Samsung Electronics accélère la recherche et le développement de la prochaine génération de mémoire à haute bande passante, la première production de HBM4E débutera en mai

Mars Finance News, April 17 — According to reports, Samsung Electronics is fully advancing the research and development of its next-generation high-bandwidth memory (HBM) products, aiming to further consolidate its advantages in the high-end artificial intelligence memory market. The report indicates that Samsung Electronics plans to produce the first batch of HBM4E samples meeting NVIDIA standards as early as May 2026. Industry insiders revealed that Samsung has a clear and tight schedule. Its goal is to successfully produce samples of the HBM4E core logic chips by mid-next month through its foundry division. (Wide-angle observation)

Voir l'original
Cette page peut inclure du contenu de tiers fourni à des fins d'information uniquement. Gate ne garantit ni l'exactitude ni la validité de ces contenus, n’endosse pas les opinions exprimées, et ne fournit aucun conseil financier ou professionnel à travers ces informations. Voir la section Avertissement pour plus de détails.
  • Récompense
  • Commentaire
  • Reposter
  • Partager
Commentaire
Ajouter un commentaire
Ajouter un commentaire
Aucun commentaire
  • Épingler