Samsung e NVIDIA aceleram o desenvolvimento da próxima geração de memória NAND flash

2026-04-09 04:20:36

De acordo com o jornal sul-coreano 《Seoul Economic Daily》, citando informações de uma fonte interna não identificada, a Samsung Electronics está a colaborar com a NVIDIA para acelerar o desenvolvimento de chips de memória flash NAND da próxima geração. Uma equipa de investigação conjunta — do Instituto de Investigação de Semicondutores da Samsung, da NVIDIA e da Georgia Tech — desenvolveu um modelo de “operador de rede neuronal de informação física”, cuja velocidade de análise do desempenho de dispositivos de memória flash NAND ferroeléctricos (FeNAND) é superior a 10k vezes à dos modelos existentes, e divulgou os resultados do estudo. Com base nos resultados da investigação, a Samsung está a colaborar com a NVIDIA para desenvolver e comercializar o FeNAND. (Caixin)

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