Reavaliação de memória sob desequilíbrio estrutural do HBM: observando a mudança de ciclo de armazenamento de IA através da forte volatilidade da Micron

Na primeira semana de junho de 2026, o setor global de semicondutores passou por uma reavaliação de valor intensa, porém não caótica. Desta vez, o foco do mercado se concentrou na cadeia de memória — o elo fundamental na infraestrutura de poder de cálculo de IA, que conecta o passado ao futuro. De Wall Street a Seul, de centros de dados de IA a linhas de produção de smartphones, o desequilíbrio estrutural do HBM (memória de alta largura de banda) funciona como uma linha condutora, conectando a oscilação em V da Micron (MU), as vendas sincronizadas dos dois maiores gigantes sul-coreanos, e uma profunda mudança no ciclo de armazenamento que está em andamento.

Em 4 de junho, a Broadcom divulgou seus resultados do segundo trimestre. Lucro por ação de 2,44 dólares, receita de 22,2 bilhões de dólares, ambos superando as expectativas do mercado. No entanto, o mercado de capitais não olha apenas para o passado, mas precifica o futuro. A Broadcom projetou uma receita de 16 bilhões de dólares em chips de IA para o terceira trimestre, abaixo da expectativa geral de 17,2 bilhões; a orientação de receita anual de chips de IA de 56 bilhões de dólares também não atingiu os 57,6 bilhões previstos. Essa diferença se propagou rapidamente por toda a cadeia de IA, fazendo o índice de semicondutores de Filadélfia cair 5,45%. Como o elo mais direto na cadeia de valor de poder de cálculo de IA, o setor de chips de armazenamento sofreu o impacto mais forte nesta rodada de vendas.

Focando na desequilíbrio estrutural do HBM, partindo do movimento da Micron, desmontamos a lógica de diferenciação entre oferta e demanda, analisando se a queda sincronizada da SK Hynix e Samsung indica um ponto de inflexão no ciclo, e explorando como a nova funcionalidade de negociação de ações da Gate pode oferecer uma nova via de participação nesta mudança de ciclo de armazenamento.

Desequilíbrio estrutural do HBM: um mercado onde as curvas de oferta e demanda deixam de se cruzar

Na economia clássica, as curvas de oferta e demanda se encontram em um ponto de equilíbrio a determinado preço. Mas, em 2026, as curvas do mercado de HBM estão se tornando quase paralelas.

Oferta: a capacidade do HBM3e é limitada por tecnologia

Até o primeiro trimestre de 2026, as três principais fabricantes — SK Hynix, Samsung Electronics e Micron — estavam praticamente com capacidade de produção de HBM esgotada. Isso não é uma flutuação temporária devido a uma demanda repentina, mas uma consequência das características estruturais do processo de fabricação de HBM.

Segundo a EE Times, a área de wafer consumida pelo HBM3e é cerca de três vezes maior que a do DDR5 padrão. Isso ocorre porque o HBM usa chips maiores e empilhamento vertical, e a taxa de rendimento na fabricação empilhada aumenta a demanda por capacidade de wafer. Com a produção de wafers limitada por equipamentos e construção de fábricas, cada wafer alocado ao HBM reduz a disponibilidade para LPDDR5X ou DDR5 padrão. A EE Times cita analistas da IDC, dizendo que isso é um jogo de soma zero.

As três fabricantes estão acelerando a conversão de espaço de linhas de NAND ou a expansão da capacidade de TSV para suportar a fabricação de HBM de alta camada, mas o ritmo de expansão não acompanha o ritmo de implantação de infraestrutura de IA. A Micron projeta uma margem bruta de 68% no segundo trimestre de 2026 — uma orientação que reflete o forte poder de precificação do HBM, explicando por que os recursos de capacidade continuam a se direcionar para produtos de nível IA.

Demanda: smartphones e eletrônicos de consumo estão sendo “expulsos”

Por outro lado, a oferta estruturalmente restrita está levando a uma rápida contração na demanda de eletrônicos de consumo. A pesquisa da Counterpoint Research prevê uma queda de cerca de 14% nas vendas globais de smartphones em 2026.

Mas essa queda não é apenas uma demanda fraca, e sim uma consequência direta da expulsão de capacidade de HBM. Como a capacidade de wafers é priorizada para HBM e DRAM de nível IA, fabricantes de smartphones enfrentam gargalos na aquisição de memórias móveis como LPDDR5X. A análise da TechCrunch aponta que o principal dilema dos fabricantes de smartphones em 2026 é que a velocidade de melhoria do desempenho do SoC já supera o crescimento da largura de banda de armazenamento, enquanto os modelos topo de linha continuam a aumentar a demanda por LPDDR5X e até LPDDR6, mas as taxas de rendimento dessas tecnologias avançadas ainda estão em fase de ramp-up, dificultando o atendimento à demanda do mercado.

Os fabricantes de smartphones enfrentam uma escolha difícil entre aumentar os preços ou reduzir as vendas. Algumas marcas optam por repassar o aumento do custo de memória ao consumidor, o que, por sua vez, reduz a demanda por troca de aparelhos, criando um ciclo de retração de demanda. Os preços de contratos de memória móvel dobraram em 2025 e continuam a subir na primeira metade de 2026, comprimindo as margens de lucro de modelos de entrada e intermediários.

Essa diferenciação entre oferta e demanda é o núcleo do “desequilíbrio estrutural” — não uma escassez total, mas uma má alocação de recursos.

Análise da forte volatilidade da MU e a divergência na precificação do mercado

O sinal inicial dessa rodada de ajustes foi em 4 de junho. No mercado Nasdaq, a Micron Technology (MU) caiu 7,74% em um único dia, fechando a 996 dólares. Apesar de ainda estar próxima do nível de mil dólares, a cotação caiu rapidamente do recorde de 1.089,29 dólares de 3 de junho.

Em 5 de junho, a queda se intensificou. A MU atingiu uma mínima de 864,01 dólares, uma retração de mais de 20% em relação ao pico anterior. No fechamento, ficou em 864,01 dólares, uma queda de 13,25%, com volume de negociação de 76,7 milhões de ações — o dobro da média diária. Segundo dados do Dow Jones Market Data, o valor de mercado da MU evaporou aproximadamente 94,24 bilhões de dólares naquele dia.

A tendência de queda se estendeu nos dias seguintes, atingindo o mercado asiático. Em 8 de junho, o índice KOSPI da Coreia caiu 8,8% na abertura, acionando o mecanismo de limite de queda e suspendendo as negociações por 20 minutos. No fechamento, a Samsung Electronics caiu 10,18%, fechando a 295.500 won; a SK Hynix caiu 7,68%, fechando a 1.911.000 won. Considerando o fechamento de 5 de junho, a SK Hynix e Samsung tiveram quedas de 9,92% e 6,40%, respectivamente. Naquele dia, a Samsung atingiu uma mínima de 327.500 won, e a SK Hynix, 2.093.000 won, ambos abaixo de níveis psicológicos importantes.

Por outro lado, a reversão foi rápida. Em 8 de junho, a MU fechou a 949,28 dólares, uma recuperação de 9,87%, recuperando boa parte da perda. Nos dias 9 e 10 de junho, a MU continuou a se recuperar, estabilizando entre 950 e 980 dólares. Em 15 de junho de 2026, a MU fechou a 973,40 dólares, ainda cerca de 10,6% abaixo do pico de 3 de junho, mas o movimento em V demonstra a divergência na avaliação do mercado para a ação.

Samsung e SK Hynix também apresentaram movimentos intra-dia em 12 de junho, com o KOSPI subindo mais de 8%, mas as altas se reduziram para dentro de 8% e 4%, respectivamente. Em 15 de junho, a Samsung fechou a 319.000 won, e a SK Hynix, a 1.985.000 won, ambos recuperando-se dos mínimos, mas ainda abaixo do nível pré-queda.

O núcleo dessa dinâmica é a interpretação divergente do desequilíbrio estrutural do HBM pelo mercado. Os pessimistas veem a queda na demanda por smartphones e as orientações abaixo do esperado da Broadcom como sinais de que a bolha de hardware de IA está estourando; os otimistas acreditam que o cenário de oferta restrita de HBM não mudou, e a queda das ações é uma reação emocional excessiva que oferece oportunidade de compra.

Mudança de ciclo de armazenamento de IA: de HBM3e para HBM4

2026 é um ano crucial na transição entre gerações de HBM. Na parte tecnológica, o HBM3e ainda domina o consumo ao longo do ano, enquanto o HBM4 começa a gerar receita para os fabricantes. A NVIDIA elevou ainda mais os requisitos do novo platform Rubin para o HBM4, atrasando o progresso de validação das três principais fabricantes. A Samsung, com vantagem tecnológica e maior desempenho de chips, deve liderar a certificação; a SK Hynix, após revisões, deve manter uma participação significativa graças à sua base de parcerias; a Micron está um pouco mais atrasada.

A TrendForce aponta que, com o ritmo de expansão de capacidade de TSV nas fábricas na Coreia e Taiwan, a capacidade de HBM4 deve acelerar na segunda metade de 2026, mas o papel do HBM3e na demanda total do ano não será significativamente reduzido. Isso faz de 2026 um ano de coexistência de duas gerações, onde o ritmo tecnológico de cada fabricante influenciará sua fatia de mercado e avaliação.

Para investidores, a mudança de ciclo de armazenamento não é simplesmente uma “melhora de mercado” ou “declínio”, mas uma diferenciação interna. Os compromissos de compra de HBM por centros de dados de IA, via acordos de longo prazo, têm alta previsibilidade. Por outro lado, a demanda de eletrônicos de consumo por memórias é mais incerta. O analista da Morgan Stanley, Shawn Kim, afirma que o ciclo atual ainda está em fase de aceleração, com revisões de lucros para cima, e sua continuidade pode superar as expectativas do mercado.

Lançamento do trading de ações na Gate: participando de MU e Samsung com USDT

Durante a forte volatilidade do setor de memória, a Gate lançou oficialmente, em junho de 2026, uma funcionalidade de negociação de ações, oferecendo uma nova via para participação nos mercados de ações dos EUA e de Hong Kong. A Gate Stocks permite negociar ações e ETFs principais usando USDT, incluindo NYSE, NASDAQ e mais de 1.000 ações listadas na Bolsa de Hong Kong.

Para investidores interessados na cadeia de memória, a Gate Stocks oferece acesso direto à negociação de Micron (MU), Samsung Electronics (SSNLF) e ETFs que rastreiam o mercado coreano. Além disso, a plataforma lançou contratos perpétuos de ações, com liquidação em USDT, e tokens de ETFs alavancados que cobrem os principais setores de tecnologia e semicondutores.

As principais diferenças do trading de ações na Gate são:

Configuração de portfólio cruzado sob uma conta única. Os usuários podem gerenciar seus ativos de criptomoedas e ações tradicionais em um único painel, sem precisar abrir contas separadas.

Liquidação em USDT elimina fricções cambiais. Negociar ações tradicionais exige conversão de moeda fiduciária para dólar ou won, com baixa eficiência e custos de câmbio. A Gate permite usar USDT diretamente, e dividendos e ações corporativas são pagos em USDT, reduzindo a barreira de entrada.

Investimento fracionado com baixo custo. A plataforma permite negociar a partir de 0,01 ações, aproximadamente 10 dólares em USDT, possibilitando que investidores de varejo participem de ações blue-chip com pouco capital.

Após atualizar o aplicativo Gate para a versão 8.23.5 ou superior, os usuários podem acessar “TradFi—Ações” para começar a negociar. A plataforma oferece um sistema de níveis VIP, com taxas de negociação a partir de 0,023% para usuários qualificados.

Conclusão

A rodada de ajustes no setor de memória no início de junho de 2026 foi atribuída pelo mercado a uma “liquidação concentrada após a congestão de negociações de IA”. Dados indicam sinais de saída de capital externo: até 5 de junho, investidores estrangeiros venderam cerca de 27 trilhões de won sul-coreanos (aproximadamente 196 bilhões de dólares) em seis dias de negociação, sendo que apenas a SK Hynix teve uma venda líquida de cerca de 12 bilhões de dólares.

Porém, a lógica mais profunda dessa rodada de ajuste não é uma simples retirada de fundos. O desequilíbrio estrutural do HBM — capacidade de oferta bloqueada por produtos de IA e demanda de eletrônicos de consumo sendo comprimida — é uma contradição de médio a longo prazo. Enquanto os acordos de compra de centros de dados de IA permanecerem firmes, e enquanto a taxa de consumo de wafers do HBM3e não mudar, esse desequilíbrio persistirá. No curto prazo, variáveis como riscos geopolíticos, ajustes nas taxas de juros macroeconômicas, e o efeito de liquidez de IPOs gigantes como SpaceX continuarão a gerar volatilidade no setor de memória.

Para investidores de visão de médio a longo prazo, a mudança de ciclo de armazenamento em 2026 não é um sinal de recessão simples, mas uma transição de um ciclo antigo dominado por DRAM geral para um novo ciclo liderado por HBM e armazenamento dedicado a IA. Nesse processo, os movimentos de preço de MU, Samsung e SK Hynix dependerão cada vez mais de sua posição na árvore tecnológica do HBM, e menos do ciclo tradicional de memória. A nova funcionalidade de negociação de ações na Gate permite que investidores participem, de forma integrada e em USDT, na descoberta de preços desses ativos essenciais de IA, ao mesmo tempo em que mantêm flexibilidade na alocação em criptomoedas.

Cada ajuste intenso do mercado é uma reconstrução da lógica de precificação. Compreender o desequilíbrio estrutural do HBM é entender a chave para a mudança de ciclo de armazenamento de IA.