DRAM знову встановлює історичний рекорд: перший у світі чистий пам’ятевий ETF досягає майже 150% зростання за рік?

2026 年 4 月 2 日，全球首只以純內存芯片為投資主題的交易所交易基金——Roundhill Memory ETF（交易代碼：DRAM）在 Cboe BZX 交易所正式掛牌。上線僅兩個月，該 ETF 的價格從發行初期的約 28 美元一路上行至 50 美元以上，累計漲幅接近 150%，資產管理規模突破 100 億美元，成為有史以來增長最快的 ETF 之一。截止 2026 年 6 月 2 日，DRAM 的最新交易價格報 68 USD，24 小時漲幅為 7.6%。

這只 ETF 的爆發式增長並非孤立事件，而是全球 AI 基礎設施擴張浪潮在資本市場的集中投射。它所追蹤的內存芯片，正處於 AI 算力擴張中最為關鍵的瓶頸環節。

為什麼一只上線僅兩個月的 ETF 能成為全球增長最快的產品？

兩個月走完十年路——DRAM ETF 增長里程碑

DRAM 用約兩個月的時間走完了傳統 ETF 數年才能走完的規模增長路徑。其爆發力不僅僅源於二級市場價格的上漲——從發行時的 28 美元到 50 美元以上，漲幅本身已極具吸引力——更在於資金流入的速度遠超預期。

根據公開數據，DRAM 在上市後 10 天內即突破 10 億美元資產管理規模，25 天內突破 50 億美元。這一速度打破了既有記錄，使其成為 ETF 歷史上達到 100 億美元 AUM 用時最短的產品。截至 2026 年 5 月底，該基金的 AUM 已穩定在約 103 億美元水平，周度資金流入持續為正。

如此強勁的資金關注度，反映出市場對“純內存主題”這一差異化投資方向的認可。相較於廣泛覆蓋邏輯芯片、設備製造等多個環節的 SOXX 或 SMH 等傳統半導體 ETF，DRAM 將投資範圍嚴格限制在內存和存儲芯片領域，提供了一種更集中、更純粹的 AI 基礎設施暴露方式。

內存芯片為何成為當前 AI 算力擴張中最關鍵的瓶頸環節？

理解 DRAM 的價格表現，首先需要回答一個核心問題：內存芯片在 AI 算力體系中扮演著怎樣的角色？

AI 算力的提升不僅依賴 GPU 等計算芯片的持續演進，更受限於數據在處理器與存儲之間的傳輸效率。高頻寬內存（HBM）是 AI 加速卡的核心配套組件，而 DRAM 和 NAND 閃存則承擔著伺服器系統運行和大規模數據存取的支撐功能。

目前，HBM、DRAM 及 NAND 閃存的供應緊張局面預計將持續到 2026 年之後，核心驅動力來自 AI 應用對高性能內存的爆發性需求，而供給端受制於多重技術瓶頸難以快速擴產。具體而言，HBM 新制程的晶粒尺寸持續增大，導致單片晶圓可切割出的芯片數量下降，削弱了供給彈性；極紫外光光刻工藝在先進制程 DRAM 中的導入進一步約束了產能爬坡速度。

AI 算力的阿喀琉斯之踵——內存芯片供需緊張格局

供給受限的同時，需求端的擴張仍在加速。摩根大通在最新研究報告中大幅上調了 2026 至 2028 年全球存儲市場規模預測，預計 2028 年總規模將達 1.7 萬億美元。美光科技已確認其 2026 年全部 HBM 產能已被預訂完畢，定價能力顯著增強。SK Hynix 在 HBM 市場中佔據約 60% 的份額，成為英偉達 AI 生態系統的關鍵支撐方。

純內存主題的 ETF 持倉特徵：集中度如何、風險敞口如何分佈？

DRAM 的高度集中並非設計缺陷，而是其主題定位的必然產物。該 ETF 目前共持有 20 只成分證券，前三大持倉——SK Hynix、Samsung Electronics 和 Micron Technology——合計權重接近 70%，其中僅 SK Hynix 一家即占約 27% 至 28% 的基金權重。

三強鼎立與地域分佈——DRAM ETF 持倉集中度一覽

該 ETF 中韓國公司的合計權重約為 52%–55%（主要來自 SK Hynix 與 Samsung Electronics），美國公司合計權重約為 32%–35%（主要來自 Micron Technology 等），其餘敞口分佈在中國台灣（約 7%–8%）、日本（約 3%–4%）及其他地區。三者合計接近 100%。這種地理集中度同樣反映了全球內存芯片產能的地域分佈特徵：韓國企業在 HBM 和 DRAM 領域佔有絕對主導地位，美國美光科技在 DRAM 和 NAND 領域同樣佔據重要位置，而中國台灣的南亞科技和華邦電則作為補充成分納入組合。

從 HBM 到 DDR5：內存需求的擴容邏輯正在經歷怎樣的結構演變？

過去兩年，市場對內存存儲的關注主要集中於 HBM，因為它是 AI 訓練芯片的直接配套組件。但隨著 AI 應用從訓練階段逐步向推理階段和智能體 AI 時代演進，內存需求的品類結構正在發生深刻變化。

從 HBM 到 DDR5——AI 內存需求結構演變

瑞銀在最新報告中指出，AI 產業的底層需求結構已經開始轉變。2023 年前後，大模型需求主要來自訓練環節；2024 年至 2025 年，市場重心逐漸轉向推理；而從 2026 年開始，行業正加速進入智能體 AI 時代——AI 不僅能回答問題，還能自主規劃、執行任務和調用工具，這意味著其對存儲資源的消耗將呈現指數級增長。

在這一新框架下，DDR5 的作用正在凸顯。智能體 AI 需要大量 CPU 參與任務編排、狀態管理、工具調用等環節，而 CPU 最核心的配套存儲正是 DDR5。瑞銀認為，未來幾年最大的需求增量可能來自 DDR5 而非 HBM。摩根大通的預測也支持這一判斷，該機構將 2026 至 2028 年伺服器內存需求預測上調 5% 至 22%，其中超過 60% 來自 AI 伺服器的增量貢獻。

這意味著 DRAM ETF 所覆蓋的品類需求結構正在從“單一品類”走向“多點開花”——HBM 延續強勁，DDR5 加速跟進，企業級 SSD 亦在 AI 推理需求的拉動下快速擴張。摩根大通預計 eSSD 市場規模在 2026 年將超過 500 EB，佔 NAND 總需求的 43%。

三大內存巨頭的業績斷層如何支撐 ETF 的持倉價值？

DRAM 的持倉組合之所以能持續獲得市場關注，根本原因在於其底層成分公司的業績增長已脫離傳統的“周期性波動”模式，進入由結構性需求驅動的增長通道。

底層引擎——三大內存巨頭業績斷層速覽

SK Hynix 的最新財報顯示，其收入同比增長 198%，淨利潤同比增長 165%，同時管理層上調了遠期業績指引。Micron 的季度收入從上年同期的約 80 億美元躍升至超過 230 億美元。三星電子同樣憑藉其在 HBM 和 DDR5 領域的產能優勢，年內股價漲幅已超過 160%。

值得關注的是，這三家公司的市值均已突破 1 萬億美元門檻，成為全球資本市場最受關注的 AI 基礎設施標的。Bloomberg 數據顯示，Micron 的淨利潤預計將從 2025 年的 85 億美元躍升至 2026 年的 668 億美元，2027 年有望達到約 1,200 億美元。如果這些預期逐步兌現，則 DRAM 持倉組合的盈利增長仍具備較高的可見度。

但從估值角度來看，市場的樂觀預期已經相當充分。當前 Micron 和 SanDisk 的遠期市盈率分別約為 10 倍和 10 倍，但這一估值建立在利潤持續增長的基礎之上。歷史數據顯示，Micron 在周期性高點的市盈率曾達到 46 倍，而 SanDisk 曾達到 58 倍，說明當前的估值擴張更多反映的是利潤增長預期而非估值泡沫。

超級周期的持續性如何驗證？需要注意哪些風險？

任何資產在經歷短期爆發式增長後，都需要回答一個根本問題：這種增長能否持續？對於 DRAM 而言，以下三個維度的因素將決定其中期走勢。

**資本支出的可持續性。**四大雲和平台公司——亞馬遜、Meta、Alphabet 和微軟——預計 2026 年在 AI 基礎設施方面的資本支出將高達 7,250 億美元。但部分公司正在通過增加債務來支撐這一支出節奏，如果後續資本支出增速放緩，芯片公司的盈利展望和股價將受到直接沖擊。

**內存定價周期轉折點的風險。**雖然當前 DRAM 和 NAND 合約價格仍處於上行通道，但內存行業歷來具有強周期性特徵。TrendForce 預測 2026 年第一季度傳統 DRAM 合約價格可能環比上漲 55% 至 60%，漲幅本身已隱含價格對供需狀況的高度敏感度。一旦需求增速出現邊際放緩或供給端產能逐漸釋放，價格高位回落將對高度依賴定價槓桿的內存公司利潤產生明顯壓縮效應。

**集中持倉的雙刃效應。**DRAM 約 70% 的權重集中在三家公司，這意味著底層成分股的任何負面消息都將對 ETF 凈值產生顯著影響。另一方面，該基金對韓國市場的高度依賴也使其面臨貨幣匯率風險和政策環境變化的風險。

摩根大通在報告中坦承，存儲股目前仍以折價於盈利的估值水平交易，主要原因在於市場對存儲價值份額能否持續提升存有疑慮。但該機構認為，AI 已帶來全新的需求結構，傳統的周期性估值框架已不再適用。這本質上是一個需要時間檢驗的命題：在“結構性轉折點”與“周期性高點”之間，市場的判斷機制還未形成共識。

總結

DRAM 的歷史新高行情，從本質上是 AI 基礎設施投資浪潮在資本市場的集中映射。該 ETF 憑借“純內存”的差異化定位和底層成分股的業績支撐，在較短時間內完成了規模的快速擴張。其背後是內存芯片作為 AI 算力核心瓶頸的結構性邏輯——HBM 供不應求、DDR5 需求加速、企業級 SSD 持續擴容，共同構成了多層需求驅動體系。

然而，集中度風險、定價周期轉折點以及估值可持續性等變數依然存在。當前價格中所包含的樂觀預期程度，將決定該 ETF 在後續市場環境中的表現形態。對於市場參與者而言，理解 DRAM 的結構性邏輯與周期性約束，是評估這一新興投資工具價值的關鍵前提。

常見問題

DRAM ETF 是什麼類型的基金，它的投資主題是什麼？

DRAM 是由 Roundhill Investments 發行的全球首只純內存主題主動管理型 ETF，于 2026 年 4 月 2 日在美國 Cboe BZX 交易所掛牌上市。該基金將至少 80% 的淨資產投向內存和存儲芯片公司，重點關注 HBM、DRAM、NAND 閃存等品類，以區別於覆蓋範圍更廣的傳統半導體 ETF。

DRAM ETF 的主要持倉有哪些，集中度如何？

目前 DRAM 持有約 20 只成分證券，前三大持倉為 SK Hynix（約 28%）、Samsung Electronics（約 21%）和 Micron Technology（包括正股及衍生品合計約 26%），三者合計佔基金權重約 70% 至 75%。

DRAM 的累計漲幅接近 150%，主要驅動因素是什麼？

核心驅動是 AI 算力擴張對內存芯片的結構性需求。HBM 作為 AI 加速卡的關鍵配套組件，目前供不應求且產能擴張受限；同時，AI 應用從訓練階段擴展到推理和智能體 AI 後，對 DDR5 和企業級 SSD 的需求也在加速釋放，共同推高了內存公司的盈利預期和股票估值。

投資 DRAM ETF 需要注意哪些風險？

主要風險包括：（1）持倉高度集中於三家公司，底層個股波動將直接影響 ETF 凈值；（2）內存行業具有強周期性，合約價格轉折點可能帶來業績壓力；（3）AI 資本支出如果放緩，將對依賴高資本投入的內存需求產生負面影響；（4）基金對韓國市場的高度依賴帶來貨幣匯率與地域政策風險。

該 ETF 的費用比率和管理方式是怎樣的？

DRAM 屬於主動管理型 ETF，費用比率為 0.65%。基金管理團隊每季度進行一次再平衡，根據各公司在內存和存儲領域的市場與收入份額動態調整持倉權重，同時受單家公司權重不超過 25% 的約束。