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Micron revelou que seus HBM4, SOCAMM2 memória e armazenamento SSD 9650 já estão em produção em massa sincronizada, otimizados especificamente para a plataforma Vera Rubin da Nvidia
IT之家3月17日消息,在今天凌晨举行的英伟达GPU技术大会(GTC)中,美光宣布其多款存储产品已同步进入大规模量产阶段,这些产品均围绕英伟达Vera Rubin平台设计。
美光表示,其HBM4产线已于今年第一季度开始量产并出货,首批产品为36GB的12层堆叠(12-high)版本,专为Vera Rubin平台打造。该产品的引脚速率超过11Gb/s,可提供超过2.8TB/s的内存带宽,相比上一代HBM3E提升约2.3倍,同时功耗效率提升超过20%。
此外,美光还透露公司目前已向客户提供了16层堆叠(16-high)48GB HBM4的早期样品。与12层版本相比,该型号单颗容量提升33%,能够进一步提升单个HBM位置的可用内存容量。
美光同时宣布其SOCAMM2内存模块已进入大规模量产阶段,其中192GB容量版本将用于Vera Rubin NVL72系统以及独立的Vera CPU平台。该模块可为单颗CPU提供最高2TB的内存容量和1.2TB/s的带宽。整个SOCAMM2产品线容量范围覆盖48GB至256GB,以满足不同规模的AI服务器配置需求。
在存储产品方面,美光宣布其Micron9650SSD已正式量产,这款数据中心固态硬盘采用PCIe Gen6接口,是业内首款专门针对英伟达BlueField4STX架构优化设计的SSD。
具体规格方面,Micron9650的顺序读取速度最高可达28GB/s,随机读取性能可达到550万IOPS,相比上一代PCIe Gen5 SSD的读取性能几乎翻倍。同时,其单位功耗性能(performance-per-watt)也实现了约两倍提升。
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