Une entreprise japonaise développe une technologie permettant de fabriquer des semi-conducteurs de 1,4 nanomètres avec seulement 1/10 de la consommation d'énergie

DNP (Dainippon Printing) a développé une technologie permettant de produire des semi-conducteurs avancés avec seulement un dixième de la consommation d’énergie. La nouvelle méthode de fabrication d’appareils destinés à Canon, capable de soutenir la production de composants clés pour la nouvelle génération de produits en 1,4 nanomètre (1 nanomètre = un milliardième de mètre), sera mise en production de manière commerciale en 2027. La fabrication de semi-conducteurs à base d’intelligence artificielle (IA) pourrait voir ses coûts considérablement réduits.

Actuellement, pour produire en série les semi-conducteurs les plus avancés, il faut utiliser des machines de lithographie ultraviolette extrême (EUV) fabriquées uniquement par ASML Holdings aux Pays-Bas. La étape de “lithographie” qui consiste à dessiner les circuits sur la wafer (substrat) représente entre 30 % et 50 % du coût total de fabrication des semi-conducteurs. Plus les circuits sont fins, plus le nombre de cycles de lithographie est élevé, ce qui augmente la consommation d’énergie. Le prix d’une machine EUV est d’environ 30 milliards de yens, ce qui représente un lourd investissement pour les fabricants de semi-conducteurs.

En revanche, le dispositif de fabrication “Nanoimprint” de Canon utilise une méthode semblable à un tampon pour créer des circuits sur la wafer. DNP a développé un “modèle (template)” de circuit fin, comparable à un tampon précis, pouvant atteindre une finesse de 1,4 nanomètre. Jusqu’à présent, cette technologie ne pouvait pas supporter la fabrication de semi-conducteurs avancés comme ceux en 2 nanomètres.

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