DIGITIMES:記憶體熱潮延續至 2027 年
DIGITIMES 認為,隨著 AI 基礎設施推動 DRAM、NAND 與 HBM 需求,記憶體景氣上行週期正在加速,供應將持續緊張,直到大量新增產能於 2027–2028 年開始到位
最大的結構性變化是,記憶體需求日益取決於 AI 加速器架構,而非 PC 與智慧型手機。HBM4 採用率在 2026–27 年加速提升,隨後是 HBM4E;與此同時,Nvidia 的 Vera 平台正轉向可拆卸式 SOCAMM2 LPDDR5X 模組
企業儲存也正受益。PCIe Gen6 企業級 SSD 正進入量產,Samsung 與 Micron 已在提升產品產量,Phison 與 Silicon Motion 預計於 2027 年推出 Gen6 控制器
產能擴充規模可觀,但大多在後期才到位:
· Samsung:Pyeongtaek P5 於 2028 年投產,Yongin DRAM 於 2029 年投產,Onyang 新 HBM 封裝產能於 2029 年投產。
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$SKHY:M15X 已於 2026 年開始提升產量,Yongin DRAM 自 2027 年第一季起投產,P&T7 HBM 封裝於 2027 年底前投產,Indiana HBM 封裝於 2028 年下半年投產。
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$MU:Tungluo 擴建、Hiroshima DRAM、Sin