随着堆叠层数超过 300 层,NAND 制造商正从钨转向钼;到 2027 年,钼将占产能的 30%
据 SemiAnalysis 8 月 23 日报道,随着堆叠层数超过 300 层,3D NAND 存储器生产正从钨(W)转向钼(Mo),原因是传统钨字线受到物理和制造限制。SK Hynix 目前以 321 层领先,其次是 Samsung 的 286 层、Micron 的 276 层,以及 Kioxia/SanDisk 的 218 层。 SemiAnalysis 预测,钼在全球 NAND 产能中的占比将从 2025 年的个位数百分比水平上升至 2027 年的约 30%。仅钼沉积设备市场规模预计就将在 2027 年超过 10 亿美元;如果 DRAM 和逻辑芯片采用钼工艺,到 2030 年该市场规模可能增长至每年 20 亿美元。预计 Lam Research 和 Tokyo Electron 将引领设备供应商收益增长,而 Applied Materials、ASML 以及中国芯片制造商 Naura 可能受益于钼工艺在存储器和逻辑芯片领域的更广泛采用。
Gate News·08-23 11:22
