Daniel Romero

$AMZN 獲准建設最大的 AI 資料中心電力園區
$AMZN 已揭露為西德州佩科斯郡 7.65 GW 資料中心專案背後的公司
該園區已獲准建設 35 座燃氣渦輪機，並包含 1.8 GW 電池儲能及最多 750 MW 太陽能的規劃
Pacifico Energy 將擁有並營運該發電廠，而 Amazon 負責購買電力
預計第一批電力將於 2027 年第一季供應，2028 年上線 1 GW，2031 年前達到超過 5 GW，並已獲准建設最多 7.65 GW 的燃氣發電容量
AWS 已承諾為 Anthropic 提供最多 5 GW 的容量，以及為 OpenAI 提供 2 GW 的 Trainium 容量，均與此專案相關
透過在 ERCOT 電網之外營運，Amazon 可以避開長達數年的併網延遲，更快速地部署 AI 基礎設施
該園區設計為日後在必要輸電設施可用時接入電網

Elon Musk 想在 Terafab 投資超過 $120B
部分原因是為了製造記憶體
我確信那是因為他看到記憶體價格正從當前水準大跌
當最大的記憶體消費者之一決定自行製造記憶體時，這就告訴你未來的方向了

說記憶體交易已死的人數……
這些看法一個月前去哪了？
> 頂部看多，-50% 看空
跟隨情緒沒有超額收益
大多數看法甚至不談數據
只說「大宗商品」和「低本益比意味著頂部」
六月時它不也是大宗商品嗎？

Elon Musk 在上次 $SPCX 財報電話會議上用一句話概括了記憶體多頭論點：
「記憶體產量每年增加約 20%。
需求每年增加 20% 嗎？不，需求每年增加 200%，可能更高。
如果需求增長速度遠快於供給，經濟學 101 會告訴你，價格會上漲。
價格不會下跌。」

$NBIS Vineland 擴建案面臨日益加劇的反對
反對聲浪日益高漲，已有 2,900 人簽名，數百人出席 8 月 5 日的聽證會
DataOne 修訂後的設計每年仍將排放 21.9 億磅 CO₂、消耗約 800 萬加侖的水，並包含一座 150 萬加侖的 LNG 儲槽
8 月 5 日為期六小時的聽證會在未進行表決或公開陳述的情況下結束。聽證會將於 8 月 17 日恢復，屆時規劃委員會可能決定是否批准修訂後的擴建計畫及電力基礎設施

美國對多晶矽徵收 15% 關稅
影響矽電池、矽晶圓及成品太陽能模組
半導體產業協會警告，美國國內晶圓產能目前無法滿足需求，尤其是先進的 300mm 晶圓

花旗表示，記憶體回調是買進機會
重申對 $SKHY 的買進評級，分別將其 2026 年和 2027 年營業利益預估上調 4% 和 3%，並維持 ₩310 萬的目標價
花旗還預期，由於長期協議，這一週期將持續更久

終於！
我從沒去過德州
我想凡事都有第一次

Bernstein 關於 MW 貨幣化的圖表相當實用

ABF 基板的產能已售罄至 2028 年
$NVDA、$AMD 與超大規模雲端服務商正預留產能，以確保取得 Ajinomoto Build-up Film 基板的供應至 2028 年
客戶也鼓勵供應商開始規劃 2029–2030 年的擴產，包括重新啟動共同投資安排

路透社報導，$MSFT、$META、$ORCL、$AMZN 以及 $GOOG 擁有尚未開始租賃的 1.1 萬億美元承諾租賃付款
Microsoft 披露了 3291 億美元，Meta 為 2790 億美元，另有 7 月簽署的 680 億美元，Oracle 為 2600 億美元，Amazon 為 1372 億美元，Alphabet 為 852 億美元
Oracle 的合約通常為期 15–19 年

Ayar Labs 執行長 Mark Wade 表示，共封裝光學的規模化部署仍按計畫於 2028–2029 年期間逐步擴大
他指出，台灣的晶圓代工、封裝及系統供應鏈對商業化至關重要

回頭看看 Morgan Stanley 6 月 29 日這項預言般的預測
Leopold 早該讀到這段並盡快賣掉他的持倉

我得承認，我會想念 Situational Unawareness 13F 更新，以及看著 X 因此陷入瘋狂的時光

據業界消息，$SKHY、$MU 與 Samsung 據報已售罄，並已完全分配其 2027 年的整體 DRAM 與高頻寬記憶體產能
看來又一個創紀錄的獲利年度已經確定了

$SPCX 盤前下跌 10%
可能不是 Elon 原本想像的發展方向

Samsung 揭示 zHBM，承諾最高達 HBM5 8× 的效能
Samsung 揭示 zHBM，這是一種新一代 3D 記憶體架構，將多個 HBM 單元直接垂直堆疊於 AI 加速器上方，而非按照傳統 2.5D 佈局將其置於處理器旁邊
Samsung 宣稱 zHBM 可帶來：
- 比 HBM5 高出 4–8× 的效能
- 每瓦效能最高提升 3×
- 熱阻降低超過 50%
其主要優勢在於縮短記憶體與處理器之間的資料傳輸距離。更高密度的 TSV 連接使垂直結構成為可能。Samsung 認為，隨著客戶要求約 10× 更高的記憶體效能，傳統 HBM4 與 HBM5 架構可能已不足以應付需求
Samsung 也揭露了更多 HBM5 的細節，預計其效能將達到 HBM4E 的 2×，並將熱阻降低 20%。它將採用 2nm 基板晶粒，以及旨在改善散熱的新型 Heat Path Block 結構
除了 HBM 之外，Samsung 還推出：
- zNAND-O：四個或八個垂直堆疊的 V-NAND 單元，專為電腦與智慧型手機上的裝置端 AI 設計，可降低對高成本資料中心推論的依賴
- V10 BV-NAND：Samsung 第 10 代 NAND，具備超過 400 個垂直堆疊層數，同時提升讀取、寫入與 I/O 效能