phạm Vi Bán Dẫn Công Suất

Thế hệ MOSFET SiC mới bổ sung cho các dòng cao áp cực cao hiện có của Navitas từ nền tảng GeneSiC thế hệ thứ 4 (dòng 2300V và 3300V), tạo thành danh mục toàn diện bao phủ các phạm vi điện áp khác nhau. Cách tiếp cận này cho phép các nhà thiết kế hệ thống lựa chọn công nghệ MOSFET tối ưu—dựa trên GaN hoặc SiC—tùy theo yêu cầu cụ thể của ứng dụng trong trung tâm dữ liệu AI, hạ tầng lưới điện và hệ thống điện công nghiệp.

Chiến lược của Navitas phản ánh hơn 30 năm kinh nghiệm kết hợp trong công nghệ bán dẫn wide bandgap. Dòng GaNFast tiếp tục cung cấp khả năng truyền tải công suất nhanh và mật độ cao, trong khi danh mục MOSFET GeneSiC mở rộng đáp ứng các ứng dụng trung áp đòi hỏi hiệu quả vượt trội và độ tin cậy lâu dài đã được chứng minh.

Ảnh Hưởng Thị Trường và Phát Triển Trong Tương Lai

Ông Paul Wheeler, Phó Chủ tịch kiêm Giám đốc Điều hành Bộ phận Kinh doanh SiC của Navitas, nhấn mạnh cam kết của công ty trong việc hỗ trợ khách hàng vượt qua giới hạn chuyển đổi công suất của hạ tầng thế hệ tiếp theo: “Những cải tiến công nghệ đáng kể trong nền tảng GeneSiC thế hệ thứ 5 của chúng tôi nhấn mạnh cam kết của Navitas trong việc cung cấp hiệu suất và độ tin cậy hàng đầu ngành trong các MOSFET silicon carbide.”

Navitas dự kiến sẽ công bố các sản phẩm mới dựa trên nền tảng MOSFET thế hệ thứ 5 trong những tháng tới. Công ty đã xuất bản một white paper toàn diện về công nghệ Trench-Assisted Planar, có thể tải xuống, cung cấp hướng dẫn kỹ thuật chi tiết cho các nhà thiết kế hệ thống trong việc triển khai.

Với hơn 300 bằng sáng chế đã cấp hoặc đang chờ cấp và được công nhận là công ty bán dẫn đầu tiên đạt chứng nhận CarbonNeutral toàn cầu, Navitas tiếp tục thiết lập các tiêu chuẩn mới cho đổi mới trong lĩnh vực bán dẫn công suất trong công nghệ MOSFET và wide bandgap.