Daniel Romero

vip
幣齡 5.8年
最高等級 5
用戶暫無簡介
終於!
我從沒去過德州
我想凡事都有第一次
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Bernstein 關於 MW 貨幣化的圖表相當實用
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ABF 基板的產能已售罄至 2028 年
$NVDA$AMD 與超大規模雲端服務商正預留產能,以確保取得 Ajinomoto Build-up Film 基板的供應至 2028 年
客戶也鼓勵供應商開始規劃 2029–2030 年的擴產,包括重新啟動共同投資安排
NVDA-0.10%
AMD1.57%
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路透社報導,$MSFT$META$ORCL$AMZN 以及 $GOOG 擁有尚未開始租賃的 1.1 萬億美元承諾租賃付款
Microsoft 披露了 3291 億美元,Meta 為 2790 億美元,另有 7 月簽署的 680 億美元,Oracle 為 2600 億美元,Amazon 為 1372 億美元,Alphabet 為 852 億美元
Oracle 的合約通常為期 15–19 年
MSFT2.54%
META0.18%
ORCL-0.63%
AMZN-0.10%
GOOG-0.91%
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Ayar Labs 執行長 Mark Wade 表示,共封裝光學的規模化部署仍按計畫於 2028–2029 年期間逐步擴大
他指出,台灣的晶圓代工、封裝及系統供應鏈對商業化至關重要
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回頭看看 Morgan Stanley 6 月 29 日這項預言般的預測
Leopold 早該讀到這段並盡快賣掉他的持倉
MS-2.07%
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我得承認,我會想念 Situational Unawareness 13F 更新,以及看著 X 因此陷入瘋狂的時光
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據業界消息,$SKHY$MU 與 Samsung 據報已售罄,並已完全分配其 2027 年的整體 DRAM 與高頻寬記憶體產能
看來又一個創紀錄的獲利年度已經確定了
SKHY-4.90%
MU-1.25%
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$SPCX 盤前下跌 10%
可能不是 Elon 原本想像的發展方向
SPCX6.11%
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@vicin888 即使在那種情況下,4x 也不是真的
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Samsung 揭示 zHBM,承諾最高達 HBM5 8× 的效能
Samsung 揭示 zHBM,這是一種新一代 3D 記憶體架構,將多個 HBM 單元直接垂直堆疊於 AI 加速器上方,而非按照傳統 2.5D 佈局將其置於處理器旁邊
Samsung 宣稱 zHBM 可帶來:
- 比 HBM5 高出 4–8× 的效能
- 每瓦效能最高提升 3×
- 熱阻降低超過 50%
其主要優勢在於縮短記憶體與處理器之間的資料傳輸距離。更高密度的 TSV 連接使垂直結構成為可能。Samsung 認為,隨著客戶要求約 10× 更高的記憶體效能,傳統 HBM4 與 HBM5 架構可能已不足以應付需求
Samsung 也揭露了更多 HBM5 的細節,預計其效能將達到 HBM4E 的 2×,並將熱阻降低 20%。它將採用 2nm 基板晶粒,以及旨在改善散熱的新型 Heat Path Block 結構
除了 HBM 之外,Samsung 還推出:
- zNAND-O:四個或八個垂直堆疊的 V-NAND 單元,專為電腦與智慧型手機上的裝置端 AI 設計,可降低對高成本資料中心推論的依賴
- V10 BV-NAND:Samsung 第 10 代 NAND,具備超過 400 個垂直堆疊層數,同時提升讀取、寫入與 I/O 效能
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$AMD 在財報公布後下跌
但拉遠來看
當你年初至今上漲 142% 時,你需要大幅超越預期,否則財報公布後股價不會繼續走高
賣出消息,諸如此類
總之,$AMD 未來幾年會有很棒的表現
AMD1.57%
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CoPoS 邁向商業化,台灣供應商把握機會
$TSM 與 Intel 正在推進玻璃基板封裝計畫,預計於 2026 年完成驗證,並以 2028 年量產為目標。台灣設備供應商 Grand Process Technology (3131)、All Ring Tech (6187) 和 Gallant Precision (6640) 預計將受益
AI 晶片封裝正從晶圓級生產轉向面板級生產。Intel 正與 Lens Technology 合作開發玻璃基板封裝,而 TSMC 持續驗證 CoPoS,即 Chip-on-Panel-on-Substrate
下一代 CoPoS 將玻璃核心與玻璃通孔(TGV)技術結合,以大型矩形面板取代圓形矽晶圓。這可能使材料利用率從約 65% 提高至超過 90%,降低 20% 至 30% 的封裝成本,改善翹曲控制,並支援大於 14 個光罩尺寸的 AI 封裝
玻璃基板還具備低熱膨脹、高平坦度及強大的高頻訊號傳輸能力。TSMC、Intel、Samsung 和 SK Hynix 都已將這項技術納入其先進封裝路線圖
Grand Process Technology (3131) 預計將受益於清洗、蝕刻、光阻剝離、表面處理及銅通孔填充所使用的濕製程設備需求
由於 CoPoS 面板遠大於傳統 12 英寸晶圓,All Ring Tech (6187) 應可受益於大尺寸自動
TSM1.04%
INTC-1.34%
SKHY-4.90%
SKHYV-0.98%
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天哪 $NBIS
NBIS-13.29%
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是時候揭露真面目了,我想說
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半導體承受龐大賣壓,即使在近期我們收到的機構報告更新之後仍然如此
此外,還有來自 Amazon 和 Samsung 的財報與展望
目前債券沒有讓股市起飛
ON1.76%
AMZN-0.10%
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我的整體投資組合與投資論點全都在一篇文章中
- 今年迄今(YTD)上漲 65%,在過去六年內上漲 869%
對 AI 建設(buildout)提供高品質、上漲潛力高的曝險
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$NVDA 網路主管 Gilad Shainer:
「訓練很複雜,但推論更困難。」
原因在於訓練相對可預測且同步;而推論更具動態性,牽涉到跨 GPU、CPU、儲存與網路的延遲敏感流量。
Shainer 表示,Nvidia 的優勢並非某個單一開關或協定,而是將 GPU、NVLink、Spectrum-X、ConnectX、BlueField、儲存與軟體整合成一個同步系統。
Spectrum-X 使用開放的以太網標準,但效能來自 Nvidia 專有的協調方式,讓交換器、網卡(NIC)與 GPU 之間能協同運作:
「這是 IP。這就是 Nvidia 的實作。」
因此,真正的鎖定(lock-in)爭論重點不在於第三方硬體是否能連接,而在於客戶能否在不實質損害效能的情況下替換 Nvidia 的元件。
Nvidia 可以在介面層級保持開放,同時在其底層仍打造一個深度專有的系統
NVDA-0.10%
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3 位聯準會鷹派呼籲再升息
三位在 7 月 FOMC 會議中持不同意見的聯準會官員警告,除非盡快提高利率,否則通膨可能仍會高於 2% 目標
克里夫蘭聯準會(Cleveland Fed)總裁 Beth Hammack 表示:
「現在是 FOMC 採取行動的時候,才能更快將 PCE 通膨率拉回 2% 目標。」
她補充:
「高通膨持續得越久,再度將其下調就越困難、成本也越高。」
明尼阿波利斯聯準會(Minneapolis Fed)總裁 Neel Kashkari 主張,現在逐步收緊會降低後續採取更激進行動的風險:
「現在先做一連串小幅的政策調整,比起等待,並最終得出必須採取更大膽措施的結論,會更好。」
達拉斯聯準會(Dallas Fed)總裁 Lori Logan 表示,目前的貨幣政策限制程度不夠:
「目前的貨幣政策不足以約束經濟。」
「在缺乏政策約束下,除非發生意外衝擊,通膨很可能會持續呈現高於目標的走勢。」
聯準會將利率維持在 3.5–3.75%,12 位成員中有 3 位投票支持 25 個基點的升息。市場目前對 9 月升息的定價,約有 65% 的機率
經濟基本面強勁使聯準會決策更棘手
美國第 2 季(Q2)GDP 年化成長放緩至 1.5%,低於 1.8% 的預測,且較第 1 季(Q1)的 2.1% 下滑。不過,經濟基本面仍然強勁:
GAS-0.46%
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全球投資銀行野村證券維持對三星電子(Samsung Electronics)的買入評級,並給出 ₩670,000 目標股價
該機構認為,儘管市場對記憶體週期的疑慮日益升溫,記憶體供給短缺很可能仍將持續至 2027–2028 年。結合三星的大規模股東回饋計畫,野村預期這將推動公司估值重新定價
野村分析師 C.W. Jung 在 7 月 31 日的一份報告中寫道:
「在市場對記憶體市場狀況的擔憂不斷增加的同時,我們仍維持對記憶體市場以及三星電子獲利前景的正向展望。」
Jung 進一步補充:
「我們認為,2027–2028 年出現記憶體供給短缺的機率很高。若持續簽署超出預期的長期協議(Long-Term Agreements, LTAs),獲利波動與營運風險將會降低,從而使市場要求的風險溢酬下調。」
野村透過將 5.0x 的市淨率(P/B)倍數套用至三星電子未來 12 個月的每股帳面價值(BVPS)₩133,139,再次重申其 ₩670,000 的目標價,意味著相較目前股價約有 224% 的上行空間
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