Samsung et NVIDIA accélèrent la recherche et développement de la prochaine génération de mémoire NAND flash

Selon un article du quotidien sud-coréen « Seoul Economic Daily » citant des informations provenant d’initiés non identifiés, Samsung Electronics collabore avec Nvidia afin d’accélérer la recherche-développement de ses futures puces de mémoire flash NAND.

Une équipe de recherche conjointe composée du Samsung Semiconductor Research Institute, de Nvidia et de la Georgia Tech a développé un modèle intitulé « opérateur de réseau neuronal d’information physique » ; sa vitesse d’analyse des performances des dispositifs de mémoire flash NAND à base de ferroélectrique est supérieure de plus de 10k fois à celle des modèles actuels, et les résultats de l’étude ont été publiés.

Sur la base des résultats de la recherche, Samsung collabore avec Nvidia pour développer et commercialiser la mémoire flash NAND ferroélectrique. (Caixin)

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