Navitas Lança Tecnologia MOSFET SiC Geração 5 para Impulsionar Data Centers de Próxima Geração

A Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) apresentou a sua mais recente geração de tecnologia de MOSFETs de carbeto de silício (SiC) projetada para atender às crescentes exigências de conversão de energia de infraestruturas de IA e sistemas energéticos. A empresa anunciou a plataforma GeneSiC de 5ª geração a 12 de fevereiro de 2026, marcando um avanço significativo no desempenho de semicondutores de alta tensão. Esta nova arquitetura combina um design de canal de trincheira avançado com especificações de fiabilidade aprimoradas, posicionando a Navitas como um ator-chave no espaço de tecnologia MOSFET para data centers e infraestrutura de rede elétrica.

Este avanço ocorre num momento crítico em que data centers de IA e instalações de energia renovável necessitam de eletrónica de potência mais eficiente e compacta para lidar com as crescentes demandas operacionais. A plataforma atualizada de MOSFETs da Navitas responde a esses desafios através da sua arquitetura TAP mais sofisticada até à data, oferecendo aos profissionais do setor uma via para reduzir o consumo de energia e os custos operacionais em aplicações exigentes.

Avanço de Desempenho: O que Significa uma Eficiência 35% Melhor

A tecnologia de MOSFET de 5ª geração oferece uma melhoria histórica de 35% na figura de mérito RDS,ON × QGD em comparação com a geração anterior de 1200V, mudando fundamentalmente a forma como os projetistas de sistemas abordam a otimização do estágio de potência. Este avanço traduz-se diretamente na redução das perdas de comutação, operação mais fresca do dispositivo e capacidade de operar a frequências mais altas sem comprometer a estabilidade.

A tecnologia consegue uma melhoria adicional de cerca de 25% na relação QGD/QGS, permitindo tempos de resposta do gate mais rápidos. Quando combinada com a especificação robusta de tensão de limiar (VGS,TH ≥ 3V), a nova geração de MOSFETs demonstra uma imunidade excecional contra eventos parasitas de ativação. Esta característica é especialmente valiosa em ambientes industriais ruidosos, onde a integridade do sinal impacta diretamente a fiabilidade do sistema.

A plataforma de 5ª geração otimiza ainda mais a característica RDS(ON) × EOSS, integrando tecnologia proprietária de diodo de corpo suave. Esta integração minimiza interferências eletromagnéticas (EMI) durante ciclos de comutação de alta velocidade e garante uma comutação mais suave, proporcionando melhorias na estabilidade do sistema que vão muito além do desempenho individual do MOSFET.

Padrões de Fiabilidade Aprimorados para Aplicações Críticas

A Navitas submeteu esta geração de MOSFETs a testes de qualificação AEC-Plus, que superam os padrões industriais para fiabilidade automotiva e industrial. A validação inclui:

• Protocolos de teste estático prolongados, com duração 3 vezes maior do que os procedimentos de stress convencionais (HTRB, HTGB, HTGB-R)
• Testes avançados de fiabilidade dinâmica, incluindo stress de polarização reversa (DRB) e stress de comutação do gate (DGS) para simular perfis de missão de comutação rápida do mundo real
• Medições de deslocamento do VGS,TH mais baixas ao longo de ciclos de comutação prolongados, garantindo desempenho previsível a longo prazo
• Extrapolação de fiabilidade do óxido de gate superior a 1 milhão de anos a uma tensão de operação (18V) e temperatura de junção de 175°C
• Resiliência aprimorada a raios cósmicos, com taxas de FIT (Falhas por Tempo) excepcionalmente baixas para ambientes de alta altitude e operação contínua

Estas especificações abordam diretamente as preocupações de fiabilidade de operadores de infraestruturas que dependem de dispositivos semicondutores para manter o tempo de atividade do sistema e desempenho previsível ao longo de décadas de operação.

Complemento à Tecnologia GaN em Todo o Espectro de Semicondutores de Potência

A nova geração de MOSFETs de SiC complementa as ofertas de alta tensão da Navitas da plataforma GeneSiC de 4ª geração (linhas de 2300V e 3300V), criando um portfólio abrangente que cobre várias faixas de tensão. Esta abordagem permite aos projetistas selecionar a tecnologia de MOSFET mais adequada — seja baseada em GaN ou SiC — dependendo dos requisitos específicos de aplicação em data centers de IA, infraestrutura de rede elétrica e sistemas de eletrificação industrial.

A estratégia da Navitas reflete mais de 30 anos de experiência combinada em tecnologias de semicondutores de banda larga. A linha GaNFast continua a oferecer entrega rápida de potência e alta densidade, enquanto o portfólio crescente de MOSFETs GeneSiC responde a aplicações de média tensão que exigem eficiência superior e fiabilidade comprovada a longo prazo.

Impacto no Mercado e Desenvolvimento Futuro

Paul Wheeler, Vice-Presidente e Diretor Geral da Unidade de Negócios de SiC da Navitas, destacou o compromisso da empresa em apoiar os clientes na navegação pelos limites de conversão de energia da infraestrutura de próxima geração: “As melhorias tecnológicas significativas na nossa tecnologia GeneSiC de 5ª geração reforçam o compromisso da Navitas em oferecer desempenho e fiabilidade líderes na indústria em MOSFETs de carbeto de silício.”

A Navitas planeia anunciar novos produtos baseados nesta plataforma de MOSFET de 5ª geração nos próximos meses. A empresa publicou um documento técnico abrangente sobre a tecnologia de canal de trincheira planar, disponível para download, que fornece orientações técnicas detalhadas para implementação por parte dos projetistas de sistemas.

Com mais de 300 patentes emitidas ou pendentes e reconhecida como a primeira empresa de semicondutores com certificação CarbonNeutral do mundo, a Navitas continua a estabelecer referências para inovação em semicondutores de potência nos setores de MOSFETs e tecnologias de banda larga.