SK Hynix sẽ sản xuất hàng loạt NAND 375 lớp vào cuối năm nay, "thay thế Wolfram bằng Molybdenum" hy vọng giúp nâng cao hiệu suất

Báo cáo của Jinse Caijing, ngày 11 tháng 6, theo truyền thông công nghệ Hàn Quốc 《THEELEC》, SK Hynix đã hoàn thành xác nhận sản xuất bộ nhớ flash NAND 3D V10 series 375 lớp thế hệ tiếp theo, đang thúc đẩy chuyển đổi dây chuyền sản xuất, mục tiêu nâng cấp nhà máy hiện có để đạt sản xuất hàng loạt quy mô lớn vào năm 2026, thách thức vị trí dẫn đầu của Samsung Electronics trong công nghệ xếp chồng siêu cao. Điểm nổi bật nhất của lần cập nhật công nghệ này là sự đổi mới vật liệu trong lớp dây kim loại, thay thế một phần các dây chữ từ tungsten truyền thống sang molybdenum. Khi công nghệ NAND 3D tiến tới hơn 600 lớp, vật liệu molybdenum dự kiến sẽ trở thành yếu tố then chốt trong kỷ nguyên xếp chồng siêu cao.
Xem bản gốc
Trang này có thể chứa nội dung của bên thứ ba, được cung cấp chỉ nhằm mục đích thông tin (không phải là tuyên bố/bảo đảm) và không được coi là sự chứng thực cho quan điểm của Gate hoặc là lời khuyên về tài chính hoặc chuyên môn. Xem Tuyên bố từ chối trách nhiệm để biết chi tiết.
  • Phần thưởng
  • Bình luận
  • Đăng lại
  • Retweed
Bình luận
Thêm một bình luận
Thêm một bình luận
Không có bình luận
  • Đã ghim