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三星利用 Computex 預覽了 HPB，或稱熱路阻擋（Heat Path Block），這是其下一代 HBM5 記憶體的熱管理特性
這是三星對已由 SK 海力士揭示的冷卻方法的回應
兩家公司都在試圖解決同一個問題：熱量
HBM 將多個 DRAM 晶片垂直堆疊在一個基底晶片上，每一代都通過增加層數和提高數據傳輸速率來不斷增加容量和帶寬。這也提高了功率密度
在高聳堆疊的中間產生的熱量難以散出，因為它必須穿過硅層和硅通孔向上移動，才能到達頂部的冷卻板。隨著堆疊變得更高、更快，這個垂直瓶頸成為真正的限制因素。熱的 DRAM 會漏出更多熱量，需要更頻繁的刷新周期，甚至可能開始限制性能
三星的解決方案是增加一條側向的熱路，而不是僅依賴垂直路徑。HPB 是一個專用的熱結構，放置在與 DRAM 堆疊相鄰的同一基底晶片上。它的高度與堆疊相同，並通過晶片間的 PHY 介面連接。堆疊產生的多餘熱量沿側向傳入 HPB，然後更有效率地向上散入冷卻板
SK 海力士首先提出了這個想法，使用一個名為 MR-RUF 的工藝，將集成冷卻元件嵌入封裝中，稱為 iHBM
使用 HBM5 的首批 GPU 預計要到 2028–2029 年才會推出，因此三星和 SK 海力士仍有數年時間與合作夥伴共同完善這些設計