Samsung Electronics apresentou amostras do chip HBM4E na conferência GTC da Nvidia

Na conferência anual de tecnologia organizada pela Nvidia, a Samsung Electronics lançou a sua sétima geração de memória de alta largura de banda (HBM), ou seja, HBM4E. A Nvidia destacou na reunião a sua colaboração crescente com este fabricante sul-coreano de chips, que vai além dos chips de memória.

Na segunda-feira (horário dos EUA), na abertura do Nvidia GTC 2026 na Califórnia, a Samsung Electronics apresentou os avanços mais recentes do seu produto HBM4E e demonstrou a sua capacidade como fornecedora de soluções de memória completas para a plataforma de IA Nvidia Vera Rubin.

Esta foi a primeira vez que a Samsung Electronics revelou publicamente um chip HBM4E físico, com uma velocidade de transmissão de até 16Gbps por pino e uma largura de banda de 4,0TB/s.

Este desempenho é superior ao do HBM4, que possui uma velocidade de transmissão de 13Gbps por pino e uma largura de banda de 3,3TB/s.

No discurso principal, o CEO da Nvidia, Jensen Huang, agradeceu à Samsung Electronics pela produção do Groq 3 LPU (Unidade de Processamento de Linguagem), que será utilizado na plataforma de IA da Nvidia para melhorar o desempenho.

“Gostaria de agradecer à Samsung, que fabrica os chips Groq 3 LPU para nós. Eles estão dando o seu melhor. Realmente agradeço a vocês”, disse Huang, confirmando que o chip é produzido pelo departamento de foundry da Samsung Electronics.

Estas palavras de Huang indicam que a colaboração entre Samsung Electronics e Nvidia no campo da inteligência artificial se expandiu para o negócio de foundry de chips.

No mês passado, a Samsung Electronics começou a distribuir em massa o chip HBM de sexta geração, o HBM4, projetado especificamente para a plataforma Vera Rubin da Nvidia, que a Samsung afirma oferecer “desempenho extremo para cálculos de IA”.

A Samsung também lançou a tecnologia de soldagem híbrida de cobre (HCB), que permite empilhar mais de 16 camadas de folha de cobre e reduz a resistência térmica em 20% em comparação com a soldagem por compressão térmica (TCB), demonstrando sua força na próxima geração de encapsulamento HBM.

Este gigante tecnológico sul-coreano afirmou: “Para impulsionar a inovação na indústria de IA, sistemas de IA poderosos, como a plataforma Vera Rubin, são essenciais.”

A Samsung acrescentou: “A empresa planeja continuar fornecendo soluções de memória de alto desempenho para suportar a plataforma Vera Rubin.”

A Samsung também declarou que ambas as empresas esperam liderar a transformação do paradigma de infraestrutura de inteligência artificial global por meio dessa parceria.

Durante o evento, a Samsung Electronics montou um estande dividido em três áreas — fábrica de IA, IA local e IA física — exibindo os chips de próxima geração que atendem às necessidades da indústria de IA.