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Investimento de 1,5 biliões de won coreanos! Samsung e SK Hynix aumentam investimento em fábricas na China, visando a escassez de memória para IA
Segundo a Global Times, “o gigante sul-coreano de chips está a aumentar o investimento na China para fazer face à escassez de memória no domínio da inteligência artificial”. O The Korea Times, a 30 de março, publicou uma notícia com este título, afirmando que dados do último relatório mostram que as duas principais empresas sul-coreanas do sector de chips, Samsung Electronics e SK Hynix, continuarão em 2025 a intensificar o investimento nas fábricas na China. Este planeamento estratégico dinâmico é, por um lado, uma resposta direta ao cenário de falta de oferta no mercado global de chips de memória e, por outro, evidencia a posição-chave da China no ecossistema da cadeia de abastecimento global de semicondutores.
Segundo o The Korea Times, citando relatórios anuais submetidos pelas duas empresas ao Financial Supervisory Service da Coreia do Sul, em 2025 a Samsung Electronics investiu 465.4B de won sul-coreanos (cerca de 304M de dólares) na fábrica de chips em Xi’an, província de Shaanxi, o que representa um aumento homólogo de 67,5%; a SK Hynix investiu 581.1B de won na fábrica de Wuxi, na província de Jiangsu, um aumento de 102% face ao ano anterior, e investiu 440.6B de won na fábrica de Dalian, província de Liaoning, que corresponde a um aumento de 52% face a 2024.
De acordo com o Korea Economic Daily, a Samsung está a avançar com a atualização adicional do processo principal da fábrica de Xi’an, para satisfazer a procura de armazenamento de alta capacidade por parte de servidores de inteligência artificial e centros de dados. A 30 de março, a fábrica de wafer NAND da Samsung Electronics, em Xi’an, China, concluiu a atualização do processo de fabricação de uma etapa-chave; a 8.ª geração de V-NAND foi formalmente colocada em produção em massa. A SK Hynix já injetou mais de 1 trilião de won sul-coreanos nas fábricas de Wuxi e Dalian para atualizar os processos de produção de DRAM e NAND.