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Samsung Electronics planeia produção em massa de amostras de semicondutores de potência SiC no terceiro trimestre
Samsung Electronics planeja iniciar a produção em massa de amostras de semicondutores de potência de SiC (carboneto de silício) no terceiro trimestre deste ano, tendo recentemente encomendado matérias-primas e componentes. Diz-se que a primeira amostra a ser produzida em massa pela Samsung Electronics será um MOSFET de SiC plano. MOSFET é um tipo de transistor usado para comutar e amplificar sinais eletrônicos. (Relatório do Daily Science and Technology Board)