Northeast Securities: O micro pó de silício inicia uma nova narrativa de aumento simultâneo de quantidade e preço, com a substituição doméstica entrando numa fase de expansão de alto nível

Northeast Securities publica relatório de pesquisa afirmando que, à medida que o desempenho dos materiais principais se aproxima do limite, a posição estratégica do microcimento de silício no circuito impresso de cobre (CCL) aumenta significativamente, passando de um preenchimento tradicional para um material central. A atualização tecnológica impulsiona a evolução do produto de pó angular para pó esférico, além de pó de alta fase química, com o valor por tonelada crescendo de forma exponencial. Empresas domésticas representadas pela Lianrui New Materials romperam o monopólio japonês, alcançando avanços na esfericidade e no controle de radiação α baixa, acelerando a substituição com vantagens de proximidade e personalização, com potencial para conquistar completamente o mercado de alta gama nos próximos três anos.

Os principais pontos do Northeast Securities são os seguintes:

Quando o desempenho dos materiais principais se aproxima do limite, a importância do microcimento de silício aumenta significativamente

Na estrutura de custos tradicional do circuito impresso de cobre (CCL), o folheado de cobre, a resina e o tecido de fibra de vidro representam a maior proporção dos materiais principais por um longo período. Com a explosão da demanda por servidores de IA e comunicações de alta velocidade, os substratos estão evoluindo para alta frequência e alta velocidade (nível M9 e superiores), e o espaço para modificações físicas nos três materiais principais, como baixa constante dielétrica (Low Dk/Df) e coeficiente de expansão térmica (CTE) extremamente baixo, está se aproximando dos limites físicos. Na busca por perdas dielétricas extremamente baixas (Low Df) e CTE reduzido, o microcimento de silício (com proporção de preenchimento de cerca de 15%) que antes era considerado apenas um aditivo de redução de custos, tornou-se uma variável-chave para superar obstáculos de desempenho. Quando o desempenho dos materiais principais se aproxima do limite, a pureza, o tamanho de partícula e a morfologia do microcimento de silício determinam diretamente a integridade da transmissão do sinal, elevando sua posição estratégica de um aditivo passivo para um material central que define o nível do substrato. A proporção de preenchimento de silício esférico de alto desempenho pode aumentar anualmente para 40%.

A atualização tecnológica impulsiona uma grande elevação na proporção de custos de lucratividade

O microcimento de silício está passando de métodos físicos para métodos químicos (VMC/sol-gel), levando a um crescimento exponencial no valor por tonelada. O pó angular tradicional, produzido por trituração mecânica, possui uma barreira tecnológica baixa, com preço de venda por tonelada na casa dos milhares de yuans. Com a demanda crescente por substratos de alto desempenho, o microcimento de silício esférico produzido por método físico de chama, devido à sua alta fluidez e alta taxa de preenchimento, tem seu preço médio por tonelada subindo gradualmente para dezenas de milhares de yuans. Para aplicações em substratos compatíveis com chips de IA e em níveis M8 e superiores, o pó de alta fase química com radiação α extremamente baixa e tamanho de partícula submicrométrica tem seu preço por tonelada aumentado significativamente. A alta gama na estrutura do produto impulsiona uma grande elevação na margem de lucro líquido.

Monopólio japonês rompido, substituição doméstica entra em fase de alta demanda de alta gama

O domínio global de microcimento de silício de alta gama para CCL tem sido ocupado por fabricantes japoneses como Denka e Nippon Steel, que, com suas tecnologias de síntese química pioneiras, controlam a precificação na pista de alta frequência e alta velocidade. Atualmente, a substituição doméstica evolui de uma estratégia de baixo custo para uma abordagem que combina segurança na cadeia de suprimentos e desenvolvimento sincronizado. Empresas líderes locais como a Lianrui New Materials já alcançaram avanços críticos na tecnologia de esfericidade e no controle de radiação α baixa, integrando-se com sucesso aos principais fornecedores globais de CCL, como Shengyi Technology e South Asia New Materials. Apoiada na construção de clusters de capacidade de computação de IA e na indústria de PCB de alta gama, a fabricação doméstica acelera sua penetração por meio de pesquisa e desenvolvimento personalizado. A Lingwei Technology, com sua experiência de anos na área de sílica para acabamento de superfície, aproveita sua vantagem pioneira na síntese líquida (sol-gel) para acelerar a expansão para o campo de microcimento de silício eletrônico de alta pureza. Sua tecnologia química permite controle preciso da pureza e do tamanho de partícula, atendendo às rigorosas exigências de preenchimento submicrométrico em substratos de alta frequência como M8 e M9. Com a capacidade de produção doméstica de métodos químicos se consolidando, espera-se que o microcimento de silício doméstico complete, nos próximos três anos, sua transição de um material de preenchimento periférico para um fornecedor central completo.

Aviso de risco: progresso político abaixo do esperado; demanda downstream abaixo do esperado.