Não se limite às oscilações do $ETH, esse avanço no hardware é que sustenta a narrativa de IA em sua base.

ETH-3,13%
Ver original
God-givenTeam
Samsung Electronics acelera o desenvolvimento da próxima geração de memória de alta largura de banda Os primeiros HBM4E serão produzidos em maio
A Samsung Electronics está a impulsionar totalmente o progresso do desenvolvimento do seu produto de memória de alta largura de banda (HBM) de próxima geração, procurando consolidar ainda mais a sua vantagem no mercado de memória de inteligência artificial de alta gama. Segundo relatos, a Samsung Electronics planeja produzir os primeiros exemplares de HBM4E compatíveis com os padrões da Nvidia já em maio de 2026. Fontes do setor revelaram que a Samsung possui um cronograma claro e compacto. O seu objetivo é, até meados do próximo mês, fazer com que o departamento de foundry produza com sucesso amostras do chip lógico central do HBM4E.
repost-content-media
Esta página pode conter conteúdos de terceiros, que são fornecidos apenas para fins informativos (sem representações/garantias) e não devem ser considerados como uma aprovação dos seus pontos de vista pela Gate, nem como aconselhamento financeiro ou profissional. Consulte a Declaração de exoneração de responsabilidade para obter mais informações.
  • Recompensa
  • Comentar
  • Republicar
  • Partilhar
Comentar
Adicionar um comentário
Adicionar um comentário
Nenhum comentário
  • Fixar