#长鑫今日上市Gate合约抢占交易先机 تتمثل المزايا التقنية لدى شركة 长鑫科技 في:
1، استراتيجية "القفز على الأجيال" للبحث والتطوير — بدلًا من اتباع المسار التقليدي المعتاد للتطوير التدريجي، اعتمدت 长鑫 استراتيجية بحث وتطوير هجومية تقفز على الأجيال: قفزت من منصة العمليات للجيل الأول (18nm/1Xnm) مباشرةً إلى الجيل الرابع (نحو 13-14nm/1αnm)، متجاوزة عملية انتقال 1Ynm (16-17nm). تشبه هذه الاستراتيجية المسار الذي اتبعته سامسونغ في السابق حين انتقلت من 64K مباشرةً إلى 4M/16M مع تطوير متوازٍ متزامن، متجاوزةً اليابان في خطوة واحدة — دون مطاردة تقليدية خطوة بخطوة، بل باستهداف العقدة الأحدث مباشرةً، وتقليص مدة اللحاق بالركب. وقد تم بالفعل إنجاز تغطية الخط الإنتاجي الكامل والتطوير التكراري من DDR4 وLPDDR4X وصولًا إلى DDR5 وLPDDR5/5X، كما دخلت منصة العمليات للجيل الخامس في مرحلة البحث والتطوير.
2، ربط DRAM (Bonded DRAM) — الالتفاف على مسار الإخلال الذي تمثله EUV، وهو أبرز اختراق تقني تحظى به 长鑫 حتى الآن. في يوليو 2026، تم الإفصاح عن أن 长鑫 تجري اختبارات سرية في مدينة هيفي (Hefei) لخط إنتاج تجريبي لربط DRAM:
الفكرة الأساسية: فصل مصفوفة وحدات التخزين والمنطق الطرفي للتحكم إلى رقائق مختلفة لتصنيعها على حدة، ثم عبر "الربط الهجين بين الرقائق" (W2W Hybrid Bonding) يتم محاذاة شريحتين بدقة ثم دمجهما بالانصهار.
الاختراق الرئيسي: يمكن إنتاج DRAM عالية الكثافة باستخدام طباعة ليزر DUV الأشعة فوق البنفسجية العميقة مع تعرضات متعددة فقط، دون الاعتماد على آلات EUV للأشعة فوق البنفسجية القصوى المحظور بيعها بسبب قيود تصدير الولايات المتحدة.
ميزة الأداء: إلغاء النتوءات المجهرية التقليدية (microbumps)، وتقليص طول التوصيلات، وخفض المقاومة الطفيلية واستهلاك الطاقة، ورفع سرعة نقل البيانات، مع عدم زيادة مقاس الرقاقة لرفع كثافة التخزين.
المراحل: وفقًا لتقارير من وسائل إعلام كورية، قد تكون 长鑫 قد سبق بالفعل سامسونغ وSK海力士 من حيث سرعة تطوير تقنية ربط DRAM.
3، التكامل الرأسي IDM — التصميم والتصنيع والتغليف والاختبار ضمن سلسلة كاملة ذات تحكم ذاتي. وعلى عكس معظم شركات أشباه الموصلات الصينية التي تقتصر على تصميم الشرائح فقط، تعتبر 长鑫 الشركة الصينية الوحيدة التي تتبنى نموذج IDM (تكامل التصميم والتصنيع والتغليف والاختبار) كشركة DRAM، متطابقة تمامًا مع سامسونغ وSK海力士 وMicron.
وهذا يعني:
تحكمًا ذاتيًا كاملًا من الرقاقة إلى الشريحة إلى الوحدة (modul)، دون وجود فجوة بين التصميم والتصنيع بالوكالة
القدرة على الاستجابة بسرعة لاحتياجات العملاء المخصصة (مثل تطوير حلول ذاكرة مخصصة لخوادم بالتعاون مع Alibaba Cloud وTencent)
يمكن معالجة مشكلات العائد في خطوط الإنتاج عبر حلقة مغلقة داخلية والتكرار، لتقليص دورة التحسين.
4، السور البراءاتي — ورثت من 奇梦达 (Qimonda) مع تراكم ذاتي. في بدايتها، حصلت 长鑫 على عدد كبير من براءات الاختراع الأساسية من خلال الاستحواذ على شركة DRAM ألمانية متعثرة، هي **奇梦达 (Qimonda)**، لتتجنب موجة الضرب الأولى من الحصار التي قامت بها "الجهات الثلاث" محكمة عبر براءات الاختراع. بعد ذلك، واصلت تراكمها الذاتي؛ وحتى نهاية 2025، بلغ إجمالي براءات الاختراع في كل الفئات 6972 براءة، منها 3165 براءة اختراع محلية في الداخل و3043 براءة اختراع في الخارج، ما شكّل منظومة دفاع براءات خاصة بها، ويمهد لمستقبل تصدير المنتجات.
5، تعاون الأجهزة المحلية — "التحقق من الإنتاج الضخم" بوصفه دافعًا للاستقلال في سلسلة التوريد. توفر خطوط إنتاج 长鑫 الإنتاجية منصة تحقق حاسمة لمعدات أشباه الموصلات المحلية:
حاليًا، تبلغ نسبة معدات الإنتاج الضخم المصنوعة محليًا إجمالًا نحو 40-50%، ومن المتوقع أن تتجاوز نسبة تمصير المنصة الجديدة 40%
تطوير مشترك عميق مع شركات مثل北方华创 (النقش/الترسيب بالغشاء الرقيق)، 中微公司 (النقش عالي نسبة العمق إلى العرض)، 拓荆科技 (PECVD/ALD)، 华海清科 (CMP) وغيرها
ارتفاع نسبة التممصرة يترجم مباشرةً إلى خفض التكاليف: في الفترة 2023-2025، انخفض سعر شراء رقائق السيليكون بنحو 30%، وانخفضت مواد الهدف بنسبة 22%، وانخفضت قطع الغيار بنسبة 47%، وانخفضت المواد الكيميائية بنسبة 26%. هذا النمط من الربط بين "长鑫 + سلسلة التوريد المحلية" لا يقلل التكاليف والمخاطر المرتبطة بالتوريد فحسب، بل يشكل أيضًا عجلة مغلقة لاستبدال الأجهزة محليًا: توسع 长鑫 في الطاقة الإنتاجية → تحقق الأجهزة المحلية → تكرار تحسين التقنية لدى شركات الأجهزة → ترتفع نسبة تمصير خطوط 长鑫 للجيل التالي أكثر.
6، تموضع استباقي للـ HBM — التقدم إلى مسارات عالية القيمة المضافة. رغم وجود فجوة تقارب 3 سنوات بين 长鑫 في مجال HBM وبين سامسونغ وSK海力士، فقد قامت بالفعل بتخطيط نشط:
يتم تطوير المنتجات المتقدمة التالية في الوقت نفسه مثل ذاكرة CXL من الجيل القادم
تقنية ربط DRAM نفسها هي أساس لتكديس DRAM ثلاثي الأبعاد (3D)، كما أن تكنولوجيا ربط الرقائق لدى HBM تتشابه بشدة؛ ويمكن إعادة توظيف التراكم التقني بشكل متبادل من الجهتين.
7، استثمارات بحث وتطوير عالية الكثافة — تعويض "التأخر في الانطلاق" بكثافة البحث والتطوير. في الفترة 2023-2025، بلغ إجمالي استثمارات 长鑫 في البحث والتطوير خلال 3 سنوات 206 مليارات يوان (وتظهر بيانات أقدم أن إجماليها خلال 3.5 سنوات كان 188 مليار يوان)، وكان عدد العاملين في البحث والتطوير 6259 موظفًا (يمثلون 32.43% من إجمالي الموظفين)، وكانت استثمارات البحث والتطوير أعلى من متوسط 20% من الإيرادات، أي أعلى بكثير من مستوى عمالقة الخارج البالغ 10%-15%. وقد أعادت هذه الاستثمارات العالية في البحث والتطوير إنتاج سمات مشاريع VLSI في اليابان وفترة اللحاق في كوريا لدى سامسونغ — أي استخدام كثافة بحث وتطوير مفرطة لتقليص فجوة التكنولوجيا.
8، يقين الطلب المحلي — "ميزة الأرض المضيفة" تصنع الحاجز التجاري. تحتاج ميزة التفوق التقني إلى سيناريوهات تجارية لتستمر في الاختبار والتكرار. تستند 长鑫 إلى أكبر سوق عالمي للهواتف الاستهلاكية والحوسبة السحابية في 🇨🇳:
تجاوزت نسبة استخدام ذاكرة LPDDR لدى العلامات التجارية المحلية مثل Xiaomi وOPPO وvivo وHonor 30%
بالنسبة لشركات الخدمات السحابية مثل Alibaba Cloud وByteDance وTencent، ارتفعت نسبة إيرادات سلاسل DDR من 13% إلى 28%، مع توقيع اتفاقيات طويلة الأجل لتوريد المنتجات. كما أن التوسع في الطاقة الإنتاجية مبني على "حصص بديلة حقيقية وملموسة" لا على تقلبات أسعار السوق الفورية العالمية.
هذا "اليقين في الطلب المحلي" يمنح 长鑫 تحققًا حقيقيًا في حجم الشحنات للتحقق من تكرارات التقنية، وليس مجرد بحث على الورق.
خلاصة القول: ليست المزايا التقنية لدى 长鑫科技 مجرد اختراق منفرد، بل هي استراتيجية منهجية للمطاردة واللحاق بالركب: تقليص الوقت عبر "القفز على الأجيال" في البحث والتطوير، والالتفاف على حظر EUV عبر ربط DRAM، ونموذج IDM لضمان الاستقلال في السلسلة كاملة، وحاجز براءات لحماية خطوط الدفاع وصد الهجمات، وتعاون الأجهزة المحلية لتكوين عجلة سلسلة توريد، والاستثمار عالي الكثافة في البحث والتطوير مقابل السرعة، والطلب المحلي الذي يوفّر سيناريوهات تحقق حقيقية. وتتمثل منطقها الأساسي في ظل قيود تصدير الولايات المتحدة: استخدام أسلوب "تجاوز عبر طريق التفاف" بدلًا من "مطاردة مباشرة" لتقليص الفجوة تدريجيًا مع "الجهات الثلاث". $CXMT
1، استراتيجية "القفز على الأجيال" للبحث والتطوير — بدلًا من اتباع المسار التقليدي المعتاد للتطوير التدريجي، اعتمدت 长鑫 استراتيجية بحث وتطوير هجومية تقفز على الأجيال: قفزت من منصة العمليات للجيل الأول (18nm/1Xnm) مباشرةً إلى الجيل الرابع (نحو 13-14nm/1αnm)، متجاوزة عملية انتقال 1Ynm (16-17nm). تشبه هذه الاستراتيجية المسار الذي اتبعته سامسونغ في السابق حين انتقلت من 64K مباشرةً إلى 4M/16M مع تطوير متوازٍ متزامن، متجاوزةً اليابان في خطوة واحدة — دون مطاردة تقليدية خطوة بخطوة، بل باستهداف العقدة الأحدث مباشرةً، وتقليص مدة اللحاق بالركب. وقد تم بالفعل إنجاز تغطية الخط الإنتاجي الكامل والتطوير التكراري من DDR4 وLPDDR4X وصولًا إلى DDR5 وLPDDR5/5X، كما دخلت منصة العمليات للجيل الخامس في مرحلة البحث والتطوير.
2، ربط DRAM (Bonded DRAM) — الالتفاف على مسار الإخلال الذي تمثله EUV، وهو أبرز اختراق تقني تحظى به 长鑫 حتى الآن. في يوليو 2026، تم الإفصاح عن أن 长鑫 تجري اختبارات سرية في مدينة هيفي (Hefei) لخط إنتاج تجريبي لربط DRAM:
الفكرة الأساسية: فصل مصفوفة وحدات التخزين والمنطق الطرفي للتحكم إلى رقائق مختلفة لتصنيعها على حدة، ثم عبر "الربط الهجين بين الرقائق" (W2W Hybrid Bonding) يتم محاذاة شريحتين بدقة ثم دمجهما بالانصهار.
الاختراق الرئيسي: يمكن إنتاج DRAM عالية الكثافة باستخدام طباعة ليزر DUV الأشعة فوق البنفسجية العميقة مع تعرضات متعددة فقط، دون الاعتماد على آلات EUV للأشعة فوق البنفسجية القصوى المحظور بيعها بسبب قيود تصدير الولايات المتحدة.
ميزة الأداء: إلغاء النتوءات المجهرية التقليدية (microbumps)، وتقليص طول التوصيلات، وخفض المقاومة الطفيلية واستهلاك الطاقة، ورفع سرعة نقل البيانات، مع عدم زيادة مقاس الرقاقة لرفع كثافة التخزين.
المراحل: وفقًا لتقارير من وسائل إعلام كورية، قد تكون 长鑫 قد سبق بالفعل سامسونغ وSK海力士 من حيث سرعة تطوير تقنية ربط DRAM.
3، التكامل الرأسي IDM — التصميم والتصنيع والتغليف والاختبار ضمن سلسلة كاملة ذات تحكم ذاتي. وعلى عكس معظم شركات أشباه الموصلات الصينية التي تقتصر على تصميم الشرائح فقط، تعتبر 长鑫 الشركة الصينية الوحيدة التي تتبنى نموذج IDM (تكامل التصميم والتصنيع والتغليف والاختبار) كشركة DRAM، متطابقة تمامًا مع سامسونغ وSK海力士 وMicron.
وهذا يعني:
تحكمًا ذاتيًا كاملًا من الرقاقة إلى الشريحة إلى الوحدة (modul)، دون وجود فجوة بين التصميم والتصنيع بالوكالة
القدرة على الاستجابة بسرعة لاحتياجات العملاء المخصصة (مثل تطوير حلول ذاكرة مخصصة لخوادم بالتعاون مع Alibaba Cloud وTencent)
يمكن معالجة مشكلات العائد في خطوط الإنتاج عبر حلقة مغلقة داخلية والتكرار، لتقليص دورة التحسين.
4، السور البراءاتي — ورثت من 奇梦达 (Qimonda) مع تراكم ذاتي. في بدايتها، حصلت 长鑫 على عدد كبير من براءات الاختراع الأساسية من خلال الاستحواذ على شركة DRAM ألمانية متعثرة، هي **奇梦达 (Qimonda)**، لتتجنب موجة الضرب الأولى من الحصار التي قامت بها "الجهات الثلاث" محكمة عبر براءات الاختراع. بعد ذلك، واصلت تراكمها الذاتي؛ وحتى نهاية 2025، بلغ إجمالي براءات الاختراع في كل الفئات 6972 براءة، منها 3165 براءة اختراع محلية في الداخل و3043 براءة اختراع في الخارج، ما شكّل منظومة دفاع براءات خاصة بها، ويمهد لمستقبل تصدير المنتجات.
5، تعاون الأجهزة المحلية — "التحقق من الإنتاج الضخم" بوصفه دافعًا للاستقلال في سلسلة التوريد. توفر خطوط إنتاج 长鑫 الإنتاجية منصة تحقق حاسمة لمعدات أشباه الموصلات المحلية:
حاليًا، تبلغ نسبة معدات الإنتاج الضخم المصنوعة محليًا إجمالًا نحو 40-50%، ومن المتوقع أن تتجاوز نسبة تمصير المنصة الجديدة 40%
تطوير مشترك عميق مع شركات مثل北方华创 (النقش/الترسيب بالغشاء الرقيق)، 中微公司 (النقش عالي نسبة العمق إلى العرض)، 拓荆科技 (PECVD/ALD)، 华海清科 (CMP) وغيرها
ارتفاع نسبة التممصرة يترجم مباشرةً إلى خفض التكاليف: في الفترة 2023-2025، انخفض سعر شراء رقائق السيليكون بنحو 30%، وانخفضت مواد الهدف بنسبة 22%، وانخفضت قطع الغيار بنسبة 47%، وانخفضت المواد الكيميائية بنسبة 26%. هذا النمط من الربط بين "长鑫 + سلسلة التوريد المحلية" لا يقلل التكاليف والمخاطر المرتبطة بالتوريد فحسب، بل يشكل أيضًا عجلة مغلقة لاستبدال الأجهزة محليًا: توسع 长鑫 في الطاقة الإنتاجية → تحقق الأجهزة المحلية → تكرار تحسين التقنية لدى شركات الأجهزة → ترتفع نسبة تمصير خطوط 长鑫 للجيل التالي أكثر.
6، تموضع استباقي للـ HBM — التقدم إلى مسارات عالية القيمة المضافة. رغم وجود فجوة تقارب 3 سنوات بين 长鑫 في مجال HBM وبين سامسونغ وSK海力士، فقد قامت بالفعل بتخطيط نشط:
يتم تطوير المنتجات المتقدمة التالية في الوقت نفسه مثل ذاكرة CXL من الجيل القادم
تقنية ربط DRAM نفسها هي أساس لتكديس DRAM ثلاثي الأبعاد (3D)، كما أن تكنولوجيا ربط الرقائق لدى HBM تتشابه بشدة؛ ويمكن إعادة توظيف التراكم التقني بشكل متبادل من الجهتين.
7، استثمارات بحث وتطوير عالية الكثافة — تعويض "التأخر في الانطلاق" بكثافة البحث والتطوير. في الفترة 2023-2025، بلغ إجمالي استثمارات 长鑫 في البحث والتطوير خلال 3 سنوات 206 مليارات يوان (وتظهر بيانات أقدم أن إجماليها خلال 3.5 سنوات كان 188 مليار يوان)، وكان عدد العاملين في البحث والتطوير 6259 موظفًا (يمثلون 32.43% من إجمالي الموظفين)، وكانت استثمارات البحث والتطوير أعلى من متوسط 20% من الإيرادات، أي أعلى بكثير من مستوى عمالقة الخارج البالغ 10%-15%. وقد أعادت هذه الاستثمارات العالية في البحث والتطوير إنتاج سمات مشاريع VLSI في اليابان وفترة اللحاق في كوريا لدى سامسونغ — أي استخدام كثافة بحث وتطوير مفرطة لتقليص فجوة التكنولوجيا.
8، يقين الطلب المحلي — "ميزة الأرض المضيفة" تصنع الحاجز التجاري. تحتاج ميزة التفوق التقني إلى سيناريوهات تجارية لتستمر في الاختبار والتكرار. تستند 长鑫 إلى أكبر سوق عالمي للهواتف الاستهلاكية والحوسبة السحابية في 🇨🇳:
تجاوزت نسبة استخدام ذاكرة LPDDR لدى العلامات التجارية المحلية مثل Xiaomi وOPPO وvivo وHonor 30%
بالنسبة لشركات الخدمات السحابية مثل Alibaba Cloud وByteDance وTencent، ارتفعت نسبة إيرادات سلاسل DDR من 13% إلى 28%، مع توقيع اتفاقيات طويلة الأجل لتوريد المنتجات. كما أن التوسع في الطاقة الإنتاجية مبني على "حصص بديلة حقيقية وملموسة" لا على تقلبات أسعار السوق الفورية العالمية.
هذا "اليقين في الطلب المحلي" يمنح 长鑫 تحققًا حقيقيًا في حجم الشحنات للتحقق من تكرارات التقنية، وليس مجرد بحث على الورق.
خلاصة القول: ليست المزايا التقنية لدى 长鑫科技 مجرد اختراق منفرد، بل هي استراتيجية منهجية للمطاردة واللحاق بالركب: تقليص الوقت عبر "القفز على الأجيال" في البحث والتطوير، والالتفاف على حظر EUV عبر ربط DRAM، ونموذج IDM لضمان الاستقلال في السلسلة كاملة، وحاجز براءات لحماية خطوط الدفاع وصد الهجمات، وتعاون الأجهزة المحلية لتكوين عجلة سلسلة توريد، والاستثمار عالي الكثافة في البحث والتطوير مقابل السرعة، والطلب المحلي الذي يوفّر سيناريوهات تحقق حقيقية. وتتمثل منطقها الأساسي في ظل قيود تصدير الولايات المتحدة: استخدام أسلوب "تجاوز عبر طريق التفاف" بدلًا من "مطاردة مباشرة" لتقليص الفجوة تدريجيًا مع "الجهات الثلاث". $CXMT
