美光在人工智能数据中心业务方面超额完成华尔街第二季度目标

美光科技（MU）在周三晚间大幅超出华尔街对其财年第二季度的预期，并对持续强劲的人工智能数据中心业务前景表示乐观。但美光股在盘后交易中下跌。

这家总部位于爱达荷州博伊西的存储芯片制造商在截至2月26日的季度中，调整后每股盈利为12.20美元，营收为238.6亿美元。FactSet调查的分析师预期每股盈利9.19美元，营收为199.7亿美元。同比来看，美光的盈利激增682%，营收增长196%。

这已是公司连续第五个季度实现三位数百分比的盈利增长。分析师预计此类增长还将持续三个季度。

对于当前季度，美光预测调整后每股盈利为19.15美元，营收为335亿美元，基于其指引的中点。分析师预计财年第三季度每股盈利12.03美元，营收242.9亿美元。去年同期，美光调整后每股盈利1.91美元，营收93亿美元。

“美光在财年第二季度在营收、毛利率、每股收益和自由现金流方面都创下新纪录，得益于强劲的需求环境、行业供应紧张以及我们的出色执行力，我们预计财年第三季度也将再创佳绩，”首席执行官Sanjay Mehrotra在新闻稿中表示。

他补充说：“在AI时代，存储已成为客户的战略资产，我们正在投资全球制造布局，以支持他们不断增长的需求。反映出对我们业务持续强劲的信心，我们的董事会已批准将季度股息提高30%。”

美光股价创历史新高

在今天的盘后交易中，美光股价下跌超过1%，至455美元。在周三的常规交易中，美光股价微涨4美分，收于461.73美元。在盘中交易中，股价曾创下471.34美元的纪录高点。

根据MarketSurge图表，周二美光股价突破了六周的盘整区，买入点为455.50美元。根据IBD交易指南，5%的买入区间延伸至478.28美元。

截至周三收盘，今年以来美光股价上涨了62%。

美光股票入选三大IBD榜单

美光主要生产两种存储芯片：DRAM和Nand。DRAM（动态随机存取存储器）芯片作为PC、服务器和其他设备的主要内存，与中央处理器密切配合。Nand闪存芯片提供长期数据存储。

美光在DRAM方面与韩国的三星和SK海力士竞争，在Nand方面则与三星、SK海力士、Kioxia以及Sandisk（SNDK）竞争。

近期，美光通过为运行人工智能应用的数据中心提供高带宽存储器（HBM）获得了提振。HBM是一种DRAM类型。

周一，美光宣布已开始大规模出货支持Nvidia（NVDA）Vera Rubin数据中心机架的HBM4存储系统。其当前的HBM4产品堆叠12个HBM芯片，容量为36GB。公司计划很快通过堆叠16个HBM芯片，将容量扩大到48GB。美光已向潜在客户提供该产品的样品。

美光股价入选IBD的三大榜单：IBD 50、大盘股20和科技领袖。

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