Samsung đã sử dụng Computex để giới thiệu trước HPB, hay Heat Path Block, một tính năng nhiệt cho bộ nhớ HBM5 thế hệ tiếp theo của mình

Đây là câu trả lời của Samsung cho phương pháp làm mát mà SK Hynix đã tiết lộ trước đó
Cả hai công ty đều cố gắng giải quyết cùng một vấn đề: nhiệt
HBM xếp chồng nhiều chip DRAM theo chiều dọc trên một chip nền, và mỗi thế hệ mới đều tăng dung lượng và băng thông bằng cách thêm nhiều lớp hơn và đẩy tốc độ dữ liệu cao hơn. Điều này cũng làm tăng mật độ công suất
Nhiệt sinh ra ở giữa một chồng cao gặp khó khăn trong việc thoát ra vì nó phải di chuyển lên qua các lớp silicon và các via xuyên silicon trước khi đến tấm làm lạnh phía trên. Khi các chồng trở nên cao hơn và nhanh hơn, điểm nghẽn dọc này trở thành một giới hạn thực sự. DRAM nóng hơn rò rỉ nhiều hơn, cần nhiều chu kỳ làm mới hơn, và có thể bắt đầu giảm tốc
Cách sửa của Samsung là thêm một đường dẫn nhiệt ngang thay vì chỉ dựa vào tuyến đường dọc. HPB là một cấu trúc nhiệt chuyên dụng đặt cạnh chồng DRAM trên cùng một chip nền. Nó được xây dựng cao bằng chồng và kết nối qua giao diện PHY chip-to-chip. Nhiệt dư thừa từ chồng di chuyển sang bên cạnh vào HPB rồi phân tán lên phía trên vào tấm làm lạnh một cách hiệu quả hơn
SK Hynix đã đi đến ý tưởng này đầu tiên với iHBM, tích hợp các yếu tố làm mát tích hợp vào gói bằng một quy trình gọi là MR-RUF
Các GPU đầu tiên sử dụng HBM5 dự kiến không ra mắt cho đến năm 2028–2029, vì vậy cả Samsung và SK Hynix vẫn còn nhiều năm để hoàn thiện các thiết kế này cùng các đối tác của họ