Le concept de stockage rebondit collectivement ! Les institutions sont optimistes quant aux performances du deuxième trimestre. Lianqi Technology et Zhaoyi Innovation ont toutes deux augmenté de plus de 7 %.

Cailian Press 1er avril (rédaction : Hu Jiarong) Portée par un retournement des perspectives du marché sur les puces de mémoire, les actions concernées à Hong Kong ont fortement progressé dans leur ensemble. Au moment de la publication, Zhenqi Technology (06809.HK) affiche +10,39 %, et Zhaoyi Innovation (03986.HK) +7,81 %.

Il est à noter que les produits d’ETF à effet de levier ont particulièrement brillé : Southern 2x Long Samsung Electronics (07747.HK) est en hausse de 28,01 %, et Southern 2x Long SK Hynix (007709.HK) de 21,26 %.

Cette performance vigoureuse fait écho à la hausse générale des actions de puces de mémoire aux États-Unis la veille au soir : SanDisk progresse de près de 11 % et Micron Technology grimpe d’environ 5 %.

Un analyste de Morgan Stanley basé sur la région Asie-Pacifique, dans son dernier rapport de recherche, a indiqué que la baisse actuelle du secteur des puces de mémoire est essentiellement le résultat d’un « désalignement entre le sentiment et les fondamentaux ». Il estime que l’industrie de la mémoire se trouve dans une période de transition stratégique : du stade de « l’expansion rapide des infrastructures » vers celui de « l’optimisation et l’affinage de la qualité des bénéfices ».

Il ajoute que, même si à court terme il n’y a pas de catalyseur clair et que le ratio risque-rendement n’est pas attractif, l’évaluation à moyen et long terme présente déjà une forte attractivité : à l’heure actuelle, les actions de mémoire se négocient sur la base d’un price-to-book (P/B) anticipé pour l’exercice 2027 de seulement 1,1 fois, et d’un ratio cours/bénéfices se situant dans une fourchette de 2 à 6 fois. Sur cette base, Morgan Stanley maintient sa recommandation de « Renforcer / Ajouter » pour Samsung, SK Hynix et Kioxia, et suggère aux investisseurs de se positionner à bon compte.

Le rapport propose une évaluation professionnelle de la menace technique TurboQuant évoquée par le marché, estimant que son impact a été surestimé. Cette technologie est plus susceptible d’agir en « optimisant l’efficacité au niveau système » plutôt qu’en « réduisant la consommation de mémoire ». Par ailleurs, les données de détention par des investisseurs étrangers envoient un signal positif : la proportion de participations étrangères de Samsung atteint 48,6 %, son plus bas niveau sur près de dix ans ; celle de SK Hynix à 53,1 % se situe également dans une fourchette historiquement basse.

Morgan Stanley indique en outre que, dans les 1 à 3 prochains mois, trois facteurs essentiels pourraient devenir des points d’inflexion clés pour inverser le pessimisme actuel du marché :

D’abord, la performance de l’activité IA des fournisseurs de services cloud validera la rationalité des investissements dans le matériel. Lors de la prochaine saison des résultats financiers des mois d’avril à mai, la question centrale sera de savoir si la croissance des revenus dans le domaine de l’IA des grands fournisseurs de cloud pourra continuer à soutenir leurs anticipations de dépenses d’investissement dans le matériel.

À l’heure actuelle, la principale inquiétude du marché est la suivante : les anticipations de croissance des investissements matériels des fournisseurs de cloud ralentiraient fortement, passant de 65 % en 2026 à 15 % en 2027 ; dans le même temps, la croissance de la taille globale du marché de la mémoire chuterait également, passant de 226 % en 2026 à 33 % en 2027. Si les revenus et les données de commandes liés à l’IA des fournisseurs de cloud dépassent les attentes, cette crainte de « ralentissement en chute abrupte » serait nettement atténuée.

Ensuite, l’évolution de la technologie HBM va remodeler l’équilibre offre-demande du secteur. Les ajustements de la quantité de mémoire HBM dans les serveurs en 2027, ainsi que le calendrier d’expédition des puces ASIC, influeront directement sur le niveau de déficit/surplus de mémoire dans l’industrie. Bien que le marché craigne généralement que les prix de la mémoire aient atteint un sommet, la chaîne d’approvisionnement a déjà transmis des signaux positifs : il existe un espace d’ajustement à la hausse de la demande de serveurs GPU, et la gamme de produits ASIC continue de s’étendre. Concernant les informations selon lesquelles NVIDIA Rubin Ultra réduirait la taille de ses puces GPU, Morgan Stanley estime que l’impact réel sur la quantité de mémoire HBM serait insignifiant.

Enfin, les accords d’approvisionnement à long terme vont redéfinir le cadre d’évaluation du secteur. Micron Technology a déjà publié en premier son premier accord d’approvisionnement à long terme avec un client stratégique ; le marché suit de près si Samsung et SK Hynix suivront avec des arrangements similaires. Ce qui intéresse réellement les investisseurs n’est pas l’accord lui-même, mais les mécanismes de protection du creux du cycle qu’il contient — y compris les garanties de prix minimum, les engagements de capacité, les modalités de prépaiement et les clauses de dédommagement en cas de manquement. Si ces clauses de protection sont bien conçues, le système d’évaluation du secteur de la mémoire pourrait faire l’objet d’une réévaluation fondamentale.

Auparavant, des actions liées aux puces de mémoire ont reculé sous l’effet de la demande

Sous l’effet de la demande des terminaux, récemment, les actions liées aux puces de mémoire ont globalement corrigé à la baisse. À titre d’exemple, Zhaoyi Innovation et澜起科技 : les deux sociétés ont baissé de plus de 6 % hier.

Côté informations, depuis la semaine dernière, les prix au comptant des barrettes de mémoire DDR5 ont nettement commencé à se détendre. À titre d’exemple, pour les barrettes DDR5 de 32 Go courantes, les prix proposés par le marché la semaine dernière se maintenaient généralement autour de 3000 yuans/la barrette ; cette semaine, les prix ont déjà été ajustés nettement à la baisse, de 500 à 1050 yuans selon les cas. Certains commerçants indiquent que les prix de liquidation des stocks sont tombés à 2500 yuans/la barrette, et que des offres de vente en urgence peuvent même atteindre 1950 yuans/la barrette.

À cet égard, l’enquête la plus récente sur les prix des mémoires de TrendForce, une société de conseil basée à Taïwan, montre que, au deuxième trimestre 2026, les fabricants de DRAM ajusteront activement la structure de capacité, avec un accent sur les domaines HBM et les applications Serveur, et mettront en place une stratégie de « rattrapage » visant à réduire les écarts de prix entre les différentes catégories de produits.

Même si le marché final fait face au risque de révision à la baisse des volumes d’expédition, l’institution estime que le prix des contrats global de DRAM pour le segment standard continuera tout de même d’enregistrer une hausse trimestrielle de 58 à 63 %. Sur le marché NAND Flash, la demande en IA et celle des centres de données continuent de dominer l’évolution des prix ; l’effet en chaîne des hausses de prix sur l’ensemble de la gamme est significatif. Il est prévu que le prix global des contrats du deuxième trimestre augmentera de 70 à 75 % d’un trimestre à l’autre.