Samsung використала Computex для попереднього огляду HPB, або Heat Path Block, теплової функції для свого наступного покоління пам’яті HBM5

Це відповідь Samsung на підхід до охолодження, який вже розкрила SK Hynix
Обидві компанії намагаються вирішити одну й ту ж проблему: тепло
HBM укладає багато чипів DRAM вертикально один над одним на базовому чипі, і кожне нове покоління продовжує збільшувати ємність і пропускну здатність, додаючи більше шарів і підвищуючи швидкість передачі даних. Це також підвищує щільність потужності
Тепло, яке утворюється посередині високої стопки, важко покинути, оскільки йому потрібно рухатися вгору через шари кремнію та через-силіконові отвори, перш ніж досягти холодної пластини зверху. Оскільки стопки стають вищими і швидшими, цей вертикальний вузький місце стає справжнім обмежувачем. Гарячий DRAM пропускає більше тепла, потребує частішого оновлення та може почати обмежувати швидкість
Рішення Samsung полягає у додаванні бічного теплового шляху замість того, щоб покладатися лише на вертикальний маршрут. HPB — це спеціальна теплова структура, розміщена поруч із стопкою DRAM на тому ж базовому чипі. Вона побудована на такій же висоті, як і стопка, і з’єднана через інтерфейс PHY між чипами. Надлишкове тепло від стопки рухається вбік у HPB, а потім більш ефективно розсіюється вгору у холодну пластину
SK Hynix досягла цієї ідеї раніше з iHBM, яка вбудовує інтегровані елементи охолодження у пакет за допомогою процесу, званого MR-RUF
Перші GPU з HBM5 очікуються не раніше 2028–2029 років, тому і Samsung, і SK Hynix ще мають роки для вдосконалення цих рішень разом із своїми партнерами