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Shengmei Shanghai a lancé avec succès le premier équipement PECVD SiCN
Le 27 avril, Shengmei Shanghai a annoncé que son premier équipement de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) pour le carbure de silicium (SiCN) était officiellement sorti d’usine. Cet équipement vise à soutenir la technologie PECVD NDC (SiCN) dans les applications de processus de métallisation post-étape pour les procédés IC haut de gamme de 55 nanomètres et moins, avec des scénarios d’application comprenant l’inhibition de l’oxydation du cuivre, la barrière de diffusion du cuivre et la couche d’arrêt de gravure. (People’s Financial News)